新型等离子体平板显示器放电特性研究 被引量：14

1

作者 屠彦 张雄 王保平 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期258-261,共4页

本文研究了具有响应频率快、亮度高、着火电压低以及成本低等特点的新型槽型结构等离子体平板显示放电单元的放电特性 ,并与传统的表面放电结构进行了比较 .给出了不同时刻两种结构放电单元中电场、各种粒子浓度的空间分布以及各种粒子... 本文研究了具有响应频率快、亮度高、着火电压低以及成本低等特点的新型槽型结构等离子体平板显示放电单元的放电特性 ,并与传统的表面放电结构进行了比较 .给出了不同时刻两种结构放电单元中电场、各种粒子浓度的空间分布以及各种粒子的平均浓度随时间的变化关系 .在没有能量恢复电路的情况下 ,该结构 14″实验屏的发光效率达到 0 9lm/W ,功耗为 5 0W . 展开更多

关键词 等离子体平板显示器 放电特性 着火电压

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新型等离子体平板显示器件放电过程的二维数值模拟 被引量：4

2

作者 屠彦 张雄 +3 位作者 王保平 雷威 尹涵春 童林夙 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2001年第3期194-198,共5页

根据新型等离子体平板显示器结构的对称性 ,利用二维数值模拟方法计算了该结构的放电过程。介绍了计算过程及某些参数的确定。给出了电场随时间的变化情况以及各种粒子浓度分布随时间的变化情况。

关键词 等离子体平板显示器件 浓度分布 放电过程 二维数值模拟

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高清晰度投影电视及彩色等离子体平板显示(PDP)用荧光体

3

作者 王晓君 刘行仁 《材料导报》 EI CAS CSCD 2001年第2期45-46,共2页

本课题组承担了“九五”期间863课题,在新材料领域专家委员会的指导下,经过5年的努力工作,积极开展了具有创新性的工作,出色地完成了合同中各项研究内容,研制的彩色投影电视用和彩色等离子体平板显示(PDP)用荧光粉,发光性能均达到国际... 本课题组承担了“九五”期间863课题,在新材料领域专家委员会的指导下,经过5年的努力工作,积极开展了具有创新性的工作,出色地完成了合同中各项研究内容,研制的彩色投影电视用和彩色等离子体平板显示(PDP)用荧光粉,发光性能均达到国际先进水平。1 取得的成果与国际先进水平比较 (1)在国内首次成功地研制出彩色投影电视用红、绿、蓝三基色荧光粉,经中科院阴极射线质检中心和北京化工厂荧光粉分厂测试部检测,荧光粉的各项性能指标达到或超过国外同类样品水平。该荧光粉由信息产业部12所。 展开更多

关键词 高清晰度投影电视 彩色等离子体平板显示 荧光粉

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新型槽形彩色等离子体显示板放电单元结构对放电特性影响的研究 被引量：2

4

作者 屠彦 张雄 王保平 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第2期118-122,共5页

采用二维数值模拟方法 ,对新型槽形彩色等离子体平板显示器放电单元的结构形状进行了设计。研究了在不同形状结构情况下 ,该新型槽形彩色等离子体平板显示器放电单元的放电特性以及相关性质。分别给出了不同放电单元形状结构情况下 ,各... 采用二维数值模拟方法 ,对新型槽形彩色等离子体平板显示器放电单元的结构形状进行了设计。研究了在不同形状结构情况下 ,该新型槽形彩色等离子体平板显示器放电单元的放电特性以及相关性质。分别给出了不同放电单元形状结构情况下 ,各种粒子平均浓度随时间的变化情况 ,设计了一个较好的放电单元结构。还讨论了金属隔断的高度和宽度的变化对该结构整屏放电均匀性的影响。 展开更多

