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等离子体硅沉积对XLPE/SIR界面放电的影响研究
1
作者 燕一博 夏国巍 +3 位作者 段祺君 骆立衡 尹国华 谢庆 《绝缘材料》 北大核心 2025年第4期82-89,共8页
电缆接头的交联聚乙烯(XLPE)与硅橡胶(SIR)界面发生放电是导致电缆故障的主要原因之一。为改善这一现象,本文对XLPE样片表面进行不同时间等离子体硅沉积处理,并对其进行微观形貌测试和界面放电实验。结果表明:等离子体硅沉积技术能有效... 电缆接头的交联聚乙烯(XLPE)与硅橡胶(SIR)界面发生放电是导致电缆故障的主要原因之一。为改善这一现象,本文对XLPE样片表面进行不同时间等离子体硅沉积处理,并对其进行微观形貌测试和界面放电实验。结果表明:等离子体硅沉积技术能有效提高XLPE/SIR界面的耐压性能。随着等离子体硅沉积处理时间的增加,XLPE样片表面粗糙度先减小后增大,其变化趋势与XLPE/SIR界面的起始放电电压、击穿电压和升压幅值的变化趋势相同,与表面电阻率的变化趋势相反。其中,处理时间为3 min的XLPE样片具有最小的表面粗糙度(R_(a)=41.8 nm)和最大的表面电阻率(857×10^(12)Ω)。在该处理时间下,XLPE/SIR界面的实际接触面积最大、界面的微孔隙数量最少、击穿电压提升幅度最大,其中击穿电压相对于未处理XLPE/SIR界面提升了66.7%。 展开更多
关键词 等离子体硅沉积 交联聚乙烯 硅橡胶 界面放电 表面粗糙度
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螺旋波等离子体功率沉积特性的数值模拟研究
2
作者 崔瑞林 《力学学报》 北大核心 2025年第7期1611-1617,共7页
螺旋波等离子体凭借其高电离率、高密度等优势,在半导体制造与电推进领域具有重要应用价值.针对现有研究难以解析实验中多波耦合模式下功率沉积机制这一科学难题,本研究基于HELIC数值模拟,系统探究Trivelpiece-Gould(TG)波与Helicon(H)... 螺旋波等离子体凭借其高电离率、高密度等优势,在半导体制造与电推进领域具有重要应用价值.针对现有研究难以解析实验中多波耦合模式下功率沉积机制这一科学难题,本研究基于HELIC数值模拟,系统探究Trivelpiece-Gould(TG)波与Helicon(H)波的本征模式竞争规律及其在低、高阶波耦合模式下的功率沉积特性.通过构建参数化径向密度剖面模型(梯度参数s=2.1~3.4,峰化参数t=1.8~2.5),并结合自洽求解Maxwell-Boltzmann耦合方程组的数值方法,实现了多波模式跳变过程的动态重构.结果表明:在低阶波模式(W1,n_(e)=2.0×10^(12) cm^(-3))下,TG波通过径向电场局域化机制贡献61.8%的边界电子加热效率,而H波中心区功率沉积占比仅38.2%;当激发高阶本征模(W2-W4,ne=4.0×10^(12)~1.1×10^(13) cm^(-3))时,TG波边缘阻尼效应导致其功率占比骤降至16.5%,此时H波通过轴向驻波共振实现中心区83.5%的功率沉积主导,并诱导等离子体密度分布从边缘峰化(s=2.1)向中心聚集(s=3.4)的模态转变.研究结果为精确调控螺旋波等离子体参数分布及模式选择提供了重要理论支撑,对优化半导体刻蚀均匀性和电推进器比冲性能具有直接指导意义. 展开更多
关键词 螺旋波等离子体 TG-H 波耦合 本征模式 功率沉积
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异丙醇增敏-电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)法测定土壤和沉积物中硒和碲
3
作者 魏欣 甘黎明 +4 位作者 冯小娟 孙莎 薛玉浩 雷田宇 王啸 《中国无机分析化学》 北大核心 2025年第6期874-882,共9页
