常压下用金属有机化学气相沉积法在HP40钢表面制备纳米氧化铝薄膜及表征 被引量：3

1

作者 黄志荣 李攀瑜 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2011年第7期58-60,64,共4页

常压下用金属有机化学气相沉积法(MOCVD),以仲丁醇铝(ATSB)为前驱体、氮气为载气在HP40钢表面制备了纳米氧化铝薄膜;用光学显微镜、扫描电子显微镜及能谱仪、X射线衍射仪、原子力显微镜等研究了沉积温度等参数对氧化铝薄膜沉积速率的影... 常压下用金属有机化学气相沉积法(MOCVD),以仲丁醇铝(ATSB)为前驱体、氮气为载气在HP40钢表面制备了纳米氧化铝薄膜;用光学显微镜、扫描电子显微镜及能谱仪、X射线衍射仪、原子力显微镜等研究了沉积温度等参数对氧化铝薄膜沉积速率的影响,并对其形貌进行了观察。结果表明:随着沉积温度从503K升高到713K,薄膜沉积速率从0.1mg·cm^(-2)·h^(-1)增加到0.82mg·cm^(-2)·h^(-1);当沉积温度在593～653K范围内,可获得晶粒尺寸为10～15nm的纳米氧化铝薄膜;反应的表观活化能随氮气与ATSB蒸气混合气流速增加而降低,不同的混合气流速有不同的反应级数,ATSB的反应级为0.7±0.02。 展开更多

关键词 金属有机化学气相沉积法 氧化铝 沉积速率 纳米薄膜

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化学气相沉积法制备二维过渡金属硫族化合物研究进展

2

作者 王栋 魏子健 +5 位作者 张倩 夏月庆 张秀丽 王天汉 袁志华 兰明明 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第1期156-169,共14页

二维过渡金属硫族化合物(TMDs)是继石墨烯之后的新型二维材料,由于其自身的独特物理化学性质在半导体、光电材料、能源储存和催化制氢等方面备受瞩目。化学气相沉积(CVD)是目前适合实现大规模制备二维材料的工艺之一,制备过程中参数的... 二维过渡金属硫族化合物(TMDs)是继石墨烯之后的新型二维材料,由于其自身的独特物理化学性质在半导体、光电材料、能源储存和催化制氢等方面备受瞩目。化学气相沉积(CVD)是目前适合实现大规模制备二维材料的工艺之一,制备过程中参数的高度可控性使其具有很大优势。本文综述了近期通过CVD制备TMDs的研究进展,探讨了在CVD制备工艺中各种参数对产物生长和最终形貌的影响,包括前驱体、温度、衬底、辅助剂、压力和载气流量等。列举了一些改进的CVD制备工艺,并对其特点进行了总结。最后讨论了目前CVD制备TMDs所面临的挑战并对其发展前景进行展望。 展开更多

关键词 过渡金属硫族化合物 化学气相沉积 盐辅助化学气相沉积 金属有机化学气相沉积 二维材料 前驱体 影响因素

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光辅助对MOCVD法制备ZnO薄膜性能的影响 被引量：7

3

作者 李香萍 张宝林 +6 位作者 董鑫 张源涛 夏晓川 赵磊 赵旺 马艳 杜国同 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期139-143,共5页

采用光辅助金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在(0001)蓝宝石衬底上制备了ZnO薄膜。通过X射线衍射、透射光谱和霍尔测试等研究了光照对MOCVD法制备的ZnO薄膜的影响。实验结果表明,引入光辅助后制备的ZnO薄膜,其结晶质量和光学质量均得到... 采用光辅助金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在(0001)蓝宝石衬底上制备了ZnO薄膜。通过X射线衍射、透射光谱和霍尔测试等研究了光照对MOCVD法制备的ZnO薄膜的影响。实验结果表明,引入光辅助后制备的ZnO薄膜,其结晶质量和光学质量均得到改善。分析认为,这主要是由于光辅助有助于提高锌有机源的分解效率,并且高能量的光子可为反应吸附的原子提供足够高的激活能,从而易于其迁移到合适的晶格位置所致。同时我们还发现,有光照和无光照条件下制备的ZnO薄膜均呈n型导电,但有光照条件下制备的ZnO薄膜具有更低的本底载流子浓度,这将为日后通过降低自补偿实现p型掺杂提供一个很好的解决办法。 展开更多

关键词 氧化锌薄膜 光辅助金属有机化学气相沉积 光学特性

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MOCVD法氧化锌单晶薄膜生长 被引量：5

4

作者 刘博阳 杜国同 +5 位作者 杨小天 赵佰军 张源涛 高锦岳 刘大力 杨树人 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第2期99-102,共4页

