等离子体增强化学气相淀积a-SiCOF薄膜的稳定性研究

1

作者 丁士进 张庆全 +2 位作者 王鹏飞 张卫 王季陶 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2001年第11期52-55,共4页

以正硅酸乙酯 (TEOS) /C4 F8/Ar为气源 ,采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备了低介电常数a SiCOF介质薄膜 ,并借助X射线光电子能谱 (XPS)和傅立叶变换红外光谱 (FTIR)对薄膜的化学键结构、热稳定性和抗吸水性进行了研究。

关键词 等离子体增强化学气相淀积 a-SiCOF薄膜 稳定性 XPS FTIR 红外光谱 掺碳 掺氟 氧化硅薄膜

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等离子体化学气相淀积TiO_2薄膜材料 被引量：5

2

作者 沈瑜生 张俊颖 相承宗 《传感技术学报》 CAS CSCD 1989年第1期1-6,共6页

本文报导了以钛酸丁酯((C_4H_9O)_4Ti)为反应源物质,采用等离子体化学气相淀积(P-CVD)技术,在不同衬底上淀积出性能良好的TiO_2薄膜材料,并对其结构和气敏特性进行了初步研究。

关键词 薄膜 TiO₂ 等离子体化学气相淀积 气敏元件

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添加H_2对SiH_4/N_2/Ar等离子体淀积的氮化硅电学和光学特性的影响

3

作者 景亚霓 钟传杰 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第24期9-13,共5页

研究了加H2对SiH4/N2/Ar高密度、低离子能量的等离子体淀积的氮化硅薄膜(淀积的衬底温度为400℃)电学和光学性能的影响。实验结果表明,加入H2使氮化硅薄膜的光学带隙增加,其折射率以及在氢氟酸缓冲液中腐蚀速率减小,而XPS测试的N、Si原... 研究了加H2对SiH4/N2/Ar高密度、低离子能量的等离子体淀积的氮化硅薄膜(淀积的衬底温度为400℃)电学和光学性能的影响。实验结果表明,加入H2使氮化硅薄膜的光学带隙增加,其折射率以及在氢氟酸缓冲液中腐蚀速率减小,而XPS测试的N、Si原子比没有改变,均为1.3。FTIR测量表明,样品中Si-H键的密度低于仪器检测限,而添加H2的样品中N-H键密度稍增加。此外,由淀积的氮化硅膜构成的MIS结构的高频C-V测试(1 MHz)显示,当氢气流量从零增加到8sccm时,高频C-V的回滞幅度从(0.40±0.05)V降低到(0.10±0.01)V。基于这些实验结果和理论分析,表明了加适量H2能够促进弱的Si-Si键以及Si和N的悬挂键向Si-N键转化。 展开更多

关键词 等离子增强化学气相淀积 氮化硅 氢气添加 光学带隙 高频电容-电压特性

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线形微波等离子体CVD金刚石薄膜沉积技术 被引量：6

4

作者 唐伟忠 蒋开云 +1 位作者 耿春雷 黑立富 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期251-254,共4页

本文将讨论一种新型的微波等离子体CVD设备———线形微波等离子体CVD设备和其在金刚石薄膜制备技术中的应用。利用Langmuir探针方法对线形微波等离子体CVD设备产生的H2等离子体进行的等离子体参数测量表明,在工频半波激励的条件下,H2... 本文将讨论一种新型的微波等离子体CVD设备———线形微波等离子体CVD设备和其在金刚石薄膜制备技术中的应用。利用Langmuir探针方法对线形微波等离子体CVD设备产生的H2等离子体进行的等离子体参数测量表明,在工频半波激励的条件下,H2等离子体的电子温度和等离子体密度分别约为6 eV和1×1010/cm3。尝试利用线形微波等离子体CVD设备,在直径为0.5 mm的小尺寸硬质合金微型钻头上进行了金刚石涂层的沉积,获得了质量良好的金刚石涂层。由于线形微波等离子体CVD设备产生的等离子体面积具有容易扩大的优点,因而在需要使用较大面积等离子体的场合,它将有着很好的应用前景。 展开更多

关键词 线形微波等离子体 化学气相淀积 金刚石薄膜

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光诱导化学汽相淀积(LCVD)技术的研究进展 被引量：1

5

作者 宋登元 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第2期1-6,共6页

光诱导化学汽相淀(?)(LCVD)技术是一种新的低温化薄膜制备技术.本文首先评述了LCVD技术的特点、原理和装置,然后着重讨论了利用这种技术制备金属、半导体与化合物和介质薄膜以及一些淀积规律,最后指出了LCVD技术尚待解决的若干问题.

