等离子体辅助电子束蒸发低温制备SiO_2纳光子薄膜

1

作者 盛明裕 赵源 +3 位作者 刘富强 胡巧多 郑玉祥 陈良尧 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期237-241,共5页

SiO2纳光子薄膜在光伏领域、纳光子和微电子学领域里有着广泛的应用.采用等离子体辅助电子束蒸发方法在低温条件下制备SiO2/Si纳光子薄膜样品,通过椭圆偏振光谱分析法研究薄膜光学性质随3种工艺条件(生长速率、衬底温度和射频等离子辅... SiO2纳光子薄膜在光伏领域、纳光子和微电子学领域里有着广泛的应用.采用等离子体辅助电子束蒸发方法在低温条件下制备SiO2/Si纳光子薄膜样品,通过椭圆偏振光谱分析法研究薄膜光学性质随3种工艺条件(生长速率、衬底温度和射频等离子辅助功率)的变化规律,获得了薄膜的机械、化学和光学性能优于传统方法的纳光子薄膜工艺制备条件. 展开更多

关键词 等离子体辅助 电子束蒸发 纳光子薄膜

在线阅读 下载PDF 职称材料

氧和氩等离子辅助电子束蒸发制备高质量ZnO薄膜 被引量：9

2

作者 汤庆鑫 路丽霞 +3 位作者 齐秀英 钟殿强 初国强 刘益春 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期284-288,共5页

采用等离子辅助电子束蒸发技术制备高纯金属锌膜,然后在氧气气氛下经高温热处理得到氧化锌的多晶薄膜。X射线衍射谱的结果表明:未经热氧化样品由金属锌和氧化锌纳米晶组成,随着热氧化温度的升高氧化锌纳米晶粒长大,形成纳米氧化锌多晶... 采用等离子辅助电子束蒸发技术制备高纯金属锌膜,然后在氧气气氛下经高温热处理得到氧化锌的多晶薄膜。X射线衍射谱的结果表明:未经热氧化样品由金属锌和氧化锌纳米晶组成,随着热氧化温度的升高氧化锌纳米晶粒长大,形成纳米氧化锌多晶薄膜且薄膜结晶性增强;光致发光谱表明:样品均具有较强的紫外自由激子发光。由于未经热氧化样品中氧化锌纳米晶粒较小,具有较强的量子限域效应,因而经高温氧化后样品发光峰有较大红移。随着热氧化温度的进一步升高,束缚激子发射随热氧化温度升高而减弱,且发光峰位随热氧化温度升高出现蓝移;变温光致发光谱表明:紫外发光主要来自自由激子发射。 展开更多

关键词 等离子辅助电子束蒸发技术 制备 ZNO薄膜 氧化锌薄膜 氧 氩 多晶薄膜 光致发光

在线阅读 下载PDF 职称材料

等离子体辅助蒸发制备InN及其光电性能研究

3

作者 孙辉 刘俊 +1 位作者 陈建金 沈龙海 《沈阳理工大学学报》 CAS 2021年第4期48-52,共5页

采用射频等离子辅助蒸发法,在玻璃衬底上制备InN薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对样品的结构和形貌进行表征,使用分光光度计、拉曼光谱仪和霍尔测量系统检测薄膜的光电特性。结果表明:制备的InN薄膜沿非极性晶面择优... 采用射频等离子辅助蒸发法,在玻璃衬底上制备InN薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对样品的结构和形貌进行表征,使用分光光度计、拉曼光谱仪和霍尔测量系统检测薄膜的光电特性。结果表明:制备的InN薄膜沿非极性晶面择优生长,薄膜表面由不规则晶粒紧密堆积而成;InN晶体的对称性存在一定缺陷,出现B1振动模式峰;室温下背景电子浓度为1.48×1023cm-3,电子迁移率为2.36×10-1cm2/(V·s);薄膜在近红外波段的透过率高达60%;室温光致发光谱中存在中心波长为573nm的发光峰。 展开更多

