等离子体与氧杂碳化硅低介电常数隔离膜的相互作用

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作者 陈维 韩清源 +3 位作者 Robert Most Carlo Waldfried Orlando Escorcia Ivan L.Berry 《电子工业专用设备》 2003年第4期75-78,共4页

为了进一步降低高级器件堆叠中铜连接线的电容延迟性,我们开发了一种先进的氧杂碳化硅隔离膜(O-SiC),其介电常数为3.5,能非常有效地阻止铜的扩散。如所期望的那样,O-SiC膜可用作蚀刻和CMP的终止盖层,即需要在集成过程中防止各种等离子... 为了进一步降低高级器件堆叠中铜连接线的电容延迟性,我们开发了一种先进的氧杂碳化硅隔离膜(O-SiC),其介电常数为3.5,能非常有效地阻止铜的扩散。如所期望的那样,O-SiC膜可用作蚀刻和CMP的终止盖层,即需要在集成过程中防止各种等离子化学的辐射。我们检测了等离子灰化化学:O2?H2?N2,H2?N2和H2?He等离子体与O-SiC膜的相互作用,测定了膜受到的等离子损伤并检测了化学结构的变化。此外,在薄膜受到这些等离子体的辐射之后,测定了其电学性质,如泄漏电流、介电常数和介质击穿电压。结果显示,H2?He等离子灰化化学可以有效应用于O-SiC薄膜,而不会造成薄膜的关键特性退化。 展开更多

关键词 氧杂碳化硅 等离子体灰化低介电材料 等离子体引起的低介电薄膜损伤

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超低介电常数的多孔F-pSiCOH薄膜制备及其紫外固化处理

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作者 陈云 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2024年第S01期128-131,142,共5页

面向高性能集成电路可靠性设计要求之下,开展以硅集成电路(IC)三维集成器件超低介电常数的介电薄膜研究。采用化学气相沉积法制备了一种超低介电常数(k)值的多孔F-pSiCOH薄膜。利用傅里叶变换红外光谱测定了多孔F-pSiCOH薄膜的化学结构... 面向高性能集成电路可靠性设计要求之下,开展以硅集成电路(IC)三维集成器件超低介电常数的介电薄膜研究。采用化学气相沉积法制备了一种超低介电常数(k)值的多孔F-pSiCOH薄膜。利用傅里叶变换红外光谱测定了多孔F-pSiCOH薄膜的化学结构和化学键,并探究了紫外线辐射对多孔F-pSiCOH薄膜机械性能的影响。结果表明:纳米孔和氟原子的引入能有效地降低介电常数,使多孔F-SiCOH薄膜的k值为2.15。紫外固化处理增强了多孔F-pSiCOH薄膜的弹性模量,使多孔F-pSiCOH薄膜的弹性模量从4.84GPa增大到5.76GPa,力学性能得到优化。 展开更多

关键词 硅集成电路 低介电常数介电材料 多孔SiCOH薄膜 紫外固化

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新型低介电常数材料研究进展 被引量：22

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作者 黄娆 刘之景 《微纳电子技术》 CAS 2003年第9期11-14,18,共5页

在超大规模集成电路中,随着器件集成度的提高和延迟时间的进一步减小,需要应用新型低介电常数(k<3)材料。本文介绍了当前正在研究和开发的几种低介电材料,其中包括聚合物、掺氟、多孔和纳米介电材料。

关键词 低介电常数材料 超大规模集成电路 聚合物材料 掺氟材料 多孔材料 纳米介电材料

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耐高温低介电氰酸酯树脂及其复合材料的制备和性能研究 被引量：3

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作者 潘翠红 王新庆 +2 位作者 梁恒亮 阳晓辉 孙占红 《航空制造技术》 北大核心 2014年第15期65-67,共3页

