等离子体淀积氢化纳米锗的阳极氢覆盖率的影响(英文)

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作者 皮尔 徐骏 +3 位作者 李伟 陈坤基 王广厚 冯端 《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 2000年第1期123-124,共2页

关键词 纳米锗 覆盖率 等离子体淀积 氢化纳米锗 阳极

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采用磁桶和同心等离子体源及材料源的等离子体淀积方法及设备

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《表面技术》 EI CAS CSCD 2006年第6期50-50,共1页

将导电金属涂敷材料从磁控溅射靶上溅射出来，利用带有射频能量的高密度等离子体使溅射出的导电金属涂敷材料在真空处理空间内离子化，射频耦合能量来自线圈，线圈位于真空室外面、绝缘窗后面，真空室壁面上的绝缘窗位于溅射靶的开口的... 将导电金属涂敷材料从磁控溅射靶上溅射出来，利用带有射频能量的高密度等离子体使溅射出的导电金属涂敷材料在真空处理空间内离子化，射频耦合能量来自线圈，线圈位于真空室外面、绝缘窗后面，真空室壁面上的绝缘窗位于溅射靶的开口的中央位置。真空室的压强为10—100毫乇。磁桶由永磁铁所组成的磁铁阵列形成，在真空室壁面后面，产生一个多磁力线交点的磁场，推斥来自等离子体、朝着真空室壁面方向运动的带电粒子，从而，增强了对等离子体的约束，提高了等离子体密度、等离子体的均匀性及涂敷材料的离子化比例。 展开更多

关键词 等离子体淀积 等离子体源 磁控溅射靶 高密度等离子体 设备 料源 涂敷材料 等离子体密度

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等离子体化学气相淀积TiO_2薄膜材料 被引量：5

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作者 沈瑜生 张俊颖 相承宗 《传感技术学报》 CAS CSCD 1989年第1期1-6,共6页

本文报导了以钛酸丁酯((C_4H_9O)_4Ti)为反应源物质,采用等离子体化学气相淀积(P-CVD)技术,在不同衬底上淀积出性能良好的TiO_2薄膜材料,并对其结构和气敏特性进行了初步研究。

关键词 薄膜 TiO₂ 等离子体化学气相淀积 气敏元件

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等离子体增强化学气相淀积a-SiCOF薄膜的稳定性研究

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作者 丁士进 张庆全 +2 位作者 王鹏飞 张卫 王季陶 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2001年第11期52-55,共4页

以正硅酸乙酯 (TEOS) /C4 F8/Ar为气源 ,采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备了低介电常数a SiCOF介质薄膜 ,并借助X射线光电子能谱 (XPS)和傅立叶变换红外光谱 (FTIR)对薄膜的化学键结构、热稳定性和抗吸水性进行了研究。

关键词 等离子体增强化学气相淀积 a-SiCOF薄膜 稳定性 XPS FTIR 红外光谱 掺碳 掺氟 氧化硅薄膜

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电感耦合等离子体CVD制备Si薄膜的研究

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作者 杨定宇 蒋孟衡 贺德衍 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第9期776-780,共5页

电感耦合等离子体(ICP)是一种极具发展前景的低温高密度等离子体源,已经在大规模集成电路的深亚微米刻蚀和大面积均匀薄膜的淀积中得到广泛应用。采用自主设计的ICP-CVD设备,在不同的衬底条件和SiH4浓度下制备了一系列的Si薄膜样品。采... 电感耦合等离子体(ICP)是一种极具发展前景的低温高密度等离子体源,已经在大规模集成电路的深亚微米刻蚀和大面积均匀薄膜的淀积中得到广泛应用。采用自主设计的ICP-CVD设备,在不同的衬底条件和SiH4浓度下制备了一系列的Si薄膜样品。采用多种结构分析手段对样品进行了测试,发现薄膜是非晶相、结晶相和孔隙的混合物,在较低的放电功率下即出现了相当比例的结晶相,对样品电导率和光学带隙的测试也进一步验证了这一结果。 展开更多

关键词 电感耦合等离子体化学气相淀积 SI薄膜 SiH4浓度 结晶相

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PECVD法淀积氟碳掺杂的氧化硅薄膜表征 被引量：2

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作者 丁士进 张庆全 +1 位作者 张卫 王季陶 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期1169-1173,共5页