关键词 等离子体辅助蒸发 氮化铟 光电性能 禁带宽度

在线阅读 下载PDF 职称材料

离子辅助沉积掺铝氧化锌透明导电膜的研究 被引量：8

4

作者 初国强 王子君 +1 位作者 刘星元 王立军 《液晶与显示》 CAS CSCD 2001年第2期135-139,共5页

报道了采用离子辅助电子枪蒸发技术制备优质氧化锌透明导电膜的工艺和结果 ,分析了源掺杂 ,镀膜气氛 ,衬底温度等参数与膜的电导率及透光特性的关系 ,作出了电阻率低达 2× 1 0 - 3Ω· cm,厚为 40 0 nm的膜的方块电阻为 1×... 报道了采用离子辅助电子枪蒸发技术制备优质氧化锌透明导电膜的工艺和结果 ,分析了源掺杂 ,镀膜气氛 ,衬底温度等参数与膜的电导率及透光特性的关系 ,作出了电阻率低达 2× 1 0 - 3Ω· cm,厚为 40 0 nm的膜的方块电阻为 1× 1 0 3Ω/□ ,可见光透过率大于 80 %的优质透明导电膜。实验表明氧离子辅助蒸发可增加氧化锌分子的能量 ,提高其迁移率 ,显著提高薄膜的致密程度 ;氧离子能使分解的锌原子充分氧化 ;离子轰击可平滑薄膜表面。总之 。 展开更多

关键词 氧化锌透明导电膜 离子辅助蒸发 电子束蒸发 氧化物半导体 电导率 透光特性 源参杂 镀膜气氛

在线阅读 下载PDF 职称材料

离子束辅助沉积非晶硅薄膜红外光学特性研究 被引量：3

5

作者 潘永强 黄国俊 《西安工业大学学报》 CAS 2011年第1期9-13,共5页

为了得到非晶硅（a-Si）薄膜红外光学常数与工艺参数之间的关系,采用Ar离子束辅助电子束热蒸发技术制备a-Si薄膜,并利用椭偏仪和分光光度计测量了薄膜的光学常数,分析了薄膜沉积速率、基底温度和工作真空度对a-Si薄膜折射率和消光系数... 为了得到非晶硅（a-Si）薄膜红外光学常数与工艺参数之间的关系,采用Ar离子束辅助电子束热蒸发技术制备a-Si薄膜,并利用椭偏仪和分光光度计测量了薄膜的光学常数,分析了薄膜沉积速率、基底温度和工作真空度对a-Si薄膜折射率和消光系数的影响.实验结果表明：影响a-Si薄膜光学常数的主要工艺因素是沉积速率和基底温度,工作真空度的影响最小.当沉积速率和基底温度升高时,薄膜的折射率先增大后减小;当工作真空度升高时,薄膜的折射率增大.在波长1~5μm之间,a-Si薄膜的折射率变化范围为2.47~3.28. 展开更多

关键词 非晶硅薄膜 电子束蒸发 红外光学常数 离子束辅助沉积

在线阅读 下载PDF 职称材料

射频离子辅助沉积对ITO薄膜光电性能的影响 被引量：2

6

作者 刘文成 刘冬梅 +1 位作者 付秀华 张静 《长春理工大学学报（自然科学版）》 2020年第5期83-88,共6页

为了制备光电性能高的氧化铟锡(ITO)薄膜,利用电子束和射频离子源辅助沉积技术,在玻璃基底上制备了ITO透明半导体薄膜,从ITO薄膜的半导体物理学理论出发,研究分析了未使用离子源辅助沉积ITO薄膜的光电性能,以及使用离子源辅助沉积之后,... 为了制备光电性能高的氧化铟锡(ITO)薄膜,利用电子束和射频离子源辅助沉积技术,在玻璃基底上制备了ITO透明半导体薄膜,从ITO薄膜的半导体物理学理论出发,研究分析了未使用离子源辅助沉积ITO薄膜的光电性能,以及使用离子源辅助沉积之后,ITO薄膜厚度、离子源气体比例、离子源能量强度对ITO薄膜光学性能和电学性能的影响。最终以电压1200 V、氧气/氩气比例3∶1的离子源工艺,制备了厚度为20 nm,电阻率为5.34×10-3Ω·cm,透过率为91.42%,光电性能良好的ITO透明导电膜。 展开更多