硒和碲作为地壳中的稀散元素,相互伴生,准确对其测定对评估地质背景、指示矿床分布以及评估环境污染等具有重要意义。由于土壤和沉积物中硒和碲含量低,且硒和碲元素同位素分散、丰度比低,导致电感耦合等离子体质谱法测定硒和碲时灵敏度... 硒和碲作为地壳中的稀散元素,相互伴生,准确对其测定对评估地质背景、指示矿床分布以及评估环境污染等具有重要意义。由于土壤和沉积物中硒和碲含量低,且硒和碲元素同位素分散、丰度比低,导致电感耦合等离子体质谱法测定硒和碲时灵敏度低,无法满足土壤和沉积物痕量硒和碲的测试需求。基于异丙醇增敏技术,建立了电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)法同时测定土壤和沉积物中硒和碲的方法。对试样消解体系、增敏体系、测定条件等进行了优化,结果表明,HNO3-HF-HCl(5+5+1,V/V)的消解体系分解试样,以2%(V/V)异丙醇为增敏剂,78Se和128Te同位素灵敏度分别增敏2.5和2.0倍,检出限为0.003µg/g和0.009µg/g,测定范围为0.027~25.0µg/g和0.009~5.0µg/g。按照实验方法对土壤和沉积物国家标准物质(GBW07983、GBW07540、GBW07406、GBW07381、GBW07311)进行测定,硒和碲测定值均在其认定值及不确定范围内,相对误差RE≤3.6%,相对标准偏差(RSD,n=7)在0.70%~5.6%。方法实现了硒和碲的同时增敏,降低硒检出限2倍以上,操作简便,可推广应用于土壤和沉积物中硒和碲的测定。 展开更多
关键词 异丙醇 增敏 土壤 沉积物 电感耦合等离子体质谱 硒 碲要点
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微波消解-电感耦合等离子体发射光谱(ICP-OES)法测定海洋沉积物中16种金属元素优化研究
4
作者 王立明 于潇潇 +6 位作者 邱少男 史雪洁 王晓霞 赵玉庭 孙珊 秦华伟 金晓杰 《中国无机分析化学》 北大核心 2025年第6期791-799,共9页
对微波消解-电感耦合等离子体发射光谱法测定海洋沉积物中16种金属元素总量的测定方法进行了优化,从消解样品量、定容体积及标准曲线范围的选择、消解酸体系及用量的选择、最高消解温度及保持时间、赶酸温度和赶酸耗时等前处理过程与现... 对微波消解-电感耦合等离子体发射光谱法测定海洋沉积物中16种金属元素总量的测定方法进行了优化,从消解样品量、定容体积及标准曲线范围的选择、消解酸体系及用量的选择、最高消解温度及保持时间、赶酸温度和赶酸耗时等前处理过程与现行5个标准方法进行对比分析后确定最优条件,确定了测定波长、检出限及测定下限,进行了方法精密度及正确度实验,同时对海洋沉积物实际样品进行了测定。结果表明,当样品称取量为0.1 g、定容体积为25 mL时,Be、Co、Cu等8种低含量元素可直接上机测试,Ca、Fe、K等8种高含量元素只需稀释10倍便可直接上机测试,减少了操作步骤;微波消解采用硝酸-氢氟酸-高氯酸三酸体系,减少酸用量至10 mL,前处理耗时最多减少约7 h;16种金属元素检出限范围为0.01~47 mg/kg,对国家标准物质近海海洋沉积物(GBW07314)和海洋沉积物实际样品进行测定,测定结果准确可靠,方法精密度及正确度满足相关标准的要求。 展开更多
关键词 微波消解 电感耦合等离子体发射光谱法 海洋沉积物 金属元素
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微波等离子体化学气相沉积制备金刚石厚膜的研究及应用进展
5
作者 刘富成 马莞杰 +3 位作者 黄江涛 张宗雁 韩培刚 何斌 《金刚石与磨料磨具工程》 北大核心 2025年第3期285-299,F0003,共16页