介绍了氧化锌材料的一些突出特性以及生长氧化锌的方法。并通过金属有机化学气相沉积 (MOCVD)方法制备了优良的氧化锌薄膜。使用X射线衍射 (XRD)谱和室温光致发光(PL)光谱对所生长氧化锌薄膜的晶体质量和光学特性进行了研究。X射线衍射... 介绍了氧化锌材料的一些突出特性以及生长氧化锌的方法。并通过金属有机化学气相沉积 (MOCVD)方法制备了优良的氧化锌薄膜。使用X射线衍射 (XRD)谱和室温光致发光(PL)光谱对所生长氧化锌薄膜的晶体质量和光学特性进行了研究。X射线衍射谱图显示仅在2θ =34.72°处有一个很陡峭的ZnO (0 0 2 )晶面衍射峰 ,说明所制备的氧化锌薄膜c轴取向高度一致。此衍射峰的半高宽为 0 .2 82° ,显示出较好的晶体质量。在室温光致发光谱中 ,薄膜的紫外发光强度与深能级复合发光的强度比超过 10∶1。 展开更多

关键词 氧化锌 金属有机化学气相沉积法 单晶薄膜 薄膜生长 X射线衍射分析 光致发光光谱

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射频辅助N掺杂ZnO薄膜的生长及其光电特性 被引量：2

5

作者 苏剑峰 姚然 +1 位作者 钟泽 傅竹西 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期299-303,共5页

在MOCVD设备中采用改进的射频辅助生长装置,通过裂解N2及N-Al共掺杂的方法进行ZnO的p型掺杂研究。通过二次离子质谱(SIMS)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、光致发光(PL)谱等方法分析了薄膜中N杂质的浓度,以及射频功率与晶体质量... 在MOCVD设备中采用改进的射频辅助生长装置,通过裂解N2及N-Al共掺杂的方法进行ZnO的p型掺杂研究。通过二次离子质谱(SIMS)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、光致发光(PL)谱等方法分析了薄膜中N杂质的浓度,以及射频功率与晶体质量、表面形貌以及光学特性之间的关系,并与Al掺杂和N掺杂的ZnO薄膜进行对比。实验结果表明,N掺杂的浓度高达1020cm-3;N-Al共掺杂极大地增加了ZnO的成核速率,其主要原因是N离化所起的作用;N-Al共掺的ZnO薄膜显示出p型性质,而N掺杂的ZnO薄膜由于N原子处于非激活状态而呈现高阻,这说明N-Al共掺杂对ZnO中N原子的活化起到一定作用。 展开更多

关键词 金属有机化学气相沉积 射频辅助 N离化 N-Al共掺杂

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GPCVD法低温合成纳米金刚石薄膜 被引量：1

6

作者 葛大勇 赵庆勋 +1 位作者 杨保柱 何雷 《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2011年第8期22-24,共3页

为了在低温衬底(<500℃)上制备出高品质纳米金刚石薄膜,使用辉光等离子体辅助热丝化学气相沉积法,用甲烷、高纯氢为源气体,P型Si(100)为衬底材料,在低温条件下合成了纳米金刚石薄膜,利用Langmuir探针对合成过程进行了实时原位诊断,... 为了在低温衬底(<500℃)上制备出高品质纳米金刚石薄膜,使用辉光等离子体辅助热丝化学气相沉积法,用甲烷、高纯氢为源气体,P型Si(100)为衬底材料,在低温条件下合成了纳米金刚石薄膜,利用Langmuir探针对合成过程进行了实时原位诊断,研究了电子温度Te和电子密度ne的空间变化规律,探讨薄膜生长机理。对所合成的样品,利用扫描电子显微镜、Raman光谱仪、X射线衍射进行了分析。结果表明,实验所得样品为高品质、结晶完善、表面光滑的纳米金刚石薄膜,SEM形貌表明薄膜中晶粒的粒度为40～90 nm,Raman光谱在1 331.5 cm-1处出现了金刚石的(111)特征声子峰。XRD谱在2θ=43.907、5.30处出现了金刚石的(111)(、220)特征衍射峰。实验得出了低温合成纳米金刚石薄膜的最佳工艺条件:①甲烷体积百分比浓度为0.6%;②反应室气压为5 kPa;③气体流量在1 100～1 300 mL/min范围内成核密度较高,并以(100)(、111)面为主,晶粒的平均粒度小于100 nm;在流量为1 300 mL/min时,晶粒的生长表现为一定的定向生长。 展开更多