关键词 光诱导 化学汽相淀积 LCVD

全文增补中

化学汽相淀积装置及其净化方法和半导体制造装置

6

《表面技术》 EI CAS CSCD 2007年第1期89-89,共1页

为了能高效率地进行保养后的净化处理，同时能可靠地知道净化处理的结束，缩短净化处理所需要的时间，进行CVD装置的恢复，在保养后的加热流通净化处理时，把混合了热传导系数高的气体和惰性气体的气体作为净化气体来使用。在半导体膜... 为了能高效率地进行保养后的净化处理，同时能可靠地知道净化处理的结束，缩短净化处理所需要的时间，进行CVD装置的恢复，在保养后的加热流通净化处理时，把混合了热传导系数高的气体和惰性气体的气体作为净化气体来使用。在半导体膜形成前的净化处理中，多次重复进行抽真空和惰性气体的导入。此外，为了判断在反应室内进行腐蚀性气体处理的半导体制造装置的适当保养时期，按照重复进行腐蚀性气体处理时的水分浓度的变化来决定所述腐蚀性气体的保养时期。 展开更多

关键词 制造装置 净化方法 半导体 化学汽相淀积 腐蚀性气体 净化处理 惰性气体 气体处理

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微波等离子体低温制备金刚石薄膜 被引量：4

7

作者 曹传宝 彭定坤 孟广耀 《功能材料》 EI CAS CSCD 1994年第6期570-572,560,共4页

用微波等离子体法在低于６００℃的条件下合成了金刚石薄膜，分别用Ｒａｍａｎ光谱、ＸＲＤ、ＸＰＳ，红外光谱对薄膜进行了表征；讨论了工艺条件同薄膜结构，特别是表面形貌的关系，指出低温有利于（１００）面的形成。

关键词 金刚石薄膜 微波等离子体 化学汽相 淀积制备

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电感耦合等离子体CVD制备Si薄膜的研究

8

作者 杨定宇 蒋孟衡 贺德衍 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第9期776-780,共5页

电感耦合等离子体(ICP)是一种极具发展前景的低温高密度等离子体源,已经在大规模集成电路的深亚微米刻蚀和大面积均匀薄膜的淀积中得到广泛应用。采用自主设计的ICP-CVD设备,在不同的衬底条件和SiH4浓度下制备了一系列的Si薄膜样品。采... 电感耦合等离子体(ICP)是一种极具发展前景的低温高密度等离子体源,已经在大规模集成电路的深亚微米刻蚀和大面积均匀薄膜的淀积中得到广泛应用。采用自主设计的ICP-CVD设备,在不同的衬底条件和SiH4浓度下制备了一系列的Si薄膜样品。采用多种结构分析手段对样品进行了测试,发现薄膜是非晶相、结晶相和孔隙的混合物,在较低的放电功率下即出现了相当比例的结晶相,对样品电导率和光学带隙的测试也进一步验证了这一结果。 展开更多

关键词 电感耦合等离子体化学气相淀积 SI薄膜 SiH4浓度 结晶相

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化学气相沉积/渗透技术综述 被引量：11

9

作者 李崇俊 马伯信 金志浩 《固体火箭技术》 EI CAS CSCD 1999年第1期54-58,共5页

综述了化学气相沉积（ＣＶＤ）技术的最新发展，包括金属有机化合物化学气相沉积、等离子辅助化学气相沉积、激光化学气相沉积；同时介绍了三种用于制备工程材料的快速致密化化学气相渗透（ＣＶＩ）技术，包括强迫流动热梯度化学气相渗... 综述了化学气相沉积（ＣＶＤ）技术的最新发展，包括金属有机化合物化学气相沉积、等离子辅助化学气相沉积、激光化学气相沉积；同时介绍了三种用于制备工程材料的快速致密化化学气相渗透（ＣＶＩ）技术，包括强迫流动热梯度化学气相渗透、化学液相沉积、感应加热热梯度快速致密化技术。 展开更多