近年来,随着化学气相沉积(CVD)制备金刚石技术的发展,关于金刚石的研究与应用受到越来越多的关注。目前,主要的CVD技术有微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)、热丝化学气相沉积、直流电弧等离子体喷射化学气相沉积和热阴极等离子体化学气... 近年来,随着化学气相沉积(CVD)制备金刚石技术的发展,关于金刚石的研究与应用受到越来越多的关注。目前,主要的CVD技术有微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)、热丝化学气相沉积、直流电弧等离子体喷射化学气相沉积和热阴极等离子体化学气相沉积等。MPCVD技术因其生长的金刚石品质高,被认为是制备大面积、高质量金刚石厚膜的最佳方法。首先介绍MPCVD的基本原理和设备,比较几种主要MPCVD技术的优缺点,并对国内外的研究进展进行总结,包括金刚石生长工艺的研究,特别是国内外单晶/多晶金刚石厚膜的制备研究,然后总结近年来金刚石厚膜在电子、光学、热沉等高新技术领域的应用,最后对金刚石厚膜的发展前景进行展望。 展开更多
关键词 金刚石厚膜 微波等离子体化学气相沉积(MPCVD) CVD设备
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工作气压对管内HiPIMS等离子体输运行为和Cr涂层性能的影响
6
作者 胡天时 田修波 +3 位作者 巩春志 王本福 祝天放 张辉 《中国表面工程》 北大核心 2025年第2期27-35,共9页
受限于等离子体输运等问题,在细长管内壁进行物理气相沉积涂层制备面临极大挑战。通过自主设计的高真空条件下高功率脉冲磁控溅射系统实现了低气压下稳定放电,并探究了工作气压对平面Cr靶放电等离子体输运特性和管内Cr膜沉积的影响规律... 受限于等离子体输运等问题,在细长管内壁进行物理气相沉积涂层制备面临极大挑战。通过自主设计的高真空条件下高功率脉冲磁控溅射系统实现了低气压下稳定放电,并探究了工作气压对平面Cr靶放电等离子体输运特性和管内Cr膜沉积的影响规律。对沉积膜层厚度、组织结构、纳米硬度及耐磨性进行了研究。放电结果显示在保持放电功率和脉冲电压不变,降低工作气压会削弱气体放电作用,促进等离子体向管尾的输运。膜层沉积结果表明,随工作气压从1.2 Pa降低到0.1 Pa,四组涂层的膜厚不均匀度系数从310%降低到205%,膜层均匀性明显提高;管内位置1处晶粒尺寸从35.77 nm降低到27.1 nm,表面粗糙度从3.58 nm降低到2.29 nm,纳米硬度从6.37 GPa提高到8.36 GPa。同时,0.1 Pa时磨痕宽度和摩擦系数均降低,表现出最优的耐磨性能。低气压HiPIMS技术在等离子体远距离输运中表现出显著优势,有望进一步扩展磁控溅射技术在管内壁涂层制备等领域的应用。 展开更多
关键词 工作气压 磁控溅射 等离子体输运 管内膜层沉积 Cr膜
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外界磁场和天线构型对射频等离子体微放电的影响研究
7
作者 张金恒 苌磊 +2 位作者 杨鑫 周海山 罗广南 《核聚变与等离子体物理》 北大核心 2025年第1期117-124,共8页
利用HELIC程序,研究了磁场和天线构型对射频微放电的影响。在天线方位角模数m=0和m=1两类典型模式下,外界磁场总是通过影响射频电场的分布影响天线的功率沉积分布,其中m=1的半螺旋(half helix)天线在达到临界磁场(10mT)后,轴向上的功率... 利用HELIC程序,研究了磁场和天线构型对射频微放电的影响。在天线方位角模数m=0和m=1两类典型模式下,外界磁场总是通过影响射频电场的分布影响天线的功率沉积分布,其中m=1的半螺旋(half helix)天线在达到临界磁场(10mT)后,轴向上的功率沉积分布由单峰转变为双峰分布,且峰值主要分布在天线的两侧;而m=0的环形(loop)天线在外界磁场达到临界值(1mT)后,主要呈现为一个单峰分布,且峰值位于天线正下方。而对并排的两个loop(loop^(++))天线,发现其不同轴向位置处的临界磁场值不同(z=0mm处为1mT,z=±60mm处为9mT),但是其功率沉积和电磁波受外界磁场的影响与m=0的loop天线类似。在无外磁场条件下,loop^(++)天线的功率沉积相较于其他两种天线的更大。 展开更多