关键词 纳米 金刚石薄膜 辉光等离子体辅助热丝化学气相沉积法

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沉积温度对MOCVD制备ZnO纳米薄膜性质的影响

7

作者 于富成 李海山 +3 位作者 胡海龙 宋天云 许博宇 何玲 《兰州理工大学学报》 CAS 北大核心 2018年第3期30-33,共4页

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在石英衬底上制备了ZnO纳米薄膜,考察了不同沉积温度对ZnO薄膜结构及光学性质的影响.结果表明:所有样品均表现出C轴择优的六角纤锌矿结构.随着沉积温度由700℃升高至800℃时,ZnO薄膜的半峰宽逐渐变窄... 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在石英衬底上制备了ZnO纳米薄膜,考察了不同沉积温度对ZnO薄膜结构及光学性质的影响.结果表明:所有样品均表现出C轴择优的六角纤锌矿结构.随着沉积温度由700℃升高至800℃时,ZnO薄膜的半峰宽逐渐变窄,晶粒尺寸逐渐增大,光致发光强度逐渐增强,表明沉积温度的升高有利于晶体的生长.当沉积温度由800℃继续升高后,样品的半峰宽变宽,晶粒尺寸减小,光致发光强度降低,表明沉积温度过高产生热缺陷,不利于晶体的生长. 展开更多

关键词 金属有机化学金相沉积 化学气相沉积法 ZnO纳米薄膜 沉积温度

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基于MOCVD法制备的NiO薄膜结构与光学特性 被引量：3

8

作者 赵洋 赵龙 +3 位作者 王辉 汤正新 王瑾 史志峰 《河南科技大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2011年第3期9-11,108,共3页

用金属有机化学气相沉积法在Si衬底上制备了NiO薄膜。分别采用X光电子能谱、电子显微镜、X射线衍射以及紫外-可见分光光度计对样品的结构和光学特性进行测试。X光电子能谱测试结果表明:薄膜中Ni元素以二价态存在,Ni与O比值接近1∶1,表... 用金属有机化学气相沉积法在Si衬底上制备了NiO薄膜。分别采用X光电子能谱、电子显微镜、X射线衍射以及紫外-可见分光光度计对样品的结构和光学特性进行测试。X光电子能谱测试结果表明:薄膜中Ni元素以二价态存在,Ni与O比值接近1∶1,表明制备的样品为NiO薄膜;电子显微镜和X射线衍射分析显示NiO薄膜呈现多晶态;紫外-可见分光光度计测试结果显示:NiO薄膜具有高透过率,400 nm附近最高透过率为96%,通过线性外推法作图得到NiO薄膜的禁带宽度在3.7 eV左右。 展开更多

关键词 NiO薄膜 金属有机化学气相沉积法 透射率

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纳米固体的MOCVD法制备及结构性能的研究 被引量：2

9

作者 彭冬生 谢长生 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第6期47-49,共3页

采用MOCVD法制备纳米固体材料,用现代分析测试技术确定纳米固体的结构井探索纳米固体的特异性能是纳米固体材料研究承重要的内容之一。论述了MOCVD法在纳米领域和其他方面的应用以及其发展前景。

关键词 纳米固体材料 MOCVD法 制备 结构 性能 金属有机化学气相沉积

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MOCVD自催化法在Si(100)衬底上生长InP/InGaAs核壳结构纳米线 被引量：1

10

作者 张登巍 缪国庆 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期294-298,共5页

采用自催化法,利用金属有机化学气相沉积技术,在Si(100)衬底上成功制备了InP/InGaAs核壳结构纳米线。通过扫描电子显微镜观察纳米线形貌,在核壳结构纳米线的顶端催化剂转化成了颗粒状晶体。利用X射线衍射和透射电子显微镜研究了InP纳米... 采用自催化法,利用金属有机化学气相沉积技术,在Si(100)衬底上成功制备了InP/InGaAs核壳结构纳米线。通过扫描电子显微镜观察纳米线形貌,在核壳结构纳米线的顶端催化剂转化成了颗粒状晶体。利用X射线衍射和透射电子显微镜研究了InP纳米线上生长InGaAs外壳的过程,并应用X射线能量色散能谱仪对纳米线顶端进行了轴向和径向的线扫描,得到了纳米线上元素组分分布。催化剂的转化发生在制备InGaAs壳之前的升温过程中,且形成的晶体中含有合金成分。InGaAs壳的组分调整可以通过改变生长过程中生长源气体的流量来实现。 展开更多

关键词 自催化法 金属有机化学气相沉积 InP/InGaAs核壳结构 纳米线

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LP-MOCVD两步生长法制备的InAs_(0.9)Sb_(0.1)/GaAs