以自制新型酚醛型氰酸酯为主要原料制备BA9915树脂体系,对BA9915的介电性能、耐热性能、粘温特性进行了研究。结果表明,BA9915树脂具有良好的工艺性能,适用于热熔法制备预浸料,介电性能和耐热性能优异,浇铸体介电常数为2.8,Tg为245℃。... 以自制新型酚醛型氰酸酯为主要原料制备BA9915树脂体系,对BA9915的介电性能、耐热性能、粘温特性进行了研究。结果表明,BA9915树脂具有良好的工艺性能,适用于热熔法制备预浸料,介电性能和耐热性能优异,浇铸体介电常数为2.8,Tg为245℃。石英/BA9915复合材料介电性能优良,在不同频率下稳定性好,适合宽频应用,力学性能优良。 展开更多

关键词 氰酸酯 低介电 复合材料

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上海有机所在含氟高频低介电材料的研究方面取得进展 被引量：1

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作者 新型 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期275-275,共1页

随着4G通信技术的普及以及5G通信技术的不断发展，更高频的通信技术（6G，7G…10G）将是未来的发展趋势，相应高频低介电材料的需求也日益增长。高频低介电材料需要满足在高频条件下保持低的介电常数及介电损耗，除此之外，材料本身还... 随着4G通信技术的普及以及5G通信技术的不断发展，更高频的通信技术（6G，7G…10G）将是未来的发展趋势，相应高频低介电材料的需求也日益增长。高频低介电材料需要满足在高频条件下保持低的介电常数及介电损耗，除此之外，材料本身还应满足低吸水率、高耐热性、力学性能以及加工性优异等应用条件。含氟聚合物在高频条件下具有良好的低介电性能，如聚四氟乙烯（PTFE），但由于其分子惰性的原因，导致其加工性能较差，需要通过在其表面进行刻蚀处理增加与铜箔的粘结性，才能进行下一步应用。因此，发展易加工、高性能的含氟低介电材料具有重要的意义。 展开更多

关键词 低介电材料 含氟聚合物 高频条件 上海 通信技术 力学性能 加工性能 聚四氟乙烯

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名词释义——低k介电材料

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《微纳电子技术》 CAS 2005年第8期383-383,共1页

通常把介质常数k〈3的材料称为低后材料。

关键词 绝缘材料 绝缘介质 低k介电材料 稳定性

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ECT技术对成像的影响——用低介电参数物质标定 被引量：3

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作者 阎润生 刘石 +1 位作者 王海刚 马贵阳 《石油化工高等学校学报》 CAS 2004年第1期52-54,共3页

　电容层析成像技术是20世纪80年代发展起来的一种多相流参数检测技术。它是利用多相介质具有不同的介电常数,通过电容传感器测量获得介电常数分布而获得介质分布的图像。可以用来测量多相流尤其是气固两相流的流动分布,该方法具有快速... 　电容层析成像技术是20世纪80年代发展起来的一种多相流参数检测技术。它是利用多相介质具有不同的介电常数,通过电容传感器测量获得介电常数分布而获得介质分布的图像。可以用来测量多相流尤其是气固两相流的流动分布,该方法具有快速,不干扰流场、结构简单、无辐射、成本低的特点。但该方法对于测量低介电参数材料固体流动或稀相流动比较困难。提出使用更低介电参数的物质进行标定,可以提高ECT的成像效果。应用Ansoft仿真软件计算了方形管道内存在圆棒时的成像效果,比较了用高低不同介电参数物质进行标定的成像效果,通过方形传感器验证了该结论的正确性。 展开更多

关键词 电容层析成像 低介电参数材料 成像质量 电容传感器 介质分布

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低介电聚倍半硅氧烷/聚酰亚胺共聚膜的制备与性能表征 被引量：3

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作者 吕修为 俞娟 +1 位作者 王晓东 黄培 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2023年第5期92-96,101,共6页