以正硅酸乙酯（ＴＥＯＳ）和八氟环丁烷（Ｃ４Ｆ８）为原料，采用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法制备了氟碳掺杂的氧化硅薄膜（ＳｉＣＯＦ）．样品的Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）和傅立叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）分析表明... 以正硅酸乙酯（ＴＥＯＳ）和八氟环丁烷（Ｃ４Ｆ８）为原料，采用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法制备了氟碳掺杂的氧化硅薄膜（ＳｉＣＯＦ）．样品的Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）和傅立叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）分析表明薄膜中含有Ｓｉ－Ｆ、Ｓｉ－Ｏ、Ｃ－Ｆ、Ｃ－ＣＦｘ、ＣＦ2等构型．刚淀积的薄膜的折射率约为１．４０．对暴露在空气中以及在不同温度下退火后薄膜的折射率做了测量，并对其变化机理进行了讨论，同时表明了理想的淀积温度应是３００℃． 展开更多

关键词 等离子体增强化学气相淀积 氟 碳 掺杂 氧化硅薄膜 X射线光电子能谱 FTIR 折射率

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低介电常数非晶氟碳薄膜光谱表征 被引量：5

7

作者 丁士进 王鹏飞 +2 位作者 张卫 王季陶 李伟 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期745-748,共4页

以C4 F8 和CH4 为原料气 ,通过等离子体增强化学气相淀积的方法制备了非晶氟碳薄膜 ,在实验条件下所得薄膜的介电常数为 2 3。薄膜的傅里叶变换红外光谱表明该薄膜中除了含有CFn(n=1～ 3)基团外 ,还含有少量的 CO ,CC 等不饱和双键 ,... 以C4 F8 和CH4 为原料气 ,通过等离子体增强化学气相淀积的方法制备了非晶氟碳薄膜 ,在实验条件下所得薄膜的介电常数为 2 3。薄膜的傅里叶变换红外光谱表明该薄膜中除了含有CFn(n=1～ 3)基团外 ,还含有少量的 CO ,CC 等不饱和双键 ,没有迹象表明C—H和O—H的存在。X射线光电子能谱进一步证明了薄膜中的碳元素有六种不同的化学状态分别为CF3 (8% )、CF2 (19% ) ,CF(2 6 7% )、C—CFn(4 2 5 % ) ,C—C(3 3% )和CO (0 5 % ) ,表明薄膜中大约 5 4%的碳原子与氟成键 ,大约 43%的碳原子不是与氟成键 ,而是与碳氟基团CFn 中的碳原子成键 ,毗连的两个碳原子上均没有氟参与成键的几率很小。 展开更多

关键词 等离子体增强化学气相淀积 非晶氟碳薄膜 傅里叶变换红外光谱 X射线光电子能谱 表征

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PECVD SiC薄膜的应力控制及抗腐蚀特性研究 被引量：2

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作者 郭辉 王煜 +3 位作者 张海霞 田大宇 张国炳 李志宏 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期346-348,共3页

运用低温的PECVD方法进行了SiC薄膜的制备,通过改究工艺参数对SiC薄膜应力的影响,制备出低应力的SiC薄膜.研究了退火工艺、离子注入工艺对薄膜应力的影响,使得薄膜应力可控制,将无定形态的SiC变成微晶态SiC;解决了厚膜在高温退火下破裂... 运用低温的PECVD方法进行了SiC薄膜的制备,通过改究工艺参数对SiC薄膜应力的影响,制备出低应力的SiC薄膜.研究了退火工艺、离子注入工艺对薄膜应力的影响,使得薄膜应力可控制,将无定形态的SiC变成微晶态SiC;解决了厚膜在高温退火下破裂的问题,将SiC薄膜的电阻率降低到10Ω·cm的量级.对SiC的抗腐蚀特性进行了研究,对比了多种湿法、干法对SiC的腐/刻蚀速率.成功地将制备的低应力SiC薄膜用于MEMS器件的抗腐蚀保护. 展开更多

关键词 微机电系统 碳化硅 等离子体增强化学气相淀积 薄膜 应力 离子注入 抗腐蚀

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PECVD氮化硅薄膜制备工艺研究 被引量：3

9

作者 李伟东 吴学忠 李圣怡 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期396-398,共3页

通过原子力显微镜和台阶仪观察测试PECVD氮化硅薄膜的表面形貌及其在HF缓冲液中的被腐蚀速率,研究了用SiH4和NH3作反应气体时,影响PECVD氮化硅薄膜均匀性、致密性、淀积速率、被腐蚀速率的几个关键因素,并对一些常用的工艺参数进行了总结.