关键词 临界磁场效应 射频等离子体 天线构型 功率沉积 电磁波传播
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等离子体浸没离子注入与沉积技术的发展及前沿问题 被引量：6
8
作者 王浪平 王小峰 汤宝寅 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期9-14,共6页
等离子体浸没离子注入与沉积技术可实现复杂形状零件表面垂直、均匀地离子注入与沉积处理,在材料表面改性领域具有广泛的应用前景。在技术发明后的20年间,该技术得到了快速的发展,但是也遇到了如何提高离子注入效率和注入均匀性、内表... 等离子体浸没离子注入与沉积技术可实现复杂形状零件表面垂直、均匀地离子注入与沉积处理,在材料表面改性领域具有广泛的应用前景。在技术发明后的20年间,该技术得到了快速的发展,但是也遇到了如何提高离子注入效率和注入均匀性、内表面注入、大面积注入等一系列问题。若上述问题得到解决,将极大的推进等离子体浸没离子注入与沉积技术的工业应用进程。 展开更多
关键词 等离子体浸没离子注入与沉积 表面改性 发展
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高功率脉冲磁控放电等离子体注入与沉积CrN薄膜研究 被引量：13
9
作者 吴忠振 田修波 +2 位作者 王泽明 巩春志 杨士勤 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期459-464,共6页
采用高功率脉冲磁控放电等离子体离子注入与沉积的方法在不锈钢基体上制备了高膜基结合力的CrN硬质薄膜,并研究了不同的Ar/N流量比对薄膜形貌、结构及性能的影响。采用扫描电子显微镜、X射线衍射对其表面形貌和结构进行分析,发现制备的... 采用高功率脉冲磁控放电等离子体离子注入与沉积的方法在不锈钢基体上制备了高膜基结合力的CrN硬质薄膜,并研究了不同的Ar/N流量比对薄膜形貌、结构及性能的影响。采用扫描电子显微镜、X射线衍射对其表面形貌和结构进行分析,发现制备的薄膜表面光滑、致密,相结构单一,主要是CrN（200）相。对薄膜的结合力、硬度、弹性模量、耐磨性和耐腐蚀性的测试分析表明：薄膜与基体之间有很好的结合力,临界载荷最高可达68 N,同时硬度、弹性模量、耐磨性及耐腐蚀性都有很大提高,其中硬度最高达到23.6 GPa,是基体硬度的4.7倍,摩擦系数为0.5左右,且磨痕较窄、较浅,腐蚀电位最高提高0.32 V,腐蚀电流下降12个数量级。 展开更多
关键词 高功率脉冲磁控放电 等离子体离子注入与沉积 氮化铬 微观结构 表面性能
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等离子体浸没离子注入与沉积合成碳化钛薄膜的摩擦磨损性能研究 被引量：1
10
作者 刘洪喜 汤宝寅 +4 位作者 王小峰 王浪平 于永泊告 王宇航 孙韬 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期493-497,共5页
将等离子体浸没离子注入与沉积及射频辉光放电技术相结合,在GCr15轴承钢基体表面制备了碳化钛薄膜,考察了注入脉冲宽度和工作气体压力对薄膜性能和化学组成的影响;利用X射线衍射仪(XRD)、维氏硬度计、多功能摩擦磨损试验机和电化学腐蚀... 将等离子体浸没离子注入与沉积及射频辉光放电技术相结合,在GCr15轴承钢基体表面制备了碳化钛薄膜,考察了注入脉冲宽度和工作气体压力对薄膜性能和化学组成的影响;利用X射线衍射仪(XRD)、维氏硬度计、多功能摩擦磨损试验机和电化学腐蚀试验装置表征了薄膜试样的相组成、显微硬度、摩擦磨损性能和抗腐蚀性能.结果表明,注入脉冲宽度和工作气体压力对薄膜性能及其组成具有显著影响;GCr15钢经改性处理后抗磨性能和抗腐蚀性能显著改善.这是由于基体表面形成了硬质且致密的TiC薄膜改性层所致. 展开更多