关键词 光学薄膜 ITO薄膜 电子束蒸发 离子源辅助沉积

在线阅读 下载PDF 职称材料

纳米TiO_2材料分离富集、悬浮体进样氟化辅助ETV-ICP-AES直接分析痕量稀土元素 被引量：9

7

作者 杭义萍 秦永超 +1 位作者 江祖成 胡斌 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1980-1983,共4页

以纳米 Ti O2 为吸附材料分离富集了稀土离子 Y,Yb,Eu,La,Dy,Tm,Sm,Ho,Nd和 Pr,研究了其吸附性能 ,并将吸附于纳米 Ti O2 上的稀土离子直接制成悬浮体 ,用氟化辅助电热蒸发等离子体原子发射光谱 ( FETV-ICP-AES)进行检测 ,考察了上述稀... 以纳米 Ti O2 为吸附材料分离富集了稀土离子 Y,Yb,Eu,La,Dy,Tm,Sm,Ho,Nd和 Pr,研究了其吸附性能 ,并将吸附于纳米 Ti O2 上的稀土离子直接制成悬浮体 ,用氟化辅助电热蒸发等离子体原子发射光谱 ( FETV-ICP-AES)进行检测 ,考察了上述稀土离子的蒸发行为 .结果表明 ,基体元素可与待测物在灰化阶段完全分离 ,在优化的实验条件下 ,检出限和 RSD结果均与文献值基本一致 . 展开更多

关键词 纳米材料 TiO2 分离富集 悬浮体 痕量元素 稀土元素 进样 氟化辅助电热蒸发等离子体原子发射光谱 吸附材料

在线阅读 下载PDF 职称材料

ZnO/Zn界面对纳米ZnO薄膜光学性质的影响 被引量：2

8

作者 路丽霞 季辉 +2 位作者 汤庆鑫 童艳红 刘益春 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期229-233,共5页

采用氧等离子体辅助电子束蒸发金属Zn后低温退火的方法制备纳米ZnO薄膜。利用X射线衍射(XRD)谱、拉曼(Ram an)谱、X射线光电子能谱(XPS)以及光致发光(PL)谱等手段,分析了退火温度及ZnO/Zn界面对样品的结构和发光性质的影响。Ram an结果... 采用氧等离子体辅助电子束蒸发金属Zn后低温退火的方法制备纳米ZnO薄膜。利用X射线衍射(XRD)谱、拉曼(Ram an)谱、X射线光电子能谱(XPS)以及光致发光(PL)谱等手段,分析了退火温度及ZnO/Zn界面对样品的结构和发光性质的影响。Ram an结果表明随着退火温度的升高,界面模式(Es)振动减弱并向低波数方向移动。当退火温度为400℃时,界面振动消失,Zn全部转化成具有六方纤锌矿结构的ZnO,得到化学配比的纳米ZnO薄膜。PL谱表明,经400℃退火处理的样品紫外发射最强,发光性质最好。 展开更多

