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等离子体增强化学气相淀积a-SiCOF薄膜的稳定性研究
1
作者 丁士进 张庆全 +2 位作者 王鹏飞 张卫 王季陶 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2001年第11期52-55,共4页
以正硅酸乙酯 (TEOS) /C4 F8/Ar为气源 ,采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备了低介电常数a SiCOF介质薄膜 ,并借助X射线光电子能谱 (XPS)和傅立叶变换红外光谱 (FTIR)对薄膜的化学键结构、热稳定性和抗吸水性进行了研究。
关键词 等离子体增强化学气相淀积 a-SiCOF薄膜 稳定性 XPS FTIR 红外光谱 掺碳 掺氟 氧化硅薄膜
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高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD)工艺 被引量：3
2
《中国集成电路》 2007年第2期65-67,61,共4页
随着半导体技术的飞速发展，单个芯片上所能承载的晶体管数量以惊人的速度增长，与此同时，半导体制造商们出于节约成本的需要迫切地希望单个晶圆上能够容纳更多的芯片。这种趋势推动了半导体器件特征尺寸的显著减小，相应地也对芯片制... 随着半导体技术的飞速发展，单个芯片上所能承载的晶体管数量以惊人的速度增长，与此同时，半导体制造商们出于节约成本的需要迫切地希望单个晶圆上能够容纳更多的芯片。这种趋势推动了半导体器件特征尺寸的显著减小，相应地也对芯片制造工艺提出了更高的要求，其中一个具有挑战性的难题就是绝缘介质在各个薄膜层之间均匀无孔的填充，以提供充分有效的隔离保护，包括浅槽隔离（Shallow—Trench—Isolation），金属前绝缘层（Pre—Met—al—Dielectric），金属层间绝缘层（Inter—Metal—Dielec—tric）等等。本文所介绍的高密度等离子体化学气相淀积（HDPCVD）工艺自20世纪90年代中期开始被先进的芯片工厂采用以来，以其卓越的填孔能力、稳定的淀积质量、可靠的电学特性等诸多优点而迅速成为0．25微米以下先进工艺的主流。图1所示即为在超大规模集成电路中HDPCVD工艺的典型应用。 展开更多
关键词 等离子体化学气相淀积 制造工艺 高密度 超大规模集成电路 Metal 半导体技术 晶体管数量 半导体器件
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添加H_2对SiH_4/N_2/Ar等离子体淀积的氮化硅电学和光学特性的影响
3
作者 景亚霓 钟传杰 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第24期9-13,共5页
研究了加H2对SiH4/N2/Ar高密度、低离子能量的等离子体淀积的氮化硅薄膜(淀积的衬底温度为400℃)电学和光学性能的影响。实验结果表明,加入H2使氮化硅薄膜的光学带隙增加,其折射率以及在氢氟酸缓冲液中腐蚀速率减小,而XPS测试的N、Si原... 研究了加H2对SiH4/N2/Ar高密度、低离子能量的等离子体淀积的氮化硅薄膜(淀积的衬底温度为400℃)电学和光学性能的影响。实验结果表明,加入H2使氮化硅薄膜的光学带隙增加,其折射率以及在氢氟酸缓冲液中腐蚀速率减小,而XPS测试的N、Si原子比没有改变,均为1.3。FTIR测量表明,样品中Si-H键的密度低于仪器检测限,而添加H2的样品中N-H键密度稍增加。此外,由淀积的氮化硅膜构成的MIS结构的高频C-V测试(1 MHz)显示,当氢气流量从零增加到8sccm时,高频C-V的回滞幅度从(0.40±0.05)V降低到(0.10±0.01)V。基于这些实验结果和理论分析,表明了加适量H2能够促进弱的Si-Si键以及Si和N的悬挂键向Si-N键转化。 展开更多
关键词 等离子增强化学气相淀积 氮化硅 氢气添加 光学带隙 高频电容-电压特性
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激光诱导等离子体淀积薄膜过程的研究
4