关键词 轴承钢 等离子体浸没离子注入与沉积 碳化钛薄膜 摩擦磨损性能
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金属等离子体浸没离子注入与沉积技术合成类金刚石薄膜研究 被引量：5
11
作者 刘洪喜 汤宝寅 +3 位作者 王浪平 王小峰 于永澔 孙韬 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期372-376,共5页
采用金属等离子体浸没离子注入与沉积技术在 9Cr18轴承钢基体表面合成了类金刚石薄膜。研究了注入脉宽和工作气压对合成薄膜性能及化学组成的影响 ;通过激光Raman光谱、维氏硬度、针盘试验和电化学腐蚀等测试手段分别表征了合成薄膜后... 采用金属等离子体浸没离子注入与沉积技术在 9Cr18轴承钢基体表面合成了类金刚石薄膜。研究了注入脉宽和工作气压对合成薄膜性能及化学组成的影响 ;通过激光Raman光谱、维氏硬度、针盘试验和电化学腐蚀等测试手段分别表征了合成薄膜后试样表面的化学组成和微观结构、显微硬度、摩擦磨损性能和抗腐蚀性能。结果表明 :合成薄膜后 ,试样的显微硬度增大了 88 7% ,摩擦磨损和抗腐蚀性能也明显改善。 展开更多
关键词 等离子体浸没离子注入 沉积技术 金属 显微硬度 维氏硬度 钢基体 表面 类金刚石薄膜 合成 RAMAN光谱
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等离子体浸没离子注入和沉积技术制备TiN薄膜研究 被引量：15
12
作者 冷永祥 孙鸿 +3 位作者 徐禄祥 裘叶军 陈俊英 黄楠 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2003年第4期295-298,225,共5页
利用多功能等离子体浸没离子注入设备 ,采用等离子体浸没离子注入和沉积技术在Ti合金表面制备具有优异力学性能的TiN薄膜。研究了真空室中氮气存在状态及氮气压力对薄膜性能的影响 :当氮以中性气体存在于真空室中 ,薄膜的生长主要受热... 利用多功能等离子体浸没离子注入设备 ,采用等离子体浸没离子注入和沉积技术在Ti合金表面制备具有优异力学性能的TiN薄膜。研究了真空室中氮气存在状态及氮气压力对薄膜性能的影响 :当氮以中性气体存在于真空室中 ,薄膜的生长主要受热力学因素控制 ,沿着低自由能的密排面 (低指数面 )TiN(1 1 1 )择优生长 ;当氮以等离子体状态存在于真空室中 ,薄膜沿着高指数面TiN(2 2 0 )择优生长 ,具有高硬度、耐磨性好的优点 ,并且随着N分压的提高 。 展开更多
关键词 氮化钛 等离子浸没离子注入和沉积硬度 耐磨性 成分 结构
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高压对高功率脉冲磁控放电等离子体注入与沉积氧化钒薄膜的影响
13
作者 李春伟 巩春志 +4 位作者 吴忠振 刘天伟 秦建伟 田修波 杨士勤 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第14期1922-1926,共5页