关键词 化学汽相淀积 化学气相渗透 复合材料 陶瓷基

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APCVD生长碳化硅薄膜中汽相结晶过程的研究 被引量：3

10

作者 王剑屏 郝跃 +3 位作者 宋国乡 彭军 朱作云 张永华 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第7期832-836,共5页

对宽禁带半导体材料碳化硅薄膜的常压化学汽相沉积 ( APCVD)异质外延技术进行了讨论 .在 Si C薄膜的生长过程中对 Si/ C原子比例的控制一直是影响薄膜表面形貌和膜层掺杂浓度的重要因素 .针对水平卧式反应室 ,分析了生长过程中气流流速... 对宽禁带半导体材料碳化硅薄膜的常压化学汽相沉积 ( APCVD)异质外延技术进行了讨论 .在 Si C薄膜的生长过程中对 Si/ C原子比例的控制一直是影响薄膜表面形貌和膜层掺杂浓度的重要因素 .针对水平卧式反应室 ,分析了生长过程中气流流速分布、反应室内温度分布以及反应气体浓度分布 ,指出“汽相结晶”过程对薄膜生长区 Si/ C比例有很大影响 ,从而影响了碳化硅薄膜的生长速率 。 展开更多

关键词 APCVD 碳化硅薄膜 汽相结果 常压化学汽相淀积 异质外延 生长过程 生长速率

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PECVD法淀积氟碳掺杂的氧化硅薄膜表征 被引量：2

11

作者 丁士进 张庆全 +1 位作者 张卫 王季陶 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期1169-1173,共5页

以正硅酸乙酯（ＴＥＯＳ）和八氟环丁烷（Ｃ４Ｆ８）为原料，采用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法制备了氟碳掺杂的氧化硅薄膜（ＳｉＣＯＦ）．样品的Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）和傅立叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）分析表明... 以正硅酸乙酯（ＴＥＯＳ）和八氟环丁烷（Ｃ４Ｆ８）为原料，采用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法制备了氟碳掺杂的氧化硅薄膜（ＳｉＣＯＦ）．样品的Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）和傅立叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）分析表明薄膜中含有Ｓｉ－Ｆ、Ｓｉ－Ｏ、Ｃ－Ｆ、Ｃ－ＣＦｘ、ＣＦ2等构型．刚淀积的薄膜的折射率约为１．４０．对暴露在空气中以及在不同温度下退火后薄膜的折射率做了测量，并对其变化机理进行了讨论，同时表明了理想的淀积温度应是３００℃． 展开更多

关键词 等离子体增强化学气相淀积 氟 碳 掺杂 氧化硅薄膜 X射线光电子能谱 FTIR 折射率

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含卤素源物质的金刚石薄膜淀积

12

作者 曹传宝 彭定坤 孟广耀 《应用科学学报》 CAS CSCD 1995年第4期483-487,共5页

含卤素源物质的金刚石薄膜淀积曹传宝（复旦大学）彭定坤，孟广耀（中国科学技术大学）关键词：金刚石，微波等离子体，化学汽相淀积，四氯化碳。０引言金刚石具有非常特殊的性质，它的硬度和弹性模量是已知材料中最高的，高导热性和高... 含卤素源物质的金刚石薄膜淀积曹传宝（复旦大学）彭定坤，孟广耀（中国科学技术大学）关键词：金刚石，微波等离子体，化学汽相淀积，四氯化碳。０引言金刚石具有非常特殊的性质，它的硬度和弹性模量是已知材料中最高的，高导热性和高绝缘性兼备，有很高的电子／空穴迁移... 展开更多

关键词 金刚石 化学汽相淀积 四氯化碳 薄膜

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PECVD淀积Si_3N_4作为光刻掩膜版的保护膜 被引量：2