关键词 氮化硅 薄膜 等离子体增强化学气相淀积(PECVD) 原子力显微镜(AFM) 台阶仪

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ICP-CVD制备高质量疏水性碳氟聚合物薄膜的研究 被引量：1

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作者 岳瑞峰 曾雪锋 +2 位作者 吴建刚 康明 刘理天 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期168-171,共4页

在室温下以c-C4F8为反应气体,采用电感耦合等离子体化学气相淀积(ICP-CVD)法制备出碳氟聚合物薄膜,研究了工艺条件与薄膜的光、电性能和结构与疏水性的相关性。结果表明,薄膜结构均匀致密,主要由C-CFX、CF、CF2和CF3组成;当射频功率为40... 在室温下以c-C4F8为反应气体,采用电感耦合等离子体化学气相淀积(ICP-CVD)法制备出碳氟聚合物薄膜,研究了工艺条件与薄膜的光、电性能和结构与疏水性的相关性。结果表明,薄膜结构均匀致密,主要由C-CFX、CF、CF2和CF3组成;当射频功率为400 W,c-C4F8的流量为40 sccm时,制备出的薄膜和去离子水之间的接触角高达112°。 展开更多

关键词 碳氟聚合物薄膜 疏水性 感应耦合等离子体化学气相淀积 化学键结构

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集成电路钝化层薄膜的纳米力学性质研究 被引量：2

11

作者 吴子景 吴晓京 +1 位作者 SHEN Wei-dian 蒋宾 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期1345-1349,共5页

利用等离子体增强化学气相淀积工艺在p型单晶硅(111)衬底上制备了厚度为70、150、450nm的SiO2薄膜和100、1702、20 nm的Si3N4薄膜,并使用纳米压入仪对薄膜进行了纳米力学测试与分析.薄膜在不同载荷下的硬度和弹性模量计算采用Oliver-Ph... 利用等离子体增强化学气相淀积工艺在p型单晶硅(111)衬底上制备了厚度为70、150、450nm的SiO2薄膜和100、1702、20 nm的Si3N4薄膜,并使用纳米压入仪对薄膜进行了纳米力学测试与分析.薄膜在不同载荷下的硬度和弹性模量计算采用Oliver-Pharr方法.在测量两种薄膜的硬度时没有发现压痕尺寸效应.SiO2薄膜的弹性模量与压入深度的依赖关系不明显,但与薄膜厚度的依赖关系较明显,薄膜厚度的增加将导致弹性模量显著减小,而Si3N4的弹性模量与薄膜厚度的依赖关系不明显,但与压入深度的依赖关系较明显,会随着压入深度的增加而逐渐增加到某一定值. 展开更多

关键词 薄膜 等离子体增强化学气相淀积 二氧化硅 氮化硅 纳米硬度 弹性模量

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富氮SiO_xN_y膜的电子注入特性 被引量：1

12

作者 陈蒲生 张昊 +3 位作者 冯文修 田小峰 刘小阳 曾绍鸿 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期31-34,共4页

通过施加直流电压于P型SiOxNy 薄膜 ,使热电子注入到薄膜而引起薄膜电学参数的改变 .测试了薄膜在电子注入前后电学参数的变化 ,以研究薄膜的电子注入特性 ,探求薄膜的抗电子注入能力与制备工艺之间的关系 .结合俄歇电子能谱和红外光谱... 通过施加直流电压于P型SiOxNy 薄膜 ,使热电子注入到薄膜而引起薄膜电学参数的改变 .测试了薄膜在电子注入前后电学参数的变化 ,以研究薄膜的电子注入特性 ,探求薄膜的抗电子注入能力与制备工艺之间的关系 .结合俄歇电子能谱和红外光谱分析膜的微观结构 ,对薄膜的电子注入特性进行了理论分析与讨论 . 展开更多

关键词 等离子体增强化学气相淀积 俄歇电子能谱 红外光谱 电学参数 富氮SIOXNY膜 抗电子注入能力

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纳米硅薄膜的特点及其制备技术 被引量：2

13

作者 林鸿溢 武旭辉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第5期54-56,共3页

作为一项新的半导体薄膜技术，阐明了纳米硅薄膜的若干重要特点；着重讨论了利用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术制备纳米硅薄膜的试验参数选择。