利用高功率脉冲磁控放电等离子体注入与沉积技术制备了氧化钒薄膜,分别采用X射线衍射仪、原子力显微镜、扫描电子显微镜和电化学分析仪研究了不同高压幅值对氧化钒薄膜的相结构、表面形貌、截面形貌以及耐腐蚀性能的影响。结果表明制备... 利用高功率脉冲磁控放电等离子体注入与沉积技术制备了氧化钒薄膜,分别采用X射线衍射仪、原子力显微镜、扫描电子显微镜和电化学分析仪研究了不同高压幅值对氧化钒薄膜的相结构、表面形貌、截面形貌以及耐腐蚀性能的影响。结果表明制备的氧化钒薄膜以VO2(-211)相为主,还含有少量的VO2(111)、VO(220)、VO(222)相。不同高压下氧化钒薄膜表面致密、平整,其表面粗糙度仅为几个纳米,显示出良好的表面质量。氧化钒薄膜表现出典型致密的柱状晶生长形貌,且随着高压增加,氧化钒薄膜膜层厚度有所下降。氧化钒薄膜耐腐蚀性能较纯铝基体有较大提高,腐蚀电位提高0.093V,腐蚀电流下降1～2个数量级;当高压为-15kV时,氧化钒薄膜腐蚀电位最高,腐蚀电流最低,表现出最佳的耐蚀性能。 展开更多
关键词 高功率脉冲磁控放电 等离子体离子注入与沉积 氧化钒薄膜 高压 耐腐蚀性
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电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)法同时测定水系沉积物中痕量铅和砷 被引量：2
14
作者 吴怡 虞锐鹏 +2 位作者 陈海兰 曹玉华 李明 《中国无机分析化学》 CAS 北大核心 2024年第11期1471-1477,共7页
为准确测定沉积物中痕量铅和砷的含量,比较不同消解方式与不同混合酸体系对沉积物中铅和砷元素的提取效果,并探讨内标法和标准加入法对质控结果的影响,采用电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)法测定,建立了电热板消解/ICP-MS标准加入法同时... 为准确测定沉积物中痕量铅和砷的含量,比较不同消解方式与不同混合酸体系对沉积物中铅和砷元素的提取效果,并探讨内标法和标准加入法对质控结果的影响,采用电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)法测定,建立了电热板消解/ICP-MS标准加入法同时测定水系沉积物中铅和砷元素含量的方法。通过分析经认证的标准参考样(GSD-9)来评价方法的准确度。结果显示:采用HCl-HNO_(3)-HF-HClO_(4)体系电热板消解,具有较高的消解回收率;标准加入法可有效清除基质干扰,提高准确度;方法线性关系良好;铅和砷元素的回收率在93.9%~104%,相对标准偏差为4.2%~5.0%(n=6),检出限分别为0.026 mg/kg和0.004 mg/kg。方法的准确度和精密度良好、灵敏度高。为环境中土壤及水系沉积物中痕量重金属元素含量的测定提供了参考分析方法。 展开更多
关键词 沉积物 电热板消解 电感耦合等离子体质谱 标准加入法 铅 砷
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等离子体增强原子层沉积AlN外延单晶GaN研究
15
作者 卢灏 许晟瑞 +9 位作者 黄永 陈兴 徐爽 刘旭 王心颢 高源 张雅超 段小玲 张进成 郝跃 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期547-553,共7页
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料,具有较大的禁带宽度,较高的击穿电场强度、电子迁移率、热导系数以及直接带隙等优异特性,被广泛应用于电子器件和光电子器件中。由于与衬底的失配问题,早期工艺制备GaN材料难以获得高质量单晶GaN薄膜... 氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料,具有较大的禁带宽度,较高的击穿电场强度、电子迁移率、热导系数以及直接带隙等优异特性,被广泛应用于电子器件和光电子器件中。由于与衬底的失配问题,早期工艺制备GaN材料难以获得高质量单晶GaN薄膜。直到采用两步生长法,即先在衬底上低温生长氮化铝(AlN)成核层,再高温生长GaN,才极大地提高了GaN材料的质量。