13

作者 张晓情 李沛林 +1 位作者 王敬松 杨建红 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1096-1098,共3页

采用等离子增强化学汽相淀积(PECVD)方法淀积Si3N4薄膜作为光刻掩膜版的保护膜,可以降低掩膜版受损程度,延长使用寿命。分析了Si3N4膜厚的选取要求,给出了PECVD淀积Si3N4膜的工艺条件。实际制作了带有Si3N4保护的光刻掩膜版,并与不带Si... 采用等离子增强化学汽相淀积(PECVD)方法淀积Si3N4薄膜作为光刻掩膜版的保护膜,可以降低掩膜版受损程度,延长使用寿命。分析了Si3N4膜厚的选取要求,给出了PECVD淀积Si3N4膜的工艺条件。实际制作了带有Si3N4保护的光刻掩膜版,并与不带Si3N4保护的掩膜版的使用情况做了对比。结果表明,带有Si3N4保护的光刻掩膜版的使用寿命可明显延长2倍以上。 展开更多

关键词 等离子增强化学气相淀积 氮化硅 光刻版 保护膜

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沉积温度对碳化硅基体及其复合材料的影响 被引量：2

14

作者 闫联生 邹武 +2 位作者 宋麦丽 王涛 王抗利 《固体火箭技术》 EI CAS CSCD 1999年第1期68-71,共4页

研究了沉积温度对化学气相渗透ＳｉＣ基体微观结构及其碳纤维增强复合材料性能的影响。９５０℃沉积碳化硅为非晶态；１０００℃以上沉积出的碳化硅为结晶态，１０５０℃沉积碳化硅晶体以（１１１）取向为主；１２５０℃沉积碳化硅晶体... 研究了沉积温度对化学气相渗透ＳｉＣ基体微观结构及其碳纤维增强复合材料性能的影响。９５０℃沉积碳化硅为非晶态；１０００℃以上沉积出的碳化硅为结晶态，１０５０℃沉积碳化硅晶体以（１１１）取向为主；１２５０℃沉积碳化硅晶体以（２２０）取向为主。沉积温度升高，沉积深度和均匀性降低。制备毡基Ｃ／ＳｉＣ复合材料的沉积温度为１１００～１１５０℃；制备三维编织Ｃ／ＳｉＣ复合材料的沉积温度约为１０００～１０５０℃。 展开更多

关键词 碳化硅 化学汽相淀积 陶瓷基 复合材料 温度

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化学束外延在光电子技术应用中的进展

15

作者 周增圻 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1995年第4期6-10,共5页

本文简要介绍了ＣＢＥ技术，综述了近年来ＣＢＥ在光电子技术领域内取得的进展。

关键词 化学束外延 光电子技术 化学汽相淀积 应用

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诺发公司在台积电供应链管理论坛上获得优秀供应商奖

16

《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第12期958-959,共2页

中国上海诺发系统有限公司（Novellus Systems，Inc．，）宣布，该公司的VECTOR系统在台积电2006供应链管理论坛上获得TSMC颁发的“2006年度优秀CVD供应商奖”。350多家TSMC供应商参加了这次活动，诺发公司是获得“2006年度优秀供应商... 中国上海诺发系统有限公司（Novellus Systems，Inc．，）宣布，该公司的VECTOR系统在台积电2006供应链管理论坛上获得TSMC颁发的“2006年度优秀CVD供应商奖”。350多家TSMC供应商参加了这次活动，诺发公司是获得“2006年度优秀供应商奖”殊荣的十一家公司之一。诺发公司的VECTOR 300mm等离子增强化学气相淀积（PECVD）设备被半导体制造商所广泛采用，用于高性能IC电介质薄膜的淀积。该系统在薄膜技术上取得了诸多技术革新，同时具有很高的生产力， 展开更多