通过水解缩合法制备末端为氨基的多面体低聚倍半硅氧烷(NH_(2)-POSS),并以此多面体低聚倍半硅氧烷(NH_(2)-POSS)作为聚酰亚胺的“二胺”,混合4,4′-二氨基二苯醚(ODA),均苯四甲酸二酐(PMDA)为二酐,以原位聚合法制备二元共聚聚酰胺酸溶液... 通过水解缩合法制备末端为氨基的多面体低聚倍半硅氧烷(NH_(2)-POSS),并以此多面体低聚倍半硅氧烷(NH_(2)-POSS)作为聚酰亚胺的“二胺”,混合4,4′-二氨基二苯醚(ODA),均苯四甲酸二酐(PMDA)为二酐,以原位聚合法制备二元共聚聚酰胺酸溶液(PAA)。以二分法确定了NH_(2)-POSS在共聚PAA溶液中提供的氨基比例,通过热亚胺化制备成膜。探究了不同比例下NH_(2)-POSS对共聚膜的性能影响,通过红外光谱、热重分析仪、万能试验机和宽频介电阻抗谱仪对共聚膜进行性能表征。结果表明:共聚膜具有媲美纯聚酰亚胺膜的热稳定性(545℃,5%)和力学性能(拉伸强度90~122MPa),并且具有更低的介电常数(25%POSS-PI膜,106Hz介电常数2.8)。 展开更多

关键词 低介电材料 聚倍半硅氧烷 聚酰亚胺 共聚

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交流电致发光显示器用的黑色Pr-Mn氧化物介电材料

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作者 张英琴 《液晶与显示》 CAS CSCD 1989年第3期27-29,共3页

新近研制出一种Pr-Mn氧化物黑色介电材料,可用在高对比度和低驱动电压的电致发光显示屏上。Pr-Mn氧化膜的化学相为PrMnO_3。Pr-Mn氧化物薄膜的500nm波长时的光吸收系数大于10~5cm^(-1),电阻大于18~8Ωcm, 10kHz时的介电常数约为200-300。

关键词 电致发光显示器 Pr-Mn 电致发光显示屏 介电材料 氧化物薄膜 低驱动电压 氧化物膜 氧化物材料 介质膜 光吸收系数

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罗门哈斯实现65nm节点下低介电质铜晶圆的制造

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《中国集成电路》 2005年第8期5-5,共1页

罗门哈斯电子材料公司CMP技术事业部近日推出了一种新型铜阻挡层化学机械研磨液，专门设计用来帮助用户处理90nm和65nm技术节点下低介电质（Low K）整合方案中的化学机械平坦化问题。新型LK393c4铜阻挡层化学机械研磨液是在晶圆制造厂... 罗门哈斯电子材料公司CMP技术事业部近日推出了一种新型铜阻挡层化学机械研磨液，专门设计用来帮助用户处理90nm和65nm技术节点下低介电质（Low K）整合方案中的化学机械平坦化问题。新型LK393c4铜阻挡层化学机械研磨液是在晶圆制造厂商的密切配合下开发而成的，与现有的其它化学机械研磨液配方相比，其选择比和研磨速率可帮助用户把芯片产量提升同时降低拥有成本25％到30％。 展开更多

关键词 低介电质铜晶圆 制造工艺 集成电路 罗门哈斯电子材料公司

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45nm时代的铜互连：渐进式的改变

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《电子工业专用设备》 2008年第6期60-60,共1页

“尽管45nm及以下技术节点的铜互连技术已经相对成熟，但是仍需要继续研发新的材料和新的工艺以满足器件方面更高的需要。”来自Novellus的Dr．Bob Havemann在5月28日举办的第五届铜互连及相关技术国际研讨会上讲到，“超低k值的介电材... “尽管45nm及以下技术节点的铜互连技术已经相对成熟，但是仍需要继续研发新的材料和新的工艺以满足器件方面更高的需要。”来自Novellus的Dr．Bob Havemann在5月28日举办的第五届铜互连及相关技术国际研讨会上讲到，“超低k值的介电材料、更薄的低电阻率的阻挡层，以及低缺陷率的CMP研磨剂都是未来几年内铜互连最有希望的改变点，尽管这种改变可能只是微小的、渐进式的改变。” 展开更多

关键词 铜互连技术 渐进式 介电材料 国际研讨会 技术节点 低电阻率 BOB 阻挡层

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