关键词 结构 放电特性 放电单位 平均粒子浓度 槽形彩色等离子体平板显示器

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微放电阵列构成的直流平板等离子体显示技术

5

作者 江超 王又青 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期124-128,共5页

设计了一种新颖的放电结构，它是由“微空心阴极放电”与“封闭微空心阴极放电”串联，然后并联构成的微放电阵列。它产生的高气压高电流密度辉光放电等离子体能够用来制作平面等离子体显示或光源。利用该放电结构进行了空气直流放电实... 设计了一种新颖的放电结构，它是由“微空心阴极放电”与“封闭微空心阴极放电”串联，然后并联构成的微放电阵列。它产生的高气压高电流密度辉光放电等离子体能够用来制作平面等离子体显示或光源。利用该放电结构进行了空气直流放电实验，在2．7～66．7kPa的气压范围都能够产生稳定的直流放电。测量了气压P=27kPa时的伏安特性和电流I=9mA时的放电图。测得的伏安特性曲线在整个放电区域都具有正的微分电阻特性。估算的电流密度为63．7A／cm^3；功率密度为3．44×10^3W／cm^3；电子密度在10^13cm^-2量级。实验结果表明该结构能够用于直流平板等离子体显示。 展开更多

关键词 直流平板等离子体显示 气体放电 微空心阴极放电 封闭微空心阴极放电

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新型彩色等离子体放电单元放电特性的三维模拟 被引量：3

6

作者 屠彦 张雄 +1 位作者 杨兰兰 王保平 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2002年第5期321-325,共5页

用三维数值模拟的方法 ,研究了新型彩色等离子体平板显示器结构———槽型彩色等离子体平板显示器放电单元的放电特性。给出了不同时刻放电单元中电位分布及电子和其它主要粒子的浓度在三维空间的分布情况。比较了不同电极宽度情况下 ,... 用三维数值模拟的方法 ,研究了新型彩色等离子体平板显示器结构———槽型彩色等离子体平板显示器放电单元的放电特性。给出了不同时刻放电单元中电位分布及电子和其它主要粒子的浓度在三维空间的分布情况。比较了不同电极宽度情况下 ,各粒子平均浓度随时间的变化情况。新型彩色等离子体平板显示器放电单元放电特性的三维模拟计算 。 展开更多

关键词 三维数值模拟 放电特性 彩色等离子体平板显示器 放电单元

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PDP、FED及LED发光材料的最近发展 被引量：19

7

作者 刘行仁 王晓君 +2 位作者 谢宜华 马龙 张晓 《液晶与显示》 CAS CSCD 1998年第3期155-162,共8页

对彩色等离子体平板显示（ＰＤＰ）、场发射显示（ＦＥＤ）、蓝／绿发光二极管（ＬＥＤ）及蓝紫光激光二极管（ＬＤ）用的发光材料的现状和最近发展予以综述和讨论。

关键词 发光材料 荧光体 等离子体平板显示 场发射 GAN基发光二极管 蓝紫光激光二极管 PDP FED LED 发展 现状

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共沉淀法合成稀土正磷酸盐(La,Gd)PO_4∶RE^(3+)(RE=Eu,Tb)及其真空紫外光谱特性 被引量：31

8

作者 吴雪艳 尤洪鹏 +5 位作者 曾小青 洪广言 金昌弘 卞锺洪 庾炳容 朴哲熙 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期1-4,共4页

采用共沉淀法制备了稀土正磷酸盐荧光粉 ( La,Gd) PO4∶ RE3 +( RE=Eu,Tb) .红外光谱分析发现Gd PO4的红外光谱吸收峰与 La PO4一致 ,只是峰位向高波数方向移动 . ( La,Gd) PO4∶ RE3 +的真空紫外光谱特性研究表明 ,Gd3 +在能量传递过... 采用共沉淀法制备了稀土正磷酸盐荧光粉 ( La,Gd) PO4∶ RE3 +( RE=Eu,Tb) .红外光谱分析发现Gd PO4的红外光谱吸收峰与 La PO4一致 ,只是峰位向高波数方向移动 . ( La,Gd) PO4∶ RE3 +的真空紫外光谱特性研究表明 ,Gd3 +在能量传递过程中起中间体作用 .XPS研究揭示 ,La PO4的价带由 O2 -的 2 p能级构成 ,而 Gd PO4的价带则是由 O2 - 的 2 p能级和 Gd3 +的 4 f能级共同构成 . 展开更多