作者 张贵银 荆一东 《四川工业学院学报》 2001年第4期66-67,共2页
用激波理论推出了激光诱导等离子体化学气相淀积过程中两个重要参量薄膜面积、膜淀积速率的表达式。分析了激光强度、气体压强、基片温度对淀积过程的影响 。
关键词 激光诱导等离子体化学气相淀积 薄膜面积 淀积速率 薄膜 制备
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激光化学汽相淀积薄膜微透镜的设计与实践
5
作者 宋国瑞 姚惠贞 兰祝刚 《光电子技术》 CAS 1996年第3期201-208,共8页
本文介绍了采用激光化学汽相淀积（LCVD）技术淀积氮化硅薄膜微透镜的系统与工艺的设计。实践表明，按要求建立了LCVD的实验装置后，只要适当控制源气体的化学配比与浓度，调节激光功率与衬底上的光斑尺寸，选择淀积时间，就可以淀积出... 本文介绍了采用激光化学汽相淀积（LCVD）技术淀积氮化硅薄膜微透镜的系统与工艺的设计。实践表明，按要求建立了LCVD的实验装置后，只要适当控制源气体的化学配比与浓度，调节激光功率与衬底上的光斑尺寸，选择淀积时间，就可以淀积出不同直径、透明、表面光滑的氯化硅薄膜微透镜。 展开更多
关键词 激光 化学汽相淀积 微透镜 集成光学器件
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光诱导化学汽相淀积(LCVD)技术的研究进展 被引量：1
6
作者 宋登元 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第2期1-6,共6页
光诱导化学汽相淀(?)(LCVD)技术是一种新的低温化薄膜制备技术.本文首先评述了LCVD技术的特点、原理和装置,然后着重讨论了利用这种技术制备金属、半导体与化合物和介质薄膜以及一些淀积规律,最后指出了LCVD技术尚待解决的若干问题.
关键词 光诱导 化学汽相淀积 LCVD
全文增补中
用快速热化学汽相淀积法生长Si_(1-x)Ge_x及其在异质结双极晶体管中的应用
7
作者 J.C.Sturm 何君 《半导体情报》 1993年第2期39-45,共7页
快速热化学汽相淀积法已用于生长100(?)厚度的Si和Si_(1-x)Ge_x结构。本文讨论了关于生长这种结构的气体变换与温度变换的相关指标。证明了用红外透射进行温度测量时活化温度可控制在600～700C之间。这种生长技术已用于逐县控温45(?)周... 快速热化学汽相淀积法已用于生长100(?)厚度的Si和Si_(1-x)Ge_x结构。本文讨论了关于生长这种结构的气体变换与温度变换的相关指标。证明了用红外透射进行温度测量时活化温度可控制在600～700C之间。这种生长技术已用于逐县控温45(?)周期的超晶格结构以及接近理想电特性的异质结双极晶体管中。 展开更多
关键词 双极晶体管 化学汽相淀积 生长
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化学汽相淀积(CVD)技术述评
8
作者 李松法 《半导体情报》 1989年第2期1-8,共8页
CVD技术是当前最重要,最基本的半导体器件和集成电路制造技术之一。本文以介质膜的CVD为重点进行了概要的分析,其中包括对CVD介质膜的要求,CVD的反应机理及各种反应室的演变,CVD介质膜的杂质、应力及其覆盖能力。最后对导体材料的CVD作... CVD技术是当前最重要,最基本的半导体器件和集成电路制造技术之一。本文以介质膜的CVD为重点进行了概要的分析,其中包括对CVD介质膜的要求,CVD的反应机理及各种反应室的演变,CVD介质膜的杂质、应力及其覆盖能力。最后对导体材料的CVD作了简单的描述。 展开更多
关键词 CVD 半导体工艺 化学汽相淀积
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佛斯隆介质膜的化学汽相淀积生长及其特性
9
作者 P. C. Li 李桂荣 《半导体情报》 1989年第4期56-63,22,共9页