目前用于制备AlN成核层的方法有磁控溅射以及分子束外延等,为了进一步提高GaN晶体质量,本研究提出在两英寸c面蓝宝石衬底上使用等离子体增强原子层沉积(Plasma-enhanced Atomic Layer Deposition,PEALD)方法制备AlN成核层来外延GaN。相比于磁控溅射方法,PEALD方法制备AlN的晶体质量更好;相比于分子束外延方法,PEALD方法的工艺简单、成本低且产量大。沉积AlN的表征结果表明,AlN沉积速率为0.1 nm/cycle,并且AlN薄膜具有随其厚度变化而变化的岛状形貌。外延GaN表征结果表明,当沉积厚度为20.8 nm的AlN时,GaN外延层的表面最平整,均方根粗糙度为0.272 nm,同时具有最好的光学特性以及最低的位错密度。本研究提出了在PEALD制备的AlN上外延单晶GaN的新方法,沉积20.8 nm的AlN有利于外延高质量的GaN薄膜,可以用于制备高电子迁移率晶体管及发光二极管。 展开更多
关键词 GAN ALN 等离子体增强原子层沉积 成核层 外延
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9Cr18轴承钢表面不同等离子体浸没离子注入强化处理技术研究 被引量：5
16
作者 刘洪喜 汤宝寅 +3 位作者 王小峰 王浪平 于永澔 孙韬 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期167-171,共5页
采用不同的等离子体浸没离子注入 (PIII)工艺在 9Cr18轴承钢表面进行了气体、金属、金属加气体的离子注入和碳化钛 (TiC)、类金刚石 (DLC)薄膜的等离子体浸没离子注入与沉积 (PIIID)。对处理后的试样进行了X射线光电子能谱 (XPS)、X射... 采用不同的等离子体浸没离子注入 (PIII)工艺在 9Cr18轴承钢表面进行了气体、金属、金属加气体的离子注入和碳化钛 (TiC)、类金刚石 (DLC)薄膜的等离子体浸没离子注入与沉积 (PIIID)。对处理后的试样进行了X射线光电子能谱 (XPS)、X射线衍射 (XRD)、俄歇电子能谱 (AES)和拉曼光谱 (Raman)分析 ;测试了处理前后试样的显微硬度、磨痕宽度和摩擦系数。结果表明 :处理后试样表面均形成了不同的改性层 ,且改性层中化学组成和各元素的浓度 深度分布随处理工艺的不同而变化 ;处理后试样的显微硬度都有较大提高 ,最大增幅达 77.7% ;表面摩擦系数由 0 .8下降到0 .16 ;磨痕宽度减少了 2 3倍 ;与PIII工艺相比 ,相同参数下 ,PIIID处理后的试样表面综合性能更加优异。 展开更多
关键词 等离子体浸没离子注入(PⅢ) 等离子体浸没离子注入与沉积(PⅢD) 9Cr18轴承钢 摩擦磨损性能
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等离子体浸没离子注入与沉积技术在刀具上的应用研究
17
作者 张志伟 高平 +1 位作者 王力杰 黄瑞芬 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 2010年第5期81-84,共4页
采用等离子体浸没离子注入与沉积技术(PIIID)在GB/T 1438高速钢表面制备了薄膜,采用显微硬度计和扫描电镜进行性能测试,并对其进行寿命试验。结果表明:显微硬度达到2 000HV以上,使用寿命比未处理的钻头延长了近5倍。
关键词 表面改性 等离子体浸没离子注入与沉积 扫描电镜分析 显微硬度 寿命试验
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等离子体增强原子层沉积二氧化硅对多晶硅的损伤机理及防范工艺研究
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作者 何亚东 袁刚 +3 位作者 李拓 周毅 程晓敏 霍宗亮 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期552-558,共7页