关键词 共沉淀法 合成 稀土正磷酸盐 真空紫外光谱特性 红外光谱 能量传递 X射线光电子能谱 荧光粉 等离子体平板显示

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YP_(1-x)V_xO_4∶Eu^(3+)在真空紫外区发光的优化 被引量：19

9

作者 曾小青 洪广言 +7 位作者 尤洪鹏 吴雪艳 金昌弘 卞钟洪 庾炳容 裴贤淑 朴哲熙 权一亿 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期55-58,共4页

系统地考查了Eu3 + 在YPO4 YVO4 固溶体中的发光。当V5+ 的浓度低于 0 3 ,出现VO4 3 -离子团的蓝色发射 ;直到V5+ 的浓度等于或大于 0 3时 ,VO4 3 -离子团的蓝色发射才被Eu3 + 离子的红色发射所猝灭 ,发射主波长在 61 9nm。在真空紫... 系统地考查了Eu3 + 在YPO4 YVO4 固溶体中的发光。当V5+ 的浓度低于 0 3 ,出现VO4 3 -离子团的蓝色发射 ;直到V5+ 的浓度等于或大于 0 3时 ,VO4 3 -离子团的蓝色发射才被Eu3 + 离子的红色发射所猝灭 ,发射主波长在 61 9nm。在真空紫外线的激发下 ,Eu3 + 在YPO4 YVO4 固溶体有较强发光 ,并随着P5+ 浓度的增加 ,Eu3 + 离子的发光增强。经过优化的组成为YP0 7V0 3 O4 ∶Eu3 + 的荧光粉在真空紫外激发下既具有较强的发光 ,又具有优良的色纯度 ,将是一种新型的良好的等离子体平板显示用荧光粉。 展开更多

关键词 YP1-xVxO4:Eu^3+ 真空紫外光谱 PDP荧光粉 等离子体平板显示 彩电显示器

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Zn_2SiO_4∶Mn的VUV和UV光谱特性 被引量：12

10

作者 尤洪鹏 洪广言 +3 位作者 曾小青 KimChang-hong PyunChong-hong ParkCheol-hee 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期349-352,共4页

采用高温固相反应法以硅酸为原料合成了等离子显示用荧光体Zn2 SiO4 ∶Mn ,研究了Zn2 SiO4 ∶Mn的VUV和UV光谱特性 ,表明波长小于 2 0 0nm的部分的基质吸收带主要是氧的 2 p轨道到锌的 3d轨道跃迁产生的 ,波长大于 2 0 0nm的部分的基质... 采用高温固相反应法以硅酸为原料合成了等离子显示用荧光体Zn2 SiO4 ∶Mn ,研究了Zn2 SiO4 ∶Mn的VUV和UV光谱特性 ,表明波长小于 2 0 0nm的部分的基质吸收带主要是氧的 2 p轨道到锌的 3d轨道跃迁产生的 ,波长大于 2 0 0nm的部分的基质吸收带是氧的 2 p轨道到硅的 3p轨道跃迁吸收。在VUV和UV激发下 ,Mn2 +的浓度与发射强度的相关性研究表明 ,在不同区域激发时荧光体的发射强度随着Mn2 展开更多

关键词 硅酸锌 掺杂 锰离子 高温固相反应法 跃迁吸收 等离子体平板显示技术 紫外-可见激发光谱 发射光谱 显示材料 等离子体荧光体

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非对称荫罩式PDP放电特性和工作参数的模拟研究 被引量：5

11

作者 杨兰兰 屠彦 +3 位作者 樊兆雯 张雄 姜有燕 王保平 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期296-301,共6页