关键词 半导体薄膜 纳米硅薄膜 等离子体增强化学气相淀积

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RF-PECVD掺溴非晶碳氢膜的Raman光谱分析

14

作者 冯建鸿 卢铁城 +1 位作者 吴卫东 贾鹏 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第12期3309-3311,共3页

在室温条件下,以溴乙烷为单体、氢气为载气,用13.56MHz射频等离子体化学气相淀积方法(RF-PECVD)在硅片衬底上生长了掺溴非晶碳氢薄膜(a-C∶Br∶H)。通过对其进行Raman光谱分析,研究了工作气压对薄膜结构的影响。结果显示:随着气体工作... 在室温条件下,以溴乙烷为单体、氢气为载气,用13.56MHz射频等离子体化学气相淀积方法(RF-PECVD)在硅片衬底上生长了掺溴非晶碳氢薄膜(a-C∶Br∶H)。通过对其进行Raman光谱分析,研究了工作气压对薄膜结构的影响。结果显示:随着气体工作压力从20Pa下降至5Pa,样品D峰强度增强,ID/IG值逐步由1.18增加至1.36,G峰的位置向高频轻微移动;与此同时,薄膜生长方式逐步转为低能态形式生长,薄膜中sp2C逐步由链式结构向环式结构转化。 展开更多

关键词 拉曼光谱 射频等离子体化学气相淀积方法 掺溴非晶碳氢薄膜 SP2

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低应力PECVD SiC晶圆级薄膜封装新技术

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作者 王鹏程 成立 +2 位作者 吴衍 杨宁 王改 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期150-153,165,共5页

为了解决MEMS封装过程中易对微致动件造成损伤的问题,提出了一种低成本、与CMOS工艺兼容的晶圆级薄膜封装技术,用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法制备的低应力SiC作为封装和密封材料。此材料的杨氏模量为460 GPa,残余应力为65 MPa,可... 为了解决MEMS封装过程中易对微致动件造成损伤的问题,提出了一种低成本、与CMOS工艺兼容的晶圆级薄膜封装技术,用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法制备的低应力SiC作为封装和密封材料。此材料的杨氏模量为460 GPa,残余应力为65 MPa,可使MEMS器件悬浮时封装部位不变形。与GaAs,Si半导体材料相比,SiC具有较佳的物理稳定性,较高的杨氏模量等性能优势。将PECVD薄膜封装技术用于表面微结构和绝缘膜上Si(SOI)微结构部件(如射频开关、微加速度计等)封装中,不仅减小了封装尺寸,降低了芯片厚度,简化了封装工艺,而且封装芯片还与CMOS工艺兼容。较之晶圆键合封装方式,此晶圆级薄膜封装成本可降低5%左右。 展开更多

关键词 残余应力 等离子体增强化学气相淀积 晶圆级薄膜封装技术 绝缘膜上硅 微电子机械系统

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ICPECVD法制备氧化硅薄膜的工艺研究

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作者 刘雨涛 梁庭 +3 位作者 王心心 王涛龙 张瑞 熊继军 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2016年第4期13-14,39,共3页

以SH_4和O_2作为反应气体,利用电感耦合等离子体增强型化学气相淀积(ICPECVD)技术制备了氧化硅薄膜,通过正交试验设计的方法研究了反应室压强、衬底温度和射频功率3个关键工艺参数对氧化硅薄膜淀积速率的影响及其显著性。实验结果表明:... 以SH_4和O_2作为反应气体,利用电感耦合等离子体增强型化学气相淀积(ICPECVD)技术制备了氧化硅薄膜,通过正交试验设计的方法研究了反应室压强、衬底温度和射频功率3个关键工艺参数对氧化硅薄膜淀积速率的影响及其显著性。实验结果表明:反应室压强和射频功率对淀积速率的影响具有高度显著性,各参数对刻蚀速率的影响程度依次为反应室压强>射频功率>衬底温度,并讨论了所选参数对淀积速率的影响机理。 展开更多