11

作者 谢建春 缪国庆 +5 位作者 金亿鑫 张铁民 宋航 蒋红 刘乃康 李志明 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期246-250,共5页

利用LP-MOCVD技术,采用两步生长法,在(100)GaAs单晶衬底上生长高质量的InAs0.9Sb0.1。用扫描电镜、X射线单晶衍射、Hall测量以及Raman光谱等方法对材料进行了表征。分析了缓冲层和外延层生长温度对外延层表面形貌的影响。获得了表面光亮... 利用LP-MOCVD技术,采用两步生长法,在(100)GaAs单晶衬底上生长高质量的InAs0.9Sb0.1。用扫描电镜、X射线单晶衍射、Hall测量以及Raman光谱等方法对材料进行了表征。分析了缓冲层和外延层生长温度对外延层表面形貌的影响。获得了表面光亮,室温载流子浓度为1.9×1017cm-3和迁移率为6214cm2/V.s的InAs0.9Sb0.1。在室温Raman光谱中观察到InAs0.9Sb0.1中InAs(LO)的233cm-1和InSb(LO)的187cm-1两种光学声子行为。 展开更多

关键词 金属有机化学气相沉积 INASSB 两步生长法 GAAS

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ZnO基紫外探测器的制作与研究 被引量：7

12

作者 杨晓天 刘博阳 +7 位作者 马艳 赵佰军 张源涛 杨天鹏 杨洪军 李万程 刘大力 杜国同 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期156-158,共3页

利用新型的等离子体辅助金属有机化学气相沉积(P-MOCVD)系统在蓝宝石、硅等衬底上生长出具有单一c轴取向、高阻的ZnO薄膜,利用添加的等离子体发生装置,进行氮掺杂获得高阻ZnO薄膜。利用ZnO的宽禁带与高光电导特性,结合MSM(金属-半导体-... 利用新型的等离子体辅助金属有机化学气相沉积(P-MOCVD)系统在蓝宝石、硅等衬底上生长出具有单一c轴取向、高阻的ZnO薄膜,利用添加的等离子体发生装置,进行氮掺杂获得高阻ZnO薄膜。利用ZnO的宽禁带与高光电导特性,结合MSM(金属-半导体-金属)结构器件响应度高、速度快、随偏压变化小、工艺简单、易于单片集成等优点,制作了ZnO基紫外探测器,器件规格为80 μm×100μm,电极为叉指式电极。测试中采用500 W的氙灯做测试光源,探测器的Ⅰ-Ⅴ特性曲线显示;正向偏压下探测器的暗电流及光照电流与外加偏压呈线性增长。不同波长下的响应曲线显示:探测器对紫外波段有响应,响应峰值在375nm附近。 展开更多

关键词 等离子体辅助金属有机化学气相沉积法 氧化锌薄膜 紫外探测器 半导体材料 禁带宽度

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脉冲辉光PECVD制备DLC薄膜的结构和性能研究 被引量：6

13

作者 苟伟 李剑锋 +2 位作者 楚信谱 张礼平 李国卿 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期33-37,共5页

类金刚石碳膜以其优异的性能,诸如高电阻率、高硬度、低摩擦系数、良好的光学特性等显示出良好的应用前景,越来越受到人们的关注。本文利用脉冲辉光PECVD在不同的脉冲电压下成功地制备了DLC薄膜。采用拉曼光谱仪、原子力显微镜、纳米压... 类金刚石碳膜以其优异的性能,诸如高电阻率、高硬度、低摩擦系数、良好的光学特性等显示出良好的应用前景,越来越受到人们的关注。本文利用脉冲辉光PECVD在不同的脉冲电压下成功地制备了DLC薄膜。采用拉曼光谱仪、原子力显微镜、纳米压痕仪等设备对薄膜的相结构、表面形貌和力学性能进行了综合分析。 展开更多

关键词 脉冲放电 等离子体辅助化学气相沉积法 类金刚石碳膜 RAMAN光谱 表面形貌

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纳米ZnO生长及性质分析 被引量：3

14

作者 刘少波 顾书林 +6 位作者 刘伟 张丹羽 刘雪冬 朱顺明 丁维平 张荣 郑有炓 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期527-531,共5页