本文采用二维流体模型模拟了非对称荫罩式PDP结构的放电过程和放电特性。非对称荫罩式PDP结构的放电过程表明,该结构可产生斜拉的长路径放电,有效地提高放电效率。在5.8×104Pa,Ne+10%Xe的工作条件下,非对称结构相较对称结构发光效... 本文采用二维流体模型模拟了非对称荫罩式PDP结构的放电过程和放电特性。非对称荫罩式PDP结构的放电过程表明,该结构可产生斜拉的长路径放电,有效地提高放电效率。在5.8×104Pa,Ne+10%Xe的工作条件下,非对称结构相较对称结构发光效率提高了32%左右。同时通过对非对称结构各种参数的模拟表明,在扫描电极的中心偏离荫罩下开孔中心150μm,扫描电极宽度在60μm左右,工作气体压强在5.9×104Pa-6.6×104Pa,Xe比例在15%-20%左右,可使放电效率提高约65%。 展开更多

关键词 等离子体平板显示 非对称荫罩式PDP 长路径放电 流体模拟 放电效率

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BaMgAl_(10)O_(17)∶R^(2+)(R=Eu,Mn)的真空紫外光谱特性 被引量：8

12

作者 尤洪鹏 吴雪艳 +2 位作者 洪广言 卞锺洪 庾炳容 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期87-90,共4页

采用高温固相反应法合成了BaMgAl10 O17∶R(R =Eu ,Mn)荧光体 ,测量了荧光体的真空紫外激发光谱和相应的发射光谱 ,观察到基质吸收带位于 16 5nm附近 ,Mn2 + 离子的吸收位于 170～ 2 40nm范围 ,Eu2 + 离子的 4f→ 5d吸收位于 2 10～ 40 ... 采用高温固相反应法合成了BaMgAl10 O17∶R(R =Eu ,Mn)荧光体 ,测量了荧光体的真空紫外激发光谱和相应的发射光谱 ,观察到基质吸收带位于 16 5nm附近 ,Mn2 + 离子的吸收位于 170～ 2 40nm范围 ,Eu2 + 离子的 4f→ 5d吸收位于 2 10～ 40 0nm范围。真空紫外光谱特性的研究表明基质与激活离子之间存在较好的能量传递。 展开更多

关键词 BaMgAl10O17 EU^2+ 二价锰 真空紫外激发光谱 等离子体荧光体 发光材料 等离子体平板显示

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PDP选址驱动芯片高压管设计 被引量：5

13

作者 吴建辉 孙伟锋 陆生礼 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期134-137,共4页

PDP选址驱动芯片实现低压控制高压输出 ,其中高压管的设计是关键 ,文中提出了能与低压CMOS工艺相兼容的高压管HV CMOS结构及其中的高低压转换电路 ,采用TSUPREM 4与MEDICI软件对其击穿特性进行了相应的模拟分析 ;通过对已流水的芯片中... PDP选址驱动芯片实现低压控制高压输出 ,其中高压管的设计是关键 ,文中提出了能与低压CMOS工艺相兼容的高压管HV CMOS结构及其中的高低压转换电路 ,采用TSUPREM 4与MEDICI软件对其击穿特性进行了相应的模拟分析 ;通过对已流水的芯片中的高压管进行分析验证看出该结构击穿电压大于 80V ,工作电流大于 展开更多

关键词 等离子体平板显示 击穿特性 高压管 PDP HV-CMOS结构 高低压转换电路 模拟分析 选址驱动芯片 设计

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PDP放电单元Si掺杂MgO保护层二次电子发射系数理论研究 被引量：3

14

作者 李巧芬 屠彦 +1 位作者 杨兰兰 王保平 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期535-540,共6页