关键词 等离子体辅助电子束蒸发 纳米ZNO薄膜 ZnO/Zn界面 光致发光

在线阅读 下载PDF 职称材料

单层二氧化铪(HfO_2)薄膜的特性研究 被引量：10

9

作者 艾万君 熊胜明 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期134-140,共7页

利用电子束蒸发、离子束辅助沉积和离子束反应溅射三种制备方法制备了单层HfO2薄膜,对薄膜样品的晶体结构、光学特性、表面形貌以及吸收特性进行了研究。实验结果表明,薄膜特性与制备工艺有着密切的关系。电子束蒸发和离子束反应溅射制... 利用电子束蒸发、离子束辅助沉积和离子束反应溅射三种制备方法制备了单层HfO2薄膜,对薄膜样品的晶体结构、光学特性、表面形貌以及吸收特性进行了研究。实验结果表明,薄膜特性与制备工艺有着密切的关系。电子束蒸发和离子束反应溅射制备的薄膜为非晶结构,而离子束辅助制备的薄膜为多晶结构。电子束蒸发制备的薄膜折射率较低,薄膜比较疏松,表面粗糙度较小,吸收相对较小,而离子束辅助以及离子束反应溅射制备的薄膜折射率较高,薄膜的结构比较致密,但表面粗糙度较大,吸收相对较大。不同制备工艺条件下薄膜的光学能隙范围为5.30～5.43eV,对应的吸收边的范围为228.4～234.0nm。 展开更多

关键词 电子束蒸发 离子束辅助沉积 离子束反应溅射 HFO2薄膜 薄膜特性

在线阅读 下载PDF 职称材料

微纳米建筑艺术及其创作 被引量：1

10

作者 沈海军 《美与时代（创意）（上）》 2011年第11期24-27,共4页

微纳米建筑艺术是纳米艺术的重要组成部分。根据不同的视角,微纳米建筑艺术作品有不同的分类。现在,常见的微纳米建筑创作技术有传统微雕技术、等离子体腐蚀、聚焦离子束——化学气相沉积、双光束聚合、电子束平面刻蚀、平面光刻印刷、... 微纳米建筑艺术是纳米艺术的重要组成部分。根据不同的视角,微纳米建筑艺术作品有不同的分类。现在,常见的微纳米建筑创作技术有传统微雕技术、等离子体腐蚀、聚焦离子束——化学气相沉积、双光束聚合、电子束平面刻蚀、平面光刻印刷、激光直写、聚焦离子束雕刻、计算机辅助纳米设计等。随着纳米技术的发展以及艺术家的不断参与,微纳米建筑艺术中人的因素不断增加,并呈现出了良好的蓬勃发展的态势。 展开更多

关键词 纳米技术 建筑艺术 创作技术 等离子体 计算机辅助 艺术作品 人的因素 电子束

在线阅读 下载PDF 职称材料

ACPDP介质膜的实验研究 被引量：1

11

作者 王昌铧 姚宗熙 《液晶与显示》 CAS CSCD 1999年第3期207-210,共4页

研究了用薄膜 Ｓｉ Ｏ２ 作介质的可行性。并对电子束蒸发制备的 Ｓｉ Ｏ２ 介质膜进行了微观分析。

关键词 等离子体显示板 介质膜 电子束蒸发 透射电镜

在线阅读 下载PDF 职称材料

中国团队设计LiPON涂层提升锂硫电池使用寿命

12

《汽车工程师》 2019年第1期8-8,共1页

中国的一支研发团队通过对高能量密度锂硫电池的金属阳极进行调整,避免其生成固体电解质相界面膜(SEI)及锂枝晶的增生,该方式原理简单,可用于量产。该团队通过电子束反应蒸发氮等离子体辅助沉积,在锂金属阳极上涂覆了一层锂磷氧氮(LiPON... 中国的一支研发团队通过对高能量密度锂硫电池的金属阳极进行调整,避免其生成固体电解质相界面膜(SEI)及锂枝晶的增生,该方式原理简单,可用于量产。该团队通过电子束反应蒸发氮等离子体辅助沉积,在锂金属阳极上涂覆了一层锂磷氧氮(LiPON)涂层。锂磷氧氮涂层可被用作一款高离子导电、化学性能稳定、坚固耐用的防护涂层,可抑制与有机电解质发生具有腐蚀性的化学反应,还能促进锂的电镀/喷涂,从而提升均匀性锂金属电芯的充放电的稳定性,不会生成锂枝晶,在电流密度为3mA/m^2时,实现900多次的电池充放电。 展开更多

关键词 锂硫电池 防护涂层 LIPON 使用寿命 中国 固体电解质相界面膜 等离子体辅助沉积 电子束反应蒸发

在线阅读 下载PDF 职称材料