“佛斯隆”（Pholon)是一种新型介质材料（PxNyOx)，这种材料可以用常规的化学汽相淀积（CVD）或等离子体增强化学汽相淀积（PECVD）技术制得。它不含有硅的成分，而是由氮、磷和氧组成，也有由氮磷化物组成的极端情况。这种介质材料很... “佛斯隆”（Pholon)是一种新型介质材料（PxNyOx)，这种材料可以用常规的化学汽相淀积（CVD）或等离子体增强化学汽相淀积（PECVD）技术制得。它不含有硅的成分，而是由氮、磷和氧组成，也有由氮磷化物组成的极端情况。这种介质材料很稳定，几乎与半导体工业中常用的所有试剂都不反应，它的介电常数可以和Si3N4相美。佛斯隆介质的击穿强度为1067V／cm数量级，这比用CVD技术生长的Si3N4好得多。 展开更多
关键词 佛斯隆介质膜 化学汽相淀积 生长工艺
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电感耦合等离子体CVD制备Si薄膜的研究
10
作者 杨定宇 蒋孟衡 贺德衍 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第9期776-780,共5页
电感耦合等离子体(ICP)是一种极具发展前景的低温高密度等离子体源,已经在大规模集成电路的深亚微米刻蚀和大面积均匀薄膜的淀积中得到广泛应用。采用自主设计的ICP-CVD设备,在不同的衬底条件和SiH4浓度下制备了一系列的Si薄膜样品。采... 电感耦合等离子体(ICP)是一种极具发展前景的低温高密度等离子体源,已经在大规模集成电路的深亚微米刻蚀和大面积均匀薄膜的淀积中得到广泛应用。采用自主设计的ICP-CVD设备,在不同的衬底条件和SiH4浓度下制备了一系列的Si薄膜样品。采用多种结构分析手段对样品进行了测试,发现薄膜是非晶相、结晶相和孔隙的混合物,在较低的放电功率下即出现了相当比例的结晶相,对样品电导率和光学带隙的测试也进一步验证了这一结果。 展开更多
关键词 电感耦合等离子体化学气相淀积 SI薄膜 SiH4浓度 结晶相
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RF化学气相淀积金刚石薄膜
11
作者 章彬 黄庆安 +1 位作者 郑其经 秦明 《电子器件》 CAS 1998年第2期74-83,共10页
本文论述了金刚石薄膜的优点，比较了化学淀积金刚石薄膜的常用方法的优缺点，主要介绍了电容耦合射频化学气相淀积金刚石薄膜的原理和近期国际对典型电容耦合气相淀积设备的改进研究。
关键词 金刚石 等离子体 化学气相淀积 半导体薄膜技术
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HDP介质淀积引起的等离子充电损伤机制研究 被引量：1
12
作者 王鹏 卜皎 +5 位作者 刘玉伟 曹刚 石艳玲 刘春玲 李菲 孙玲玲 《电子器件》 CAS 2009年第3期526-528,共3页
高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD),具有卓越的填孔能力和可靠的电学特性等诸多优点,因此它被广泛应用于超大规模集成电路制造工艺中。本文研究了金属层间介质(IMD)的HDP CVD过程对栅氧化膜的等离子充电损伤。研究表明在HDP淀积结束... 高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD),具有卓越的填孔能力和可靠的电学特性等诸多优点,因此它被广泛应用于超大规模集成电路制造工艺中。本文研究了金属层间介质(IMD)的HDP CVD过程对栅氧化膜的等离子充电损伤。研究表明在HDP淀积结束时的光电导效应使得IMD层(包括FSG和USG)在较短的时间内处于导电状态,较大电流由IMD层流经栅氧化膜,在栅氧化膜中产生缺陷,从而降低了栅氧化膜可靠性。通过对HDP CVD结束后反应腔内气体组分的调节,IMD层的光电导现象得到了一定程度的抑制,等离子充电损伤得到了改善。 展开更多
关键词 等离子体充电损伤 高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD) 栅氧化膜 光电导
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化学气相沉积/渗透技术综述 被引量：11
13
作者 李崇俊 马伯信 金志浩 《固体火箭技术》 EI CAS CSCD 1999年第1期54-58,共5页