采用基于密度泛函理论的原子轨道展开方法的第一性原理计算了Mg1-xSixO体系的电子结构、用SIESTA软件包计算了Mg1-xSixO体系的晶胞结构,体系基态总能,确定了MgO的最优晶格常数。同时,计算了Mg1-xSixO的能带结构、态密度、分波态密度等... 采用基于密度泛函理论的原子轨道展开方法的第一性原理计算了Mg1-xSixO体系的电子结构、用SIESTA软件包计算了Mg1-xSixO体系的晶胞结构,体系基态总能,确定了MgO的最优晶格常数。同时,计算了Mg1-xSixO的能带结构、态密度、分波态密度等。针对采用氖氙混合气体的PDP放电单元,分析了Si掺杂对MgO晶体的电子结构以及氖离子和氙离子二次电子发射系数的影响。结果表明,掺入微量的Si(掺杂浓度小于0.06)可提高MgO保护层氖离子和氙离子的二次电子发射系数,其中氙离子的二次电子发射系数的提高尤为显著。同时由分析结果表明,Si掺杂量存在最优化值为0.0185。 展开更多

关键词 二次电子发射系数 si掺杂 MgO保护层 等离子体平板显示

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PDP用荧光粉的真空紫外辐照特性 被引量：4

15

作者 牟同升 洪广言 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期403-405,共3页

利用“等离子体显示用荧光粉光学测试系统”中147nm真空紫外光,对实用的（Y,Gd）BO_3:Eu红粉,Zn_2SiO_4:Mn和（Ba,Sr,Mg）O·nAl_2O_3:Mn绿粉以及（Ba,Mg）O·nAl_2O_3:Eu^(2+)蓝粉进行较长时间的辐照,以观察荧光粉的衰减特性,... 利用“等离子体显示用荧光粉光学测试系统”中147nm真空紫外光,对实用的（Y,Gd）BO_3:Eu红粉,Zn_2SiO_4:Mn和（Ba,Sr,Mg）O·nAl_2O_3:Mn绿粉以及（Ba,Mg）O·nAl_2O_3:Eu^(2+)蓝粉进行较长时间的辐照,以观察荧光粉的衰减特性,发现红粉衰减最小,蓝粉初始衰减较快,而绿粉亮度存在一个先升后降的现象。 展开更多

关键词 PDP 荧光粉 辐照特性 真空紫外 彩色等离子体平板显示

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SMPDP放电单元中荧光粉层对放电特性的影响 被引量：2

16

作者 张雄 屠彦 +3 位作者 崔伟 王保平 尹涵春 童林夙 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2003年第6期395-399,共5页

本文采用流体模型 ,计算了新型荫罩式PDP(SMPDP)放电单元的放电特性。研究了放电单元中荧光粉层的厚度对放电过程和着火电压的影响。模拟结果表明 ,在SMPDP结构中 ,荧光粉层厚度的变化 ,对放电过程的影响小于通常的表面放电型PDP(ACCPDP... 本文采用流体模型 ,计算了新型荫罩式PDP(SMPDP)放电单元的放电特性。研究了放电单元中荧光粉层的厚度对放电过程和着火电压的影响。模拟结果表明 ,在SMPDP结构中 ,荧光粉层厚度的变化 ,对放电过程的影响小于通常的表面放电型PDP(ACCPDP)。最低着火电压随荧光粉层厚度的不同变化较小。因此 ,SMPDP结构中 。 展开更多

关键词 荫罩式等离子体平板显示器 SMPDP 荧光粉 放电特性 着火电压

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荫罩式PDP单元放电过程中电极电流的模拟 被引量：1

17

作者 张健 屠彦 尹涵春 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期177-181,共5页

本文采用二维流体模型研究荫罩式PDP(SMPDP)结构放电单元内的放电过程 ,并在此基础上与表面电荷法结合模拟各电极上的电流。给出了寻址周期和维持周期各电极上的电流变化过程。研究了在不同寻址电压下各电极电流变化情况 ,分析了电流峰... 本文采用二维流体模型研究荫罩式PDP(SMPDP)结构放电单元内的放电过程 ,并在此基础上与表面电荷法结合模拟各电极上的电流。给出了寻址周期和维持周期各电极上的电流变化过程。研究了在不同寻址电压下各电极电流变化情况 ,分析了电流峰值的大小和电压的关系及到达电流峰值的时间和电压的关系。得到的SMPDP放电单元各电极上电流变化的规律 。 展开更多