关键词 等离子体增强型化学气相淀积 氧化硅薄膜 正交试验 淀积速率

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掺杂对氟化非晶碳膜场发射性能的影响

17

作者 刘雄飞 李伯勋 徐根 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期228-231,共4页

利用射频等离子体增强型化学气相沉积设备(RF-PECVD)在单晶硅基底上沉积含氮的氟化类金刚石薄膜,研究了不同掺氮量下薄膜的场发射特性。通过退火处理,研究了薄膜场发射电流的稳定性,通过原子力显微镜,观察了薄膜退火前后的表面形貌。通... 利用射频等离子体增强型化学气相沉积设备(RF-PECVD)在单晶硅基底上沉积含氮的氟化类金刚石薄膜,研究了不同掺氮量下薄膜的场发射特性。通过退火处理,研究了薄膜场发射电流的稳定性,通过原子力显微镜,观察了薄膜退火前后的表面形貌。通过场发射测试表明,随着氮含量的升高,薄膜的阈值电场降低,发射电流逐渐升高。退火后,掺氮薄膜达到稳定的发射电流的时间比未掺氮薄膜大大缩短。表面形貌分析表明,退火后由于薄膜表面微凸的减少,发射电流有所下降。 展开更多

关键词 掺氮氟化类金刚石 场发射 稳定性 掺杂 退火 等离子体增强型化学气相淀积

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基于贝叶斯网络的PECVD故障诊断技术

18

作者 赵英伟 路孟喜 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期180-182,193,共4页

提出了贝叶斯网络技术在故障诊断中的一种应用,介绍了基于贝叶斯网络的故障诊断技术的基本概念和原理,分析了故障节点和维修节点之间相互作用的关系。应用GeNIe决策系统软件,以PECVD 淀积台的真空系统为例,讲述了贝叶斯网络在半导体工... 提出了贝叶斯网络技术在故障诊断中的一种应用,介绍了基于贝叶斯网络的故障诊断技术的基本概念和原理,分析了故障节点和维修节点之间相互作用的关系。应用GeNIe决策系统软件,以PECVD 淀积台的真空系统为例,讲述了贝叶斯网络在半导体工艺设备故障诊断中的应用。 展开更多

关键词 故障诊断 贝叶斯网络 等离子体增强化学汽相淀积

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喇曼光谱学研究固体和薄膜方面的进展

19

作者 李碧琳 《液晶与显示》 CAS CSCD 1991年第3期15-16,共2页

本文综述了从1987年末到1989年末两年间嗽曼光谱学在薄膜,半导体,超导体和固体方面的重要进展,这里涉及的许多材料是与固体发光研究密切相关的。一、薄膜和表面在簿膜方面。

关键词 喇曼光谱学 固体发光 半导体层 等离子体淀积 碳膜 沉积法 应变层 光学性质 晶格失配 化学计量

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一种基于TSV和激光刻蚀辅助互连的改进型CIS封装 被引量：1

20

作者 梁得峰 盖蔚 +1 位作者 徐高卫 罗乐 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第8期636-640,共5页

提出了一种基于硅通孔(TSV)和激光刻蚀辅助互连的改进型CMOS图像传感器(CIS)圆片级封装方法。对CIS芯片电极背部引出的关键工艺,如锥形TSV形成、TSV绝缘隔离、重布线(RDL)等进行了研究。采用低温电感耦合等离子体增强型化学气相淀积(ICP... 提出了一种基于硅通孔(TSV)和激光刻蚀辅助互连的改进型CMOS图像传感器(CIS)圆片级封装方法。对CIS芯片电极背部引出的关键工艺,如锥形TSV形成、TSV绝缘隔离、重布线(RDL)等进行了研究。采用低温电感耦合等离子体增强型化学气相淀积(ICPECVD)的方法实现TSV内绝缘隔离;采用激光刻蚀开口和RDL方法实现CIS电极的背部引出;通过采用铝电极电镀镍层的方法解决了激光刻蚀工艺中聚合物溢出影响互连的问题,提高了互连可靠性。对锥形TSV刻蚀参数进行了优化。最终在4英寸(1英寸=2.54 cm)硅/玻璃键合圆片上实现了含有276个电极的CIS圆片级封装。电性能测试结果表明,CIS圆片级封装具有良好的互连导电性,两个相邻电极间平均电阻值约为7.6Ω。 展开更多

关键词 硅通孔(TSV) 低温电感耦合等离子体增强型化学气相淀积(ICPECVD) 激光刻蚀 电镀镍 圆片级封装

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