文章通过电子束检测(EBI)手段研究了等离子体增强原子层沉积(PEALD) SiO_(2)过程中硅烷基酰胺类前驱体副产物对多晶硅产生不可逆损伤的机理。提出用单胺基硅烷基酰胺替代多胺基硅烷基酰胺作为前驱体,来减轻对多晶硅材料的损伤。在不损... 文章通过电子束检测(EBI)手段研究了等离子体增强原子层沉积(PEALD) SiO_(2)过程中硅烷基酰胺类前驱体副产物对多晶硅产生不可逆损伤的机理。提出用单胺基硅烷基酰胺替代多胺基硅烷基酰胺作为前驱体,来减轻对多晶硅材料的损伤。在不损伤多晶硅前提下,进一步研究化学位阻较小的单胺基前驱体二异丙胺硅烷(DIPAS)对反应速率的影响。 展开更多
关键词 等离子体增强原子层沉积 硅烷基酰胺 氧化硅 二异丙胺硅烷(DIPAS)
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等离子体浸没离子注入及表面强化工艺的进展 被引量：7
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作者 汤宝寅 王松雁 +5 位作者 刘爱国 曾照明 田修波 王小峰 王浪平 PaulKChu 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 1999年第S1期181-185,192,共6页
等离子体浸没离子注入 (PIII)消除了传统束线离子注入 (IBII)固有的视线限制 ,是一种更适合于处理复杂形状工件的手段 .近十年来 ,PIII及其工业应用在国内外得到了迅速发展 .然而 ,随着PIII的研究与开发的深入 ,发现仍有若干重要的物理... 等离子体浸没离子注入 (PIII)消除了传统束线离子注入 (IBII)固有的视线限制 ,是一种更适合于处理复杂形状工件的手段 .近十年来 ,PIII及其工业应用在国内外得到了迅速发展 .然而 ,随着PIII的研究与开发的深入 ,发现仍有若干重要的物理与技术问题 ,诸如浅的注入层、离子注入不均匀性、气体 (氮 )等离子体的有限应用范围等等 ,阻碍了PIII工业应用的发展 .目前 ,这些问题已成为国内外学者关注的焦点 .我实验室近年来在注入过程鞘层动力学的计算机理论模拟、离子注入剂量不均匀性改善、圆筒内表面注入研究、新型长射程阴极弧金属等离子体源研制、气体及金属等离子体的综合性表面改性工艺研究、以及低能高温PIII新工艺研究等方面进行了研究工作 . 展开更多
关键词 离子注入 等离子体浸没离子注入 表面改性
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铝合金等离子体淹没氮离子注入层的摩擦学性能研究 被引量：8
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作者 战再吉 马欣新 +2 位作者 冯莉丽 孙跃 夏立芳 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期300-305,共6页
用等离子体淹没离子注入技术对ＬＹ１２和ＬＤ１０铝合金表面进行氮离子注入．用俄歇电子能谱分析了离子注入层中氮的浓度分布，在此基础上进行了摩擦磨损试验．用扫描电镜观察和分析磨损表面特征．研究表明：氮离子注入铝合金形成细小... 用等离子体淹没离子注入技术对ＬＹ１２和ＬＤ１０铝合金表面进行氮离子注入．用俄歇电子能谱分析了离子注入层中氮的浓度分布，在此基础上进行了摩擦磨损试验．用扫描电镜观察和分析磨损表面特征．研究表明：氮离子注入铝合金形成细小、弥散的硬质ＡｌＮ析出相，铝合金表层的显微硬度增加，摩擦系数降低；耐磨性随着注入剂量和电压的增加而提高．磨损机制主要为粘着磨损，随离子注入剂量的增加，粘着磨损趋于减轻． 展开更多
关键词 等离子体淹没 离子注入 铝合金 摩擦 磨损
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