关键词 等离子体平板显示器 等离子显示板 寻址电压 电极电流 带电粒子运行速度 数值模拟

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PDP选址驱动芯片的设计与实现

18

作者 吴建辉 孙伟锋 陆生礼 《应用科学学报》 CAS CSCD 2003年第2期187-192,共6页

设计出一种适合PDP选址驱动芯片的HV-NDMOS结构,分析了该结构的防穿通特性.提出了实现PDP选址驱动芯片的工艺流程及其基本参数;同时提出了HV-PMOS的厚栅氧刻蚀方法——多晶硅栅自对准刻蚀.文中最后对流水出的芯片进行了测试分析,证明所... 设计出一种适合PDP选址驱动芯片的HV-NDMOS结构,分析了该结构的防穿通特性.提出了实现PDP选址驱动芯片的工艺流程及其基本参数;同时提出了HV-PMOS的厚栅氧刻蚀方法——多晶硅栅自对准刻蚀.文中最后对流水出的芯片进行了测试分析,证明所设计的芯片确实能满足实际要求。 展开更多

关键词 PDP 等离子体平板显示 选址驱动芯片 HV—NDMOS结构 高压管设计 高压CMOS 高压NDMOS

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AC-PDP新型能量恢复电路的研究 被引量：4

19

作者 刘玉清 吴玉广 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第3期222-226,共5页

在表面放电式AC PDP驱动原理的基础上,介绍了一种新型的PDP能量恢复驱动电路。该电路利用PDP的等效固有电容和外加电感器产生谐振,以防止突然的充放电。与以前的能量恢复方法相比较,该电路能更有效地恢复由于传统的硬开关和置换电流引... 在表面放电式AC PDP驱动原理的基础上,介绍了一种新型的PDP能量恢复驱动电路。该电路利用PDP的等效固有电容和外加电感器产生谐振,以防止突然的充放电。与以前的能量恢复方法相比较,该电路能更有效地恢复由于传统的硬开关和置换电流引起的能量损失,并且结构简单,可进行不对称操作,更适合于实际应用。 展开更多

关键词 等离子体平板显示 能量恢复 驱动电路 表面放电

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MO-Y_2O_3-B_2O_3:Re(M=Mg,Sr;Re=Eu,Tb)的真空紫外光谱特性 被引量：1

20

作者 梁忠益 何大伟 史艳宁 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期1290-1293,共4页

采用高温固相反应法合成了掺杂Eu^3＋及Tb^3＋的17MO-7．88Y2O3-7582O3样品，研究了它们的光谱特性，结果表明，MO-Y2O3一B2O3基质在真空紫外（ⅥⅣ）区有很强的吸收，MgO-Y2O3-B2O3：Eu在147nm真空紫外光激发下产生对应于Eu^3＋的^5D0... 采用高温固相反应法合成了掺杂Eu^3＋及Tb^3＋的17MO-7．88Y2O3-7582O3样品，研究了它们的光谱特性，结果表明，MO-Y2O3一B2O3基质在真空紫外（ⅥⅣ）区有很强的吸收，MgO-Y2O3-B2O3：Eu在147nm真空紫外光激发下产生对应于Eu^3＋的^5D0→^7FJ（J=1，2，3，4）跃迁的59O和613nm强发射峰；MgO-Y2O3-B2O3：EuK中Sr的引入使材料体系在147nm附近的吸收和在613nm附近的发射获得明显增强；MgO-Y2O3-B2O3：Tb的真空紫外激发谱除在147nm附近的基质吸收外，还有对应于Tb^3＋的4f^5d→4f^8跃迁位于170，178，195，204，225nm左右的一组谱峰，两者相互叠加使得材料在真空紫外区（120-220nm）内都有很好的吸收。 展开更多

关键词 17MO-7.88Y2O3—7582O3 等离子体平板显示 真空紫外光谱

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