利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在表面含有ZnO颗粒作为催化剂的Si(111)衬底上制备了ZnO纳米柱阵列。采用X射线衍射(XRD)、喇曼光谱(Raman)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)谱分析了样品的晶体结构质量、表面性质和光... 利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在表面含有ZnO颗粒作为催化剂的Si(111)衬底上制备了ZnO纳米柱阵列。采用X射线衍射(XRD)、喇曼光谱(Raman)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)谱分析了样品的晶体结构质量、表面性质和光学性质。结果表明,生长出来的纳米ZnO具有较好的c轴择优取向性。发现氧分压对ZnO纳米柱的生长有重要影响:当氧分压较低时,生长基于VLS机制;当氧分压较高时,生长基于VS机制;通过对N2O流量的控制可实现对ZnO纳米材料的可控生长。 展开更多

关键词 ZnO纳米柱 气-液-固/气-固生长机制 低压金属有机化学气相沉积法

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AlGaN MSM结构日盲型紫外探测器 被引量：1

15

作者 杨莲红 张保花 +1 位作者 王俊珺 魏伟 《现代电子技术》 2014年第20期120-122,126,共4页

采用低压-金属有机化学气相沉积（MOCVD）法在（0001）方向的AlN/蓝宝石模板上生长得到Al组分为40%的AlGaN材料，设计并制作了MSM型AlGaN 日盲紫外探测器。通过HRXRD，SEM，AFM对AlGaN材料进行了表征，结果表明：该材料为六方相结构，... 采用低压-金属有机化学气相沉积（MOCVD）法在（0001）方向的AlN/蓝宝石模板上生长得到Al组分为40%的AlGaN材料，设计并制作了MSM型AlGaN 日盲紫外探测器。通过HRXRD，SEM，AFM对AlGaN材料进行了表征，结果表明：该材料为六方相结构，且应变程度很小，粗糙度（RMS）为1.32 nm。通过测试器件在230～320 nm之间、在不同偏压下的光谱响应曲线，发现器件的截止波长在285 nm附近，截止边很陡峭；器件的峰值响应波长为275 nm；在7 V偏压下，器件峰值响应度达到最大2.8 mA/W；零偏压下，器件的暗电流1×^10-13A，器件的暗电流很小。 展开更多

关键词 日盲型 紫外探测器 金属有机化学气相沉积法 光谱响应

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金纳米颗粒、纳米片的制备及电镜观察 被引量：1

16

作者 储昭琴 李村成 孔明光 《电子显微学报》 CAS CSCD 2005年第4期253-253,共1页

关键词 金纳米颗粒 电镜观察 制备 表面等离子体共振吸收 惰性气体蒸发法 金属有机化合物 化学气相沉积法 催化活性 金钠米粒子

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MOCVD生长的GaN基LED的应力分析(英文)

17

作者 张恒 曲爽 +2 位作者 王成新 胡小波 徐现刚 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第12期3811-3815,共5页

使用金属有机化学气相沉积法在c轴蓝宝石衬底上制作了GaN基LED。研究了外延层厚度和n型层的生长速率对整个外延弯曲度、翘曲度及应力的影响。光致发光(PL)光谱、FM100及拉曼(Raman)用于表征样品的特性。结果表明通过减薄外延层的厚度和... 使用金属有机化学气相沉积法在c轴蓝宝石衬底上制作了GaN基LED。研究了外延层厚度和n型层的生长速率对整个外延弯曲度、翘曲度及应力的影响。光致发光(PL)光谱、FM100及拉曼(Raman)用于表征样品的特性。结果表明通过减薄外延层的厚度和降低n型层的生长速率,弯曲度、翘曲度及应力均得到有效的降低。与此同时,外延片的波长均匀性得到了进一步的提高。 展开更多

关键词 氮化镓 金属有机化学气相沉积法 翘曲度

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光电子技术与器件 光探测与器件

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《中国光学》 EI CAS 2005年第1期63-63,共1页

TN364 2005010465 ZnO基紫外探测器的制作与研究=Fabrication and study of ZnO UV photodetector[刊,中]／杨晓天(吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点实验室．吉林,长春(130023))．刘博阳…∥发光学报．-2004,25(2)．- 1... TN364 2005010465 ZnO基紫外探测器的制作与研究=Fabrication and study of ZnO UV photodetector[刊,中]／杨晓天(吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点实验室．吉林,长春(130023))．刘博阳…∥发光学报．-2004,25(2)．- 156-158 利用新型的等离子体辅助金属有机化学气相沉积(P- MOCVD)系统在蓝宝石、硅等衬底上生长出具有单一c轴取向、高阻的ZnO薄膜,利用添加的等离子体发生装置。 展开更多

关键词 紫外探测器 等离子体 光电子技术 光探测 金属有机化学气相沉积 曲线显示 器件 集成光电子学 高阻 国家重点实验室

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