综述了化学气相沉积（ＣＶＤ）技术的最新发展，包括金属有机化合物化学气相沉积、等离子辅助化学气相沉积、激光化学气相沉积；同时介绍了三种用于制备工程材料的快速致密化化学气相渗透（ＣＶＩ）技术，包括强迫流动热梯度化学气相渗... 综述了化学气相沉积（ＣＶＤ）技术的最新发展，包括金属有机化合物化学气相沉积、等离子辅助化学气相沉积、激光化学气相沉积；同时介绍了三种用于制备工程材料的快速致密化化学气相渗透（ＣＶＩ）技术，包括强迫流动热梯度化学气相渗透、化学液相沉积、感应加热热梯度快速致密化技术。 展开更多
关键词 化学汽相淀积 化学气相渗透 复合材料 陶瓷基
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应用材料公司推出先进化学气相淀积薄膜技术
14
《中国集成电路》 2012年第4期5-6,共2页
在日前举办的SEMICONChina上，应用材料公司向业界展示了全新等离子体增强化学气相淀积（PECVD）薄膜技术，用于制造适用于下一代平板电脑和电视的更高性能高分辨率显示。这些源自应用材料公司业界领先的AKT—PECVD系统的先进绝缘薄膜... 在日前举办的SEMICONChina上，应用材料公司向业界展示了全新等离子体增强化学气相淀积（PECVD）薄膜技术，用于制造适用于下一代平板电脑和电视的更高性能高分辨率显示。这些源自应用材料公司业界领先的AKT—PECVD系统的先进绝缘薄膜，使得基于金属氧化物的晶体管的应用成为可能，制造出尺寸更小、开关速度更快的像素，从而帮助客户推出更受消费者欢迎的高分辨率显示屏。 展开更多
关键词 等离子体增强化学气相淀积 应用材料公司 薄膜技术 高分辨率 PECVD 金属氧化物 平板电脑 绝缘薄膜
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RF等离子辅助热丝CVD法制备大面积β-SiC薄膜
15
作者 姜岩峰 郝达兵 黄庆安 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期180-183,197,共5页
采用RF辅助加热CVD方法,在76mm硅衬底上生长了β-SiC薄膜。设备为电容耦合式RF(13.56MHz)等离子体装置,反应气体为甲烷(CH4);通过控制反应系统内碳原子成核生长的条件,实现了大面积β-SiC薄膜的生长。对样品进行了XRD、AFM检查;退火后... 采用RF辅助加热CVD方法,在76mm硅衬底上生长了β-SiC薄膜。设备为电容耦合式RF(13.56MHz)等离子体装置,反应气体为甲烷(CH4);通过控制反应系统内碳原子成核生长的条件,实现了大面积β-SiC薄膜的生长。对样品进行了XRD、AFM检查;退火后整个样片膜厚均匀、一致性好、应力低、与衬底的粘附性好。 展开更多
关键词 碳化硅 成核生长 等离子化学汽相淀积
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TEL推出等离子增强型批处理热CVD系统
16
《电子工业专用设备》 2005年第8期81-81,共1页
设在德州奥斯汀的TEL美国总部日前推出用于先进薄膜淀积的IRad，一种300mm等离子增强批处理热化学汽相淀积（CVD）系统。IRad系统是基于全面的经生产验证的TEL FORMULATM装料尺寸可变的反应器设计基础之上开发研制出的。
关键词 等离子增强 ad系统 批处理 推出 CVD 增强型 化学汽相淀积 300mm 薄膜淀积
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气相沉积表面强化技术的新进展 被引量：4
17
作者 闻立时 《材料保护》 CAS 1987年第1期4-7,共4页
一、前言材料的磨损、腐蚀及其它环境损伤是机械工业面临的基本问题之一.解决这个问题的有效途径是通过各种表面处理技术来强化材料的表面.近年来,各种离子和等离子体增强的气相沉积技术发展十分迅速,經济效益极为显著.其最突出的例子... 一、前言材料的磨损、腐蚀及其它环境损伤是机械工业面临的基本问题之一.解决这个问题的有效途径是通过各种表面处理技术来强化材料的表面.近年来,各种离子和等离子体增强的气相沉积技术发展十分迅速,經济效益极为显著.其最突出的例子是氮化钛镀层在高速钢刀具上的应用,能够提高寿命几倍至几十倍.被誉为'刀具革命'.其实,气相沉积技术除用于耐磨损和抗腐蚀外,还有光学膜、装饰膜、敏感元件和功能器件、集成电路、高分子材料聚合和改性、复合材料等.本文以机械工业材料表面强化为中心,分析离子增强气相沉积技术的现状及其应用前景. 二、气相沉积的基本原理和类型表面强化是運用各种技术改变材料表面的化学组成、相结构、显微组织和应力状态,以提高材料抗御环境破坏作用的能力.这些表面技术。 展开更多