关键词 供应链管理 供应商 等离子增强化学气相淀积 论坛 VECTOR Systems TSMC 电介质薄膜

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基于贝叶斯网络的PECVD故障诊断技术

17

作者 赵英伟 路孟喜 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期180-182,193,共4页

提出了贝叶斯网络技术在故障诊断中的一种应用,介绍了基于贝叶斯网络的故障诊断技术的基本概念和原理,分析了故障节点和维修节点之间相互作用的关系。应用GeNIe决策系统软件,以PECVD 淀积台的真空系统为例,讲述了贝叶斯网络在半导体工... 提出了贝叶斯网络技术在故障诊断中的一种应用,介绍了基于贝叶斯网络的故障诊断技术的基本概念和原理,分析了故障节点和维修节点之间相互作用的关系。应用GeNIe决策系统软件,以PECVD 淀积台的真空系统为例,讲述了贝叶斯网络在半导体工艺设备故障诊断中的应用。 展开更多

关键词 故障诊断 贝叶斯网络 等离子体增强化学汽相淀积

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用于ULSI的低k氟化非晶碳膜研究 被引量：4

18

作者 丁士进 王鹏飞 +2 位作者 张卫 王季陶 李伟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期26-30,共5页

综述了用于超大规模集成电路中互连介质的氟化非晶碳膜（ａ－Ｃ：Ｆ）的制备、化学键结构、介电常数与热稳定性、填隙能力、粘附性、热导率等性能，为开发具有新型功能的低介电常数材料提供了指导。

关键词 氟化非晶碳膜 ULSI 集成电路 化学汽相淀积

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低介电常数非晶氟碳薄膜光谱表征 被引量：5

19

作者 丁士进 王鹏飞 +2 位作者 张卫 王季陶 李伟 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期745-748,共4页

以C4 F8 和CH4 为原料气 ,通过等离子体增强化学气相淀积的方法制备了非晶氟碳薄膜 ,在实验条件下所得薄膜的介电常数为 2 3。薄膜的傅里叶变换红外光谱表明该薄膜中除了含有CFn(n=1～ 3)基团外 ,还含有少量的 CO ,CC 等不饱和双键 ,... 以C4 F8 和CH4 为原料气 ,通过等离子体增强化学气相淀积的方法制备了非晶氟碳薄膜 ,在实验条件下所得薄膜的介电常数为 2 3。薄膜的傅里叶变换红外光谱表明该薄膜中除了含有CFn(n=1～ 3)基团外 ,还含有少量的 CO ,CC 等不饱和双键 ,没有迹象表明C—H和O—H的存在。X射线光电子能谱进一步证明了薄膜中的碳元素有六种不同的化学状态分别为CF3 (8% )、CF2 (19% ) ,CF(2 6 7% )、C—CFn(4 2 5 % ) ,C—C(3 3% )和CO (0 5 % ) ,表明薄膜中大约 5 4%的碳原子与氟成键 ,大约 43%的碳原子不是与氟成键 ,而是与碳氟基团CFn 中的碳原子成键 ,毗连的两个碳原子上均没有氟参与成键的几率很小。 展开更多

关键词 等离子体增强化学气相淀积 非晶氟碳薄膜 傅里叶变换红外光谱 X射线光电子能谱 表征

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超大规模集成电路中低介电常数SiOF薄膜研究 被引量：3

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作者 王鹏飞 丁士进 +2 位作者 张卫 张剑云 王季陶 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期37-39,共3页

详细介绍了低介电常数的含氟氧化硅（ＳｉＯＦ）介质薄膜制备的工艺，并分析了试样的ＦＴＩＲ光谱，发现薄膜中大部分的氟以Ｓｉ－Ｆ键形式存在。Ｃ－Ｖ特性测量表明薄膜介电常数随氟含量的增加而减小。本文还进一步讨论了介电常数与氟... 详细介绍了低介电常数的含氟氧化硅（ＳｉＯＦ）介质薄膜制备的工艺，并分析了试样的ＦＴＩＲ光谱，发现薄膜中大部分的氟以Ｓｉ－Ｆ键形式存在。Ｃ－Ｖ特性测量表明薄膜介电常数随氟含量的增加而减小。本文还进一步讨论了介电常数与氟原子含量之间的内在联系。 展开更多

关键词 化学汽相淀积 C-V特性 介电常数

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