关键词 表面强化 等离子体 合金镀层 基材 硬质合金 气相沉积 气相淀积 离子镀 化学镀 热腐蚀 热障涂层 刀具寿命
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传统 PECVD高品质氢化非晶硅的淀积率 被引量：1
18
作者 颜一凡 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期402-406,共5页
根据 Winer模型 ,联合 Winer模型和 Street的氢化学势理论 ,分别研究了传统 PECVD( CPECVD)高品质氢化非晶硅 ( HQ a-Si:H)的淀积率上限 rdup和淀积率 rd 与 a-Si:H缺陷密度 ND 的关系。得到的结论是 :( 1 )rdup=1 .6nm/s(目前实验上 rd... 根据 Winer模型 ,联合 Winer模型和 Street的氢化学势理论 ,分别研究了传统 PECVD( CPECVD)高品质氢化非晶硅 ( HQ a-Si:H)的淀积率上限 rdup和淀积率 rd 与 a-Si:H缺陷密度 ND 的关系。得到的结论是 :( 1 )rdup=1 .6nm/s(目前实验上 rd 已接近 1 .0 nm/s)。( 2 )对每一优化淀积温度 ( Ts=2 0 0～ 30 0°C) ,存在一相应的优化淀积率 rdop,当 rd<rdop时 ,rd 增加 ,ND减小 (解释了 Tsuda etal的实验曲线的左边 )。还讨论了在大淀积率下( 0 .5 nm/s<rd<rdup)制备 HQ a-Si:H时避免粉末形成的可能方法。结果显示 :适当功率密度 Pd/Si H4 流速率 fr和 (或 )适当的 Si H4 气压 Pr/fr匹配是至关重要的。 展开更多
关键词 非晶硅 等离子增强化学气相淀积 淀积率上限 优化淀积率
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含卤素源物质的金刚石薄膜淀积
19
作者 曹传宝 彭定坤 孟广耀 《应用科学学报》 CAS CSCD 1995年第4期483-487,共5页
含卤素源物质的金刚石薄膜淀积曹传宝（复旦大学）彭定坤，孟广耀（中国科学技术大学）关键词：金刚石，微波等离子体，化学汽相淀积，四氯化碳。０引言金刚石具有非常特殊的性质，它的硬度和弹性模量是已知材料中最高的，高导热性和高... 含卤素源物质的金刚石薄膜淀积曹传宝（复旦大学）彭定坤，孟广耀（中国科学技术大学）关键词：金刚石，微波等离子体，化学汽相淀积，四氯化碳。０引言金刚石具有非常特殊的性质，它的硬度和弹性模量是已知材料中最高的，高导热性和高绝缘性兼备，有很高的电子／空穴迁移... 展开更多
关键词 金刚石 化学汽相淀积 四氯化碳 薄膜
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PECVD淀积Si_3N_4作为光刻掩膜版的保护膜 被引量：2
20
作者 张晓情 李沛林 +1 位作者 王敬松 杨建红 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1096-1098,共3页
采用等离子增强化学汽相淀积(PECVD)方法淀积Si3N4薄膜作为光刻掩膜版的保护膜,可以降低掩膜版受损程度,延长使用寿命。分析了Si3N4膜厚的选取要求,给出了PECVD淀积Si3N4膜的工艺条件。实际制作了带有Si3N4保护的光刻掩膜版,并与不带Si... 采用等离子增强化学汽相淀积(PECVD)方法淀积Si3N4薄膜作为光刻掩膜版的保护膜,可以降低掩膜版受损程度,延长使用寿命。分析了Si3N4膜厚的选取要求,给出了PECVD淀积Si3N4膜的工艺条件。实际制作了带有Si3N4保护的光刻掩膜版,并与不带Si3N4保护的掩膜版的使用情况做了对比。结果表明,带有Si3N4保护的光刻掩膜版的使用寿命可明显延长2倍以上。 展开更多
关键词 等离子增强化学气相淀积 氮化硅 光刻版 保护膜
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