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等离子体增强化学气相淀积a-SiCOF薄膜的稳定性研究
1
作者 丁士进 张庆全 +2 位作者 王鹏飞 张卫 王季陶 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2001年第11期52-55,共4页
以正硅酸乙酯 (TEOS) /C4 F8/Ar为气源 ,采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备了低介电常数a SiCOF介质薄膜 ,并借助X射线光电子能谱 (XPS)和傅立叶变换红外光谱 (FTIR)对薄膜的化学键结构、热稳定性和抗吸水性进行了研究。
关键词 等离子体增强化学 a-SiCOF薄膜 稳定性 XPS FTIR 红外光谱 掺碳 掺氟 氧化硅薄膜
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等离子体化学气相淀积TiO_2薄膜材料 被引量:5
2
作者 沈瑜生 张俊颖 相承宗 《传感技术学报》 CAS CSCD 1989年第1期1-6,共6页
本文报导了以钛酸丁酯((C_4H_9O)_4Ti)为反应源物质,采用等离子体化学气相淀积(P-CVD)技术,在不同衬底上淀积出性能良好的TiO_2薄膜材料,并对其结构和气敏特性进行了初步研究。
关键词 薄膜 TiO2 等离子体化学 敏元件
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等离子体增强化学气相沉积法制备类金刚石薄膜研究综述 被引量:7
3
作者 马会中 路军涛 张兰 《科学技术与工程》 北大核心 2023年第18期7597-7606,共10页
类金刚石薄膜由于其独特的物理化学特性,使得该薄膜在光学、电学、机械、医学、航空航天等领域得到了广泛应用。等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)制备类金刚石是近几十年兴起的新的制备类金... 类金刚石薄膜由于其独特的物理化学特性,使得该薄膜在光学、电学、机械、医学、航空航天等领域得到了广泛应用。等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)制备类金刚石是近几十年兴起的新的制备类金刚石薄膜的方法,因其对沉积温度要求低,对基底友好,同时还具有沉积速率快和无转移生长的优势,获得了越来越多的研究者关注。详细介绍了类金刚石薄膜优异的特性,阐述了在等离子化学气相沉积条件下,不同沉积条件对沉积类金刚石薄膜结构特性的影响。衬底的选择直接影响着沉积类金刚石薄膜的性能,不同的衬底直接决定着生成类金刚石结构中sp^(3)相的数量和质量;沉积参数是最为常见的控制条件,对沉积薄膜的总体效果影响也是最大的,改变沉积参数,沉积薄膜的表面将会变得更加光滑致密;常用的掺杂元素是硅和氮,掺杂元素的引入往往是为了降低沉积薄膜的内应力,提高与衬底间的结合力,延长使用寿命等;由于很难直接在金属上沉积类金刚石薄膜,所以常通过制备复合层来改善沉积效果。最后对类金刚石薄膜的发展以及今后研究方向进行了展望。 展开更多
关键词 等离子体增强化学(pecvd) 类金刚石薄膜 条件 掺杂 复合层
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退火温度对等离子体增强化学气相沉积方法生长的ZnO薄膜质量的影响 被引量:1
4
作者 支壮志 王博 肇常胜 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期187-190,共4页
研究ZnO薄膜质量与退火温度的关系 ,为了获得高质量的晶体薄膜 ,采用PECVD方法在硅 (1 0 0 )衬底上生长ZnO薄膜 ,生长温度为 1 2 0℃ ,然后分别在氧气环境下退火 (6 0 0℃~ 1 0 0 0℃ ) 1h。X射线衍射谱和原子力显微镜 (AFM)照片结果... 研究ZnO薄膜质量与退火温度的关系 ,为了获得高质量的晶体薄膜 ,采用PECVD方法在硅 (1 0 0 )衬底上生长ZnO薄膜 ,生长温度为 1 2 0℃ ,然后分别在氧气环境下退火 (6 0 0℃~ 1 0 0 0℃ ) 1h。X射线衍射谱和原子力显微镜 (AFM)照片结果表明随着退火温度的升高 ,晶体择优取向明显 ,晶粒平均尺寸增大 ,到 90 0℃时 ,晶粒平均尺寸达到 38nm。光致发光谱的结果表明 ,随着退火温度的升高 ,发光峰的半高宽 (FWHM)逐渐地变窄 ,到 90 0℃时 ,达到 92meV ,晶体质量得到了明显提高。通过对变温光谱的拟合计算 ,得到激子束缚能为 5 9meV 。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 等离子体增强化学 pecvd 退火温度 激子发射 蓝移
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添加H_2对SiH_4/N_2/Ar等离子体淀积的氮化硅电学和光学特性的影响
5
作者 景亚霓 钟传杰 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第24期9-13,共5页
研究了加H2对SiH4/N2/Ar高密度、低离子能量的等离子体淀积的氮化硅薄膜(淀积的衬底温度为400℃)电学和光学性能的影响。实验结果表明,加入H2使氮化硅薄膜的光学带隙增加,其折射率以及在氢氟酸缓冲液中腐蚀速率减小,而XPS测试的N、Si原... 研究了加H2对SiH4/N2/Ar高密度、低离子能量的等离子体淀积的氮化硅薄膜(淀积的衬底温度为400℃)电学和光学性能的影响。实验结果表明,加入H2使氮化硅薄膜的光学带隙增加,其折射率以及在氢氟酸缓冲液中腐蚀速率减小,而XPS测试的N、Si原子比没有改变,均为1.3。FTIR测量表明,样品中Si-H键的密度低于仪器检测限,而添加H2的样品中N-H键密度稍增加。此外,由淀积的氮化硅膜构成的MIS结构的高频C-V测试(1 MHz)显示,当氢气流量从零增加到8sccm时,高频C-V的回滞幅度从(0.40±0.05)V降低到(0.10±0.01)V。基于这些实验结果和理论分析,表明了加适量H2能够促进弱的Si-Si键以及Si和N的悬挂键向Si-N键转化。 展开更多
关键词 等离子增强化学 氮化硅 添加 光学带隙 高频电容-电压特性
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线形微波等离子体CVD金刚石薄膜沉积技术 被引量:6
6
作者 唐伟忠 蒋开云 +1 位作者 耿春雷 黑立富 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期251-254,共4页
本文将讨论一种新型的微波等离子体CVD设备———线形微波等离子体CVD设备和其在金刚石薄膜制备技术中的应用。利用Langmuir探针方法对线形微波等离子体CVD设备产生的H2等离子体进行的等离子体参数测量表明,在工频半波激励的条件下,H2... 本文将讨论一种新型的微波等离子体CVD设备———线形微波等离子体CVD设备和其在金刚石薄膜制备技术中的应用。利用Langmuir探针方法对线形微波等离子体CVD设备产生的H2等离子体进行的等离子体参数测量表明,在工频半波激励的条件下,H2等离子体的电子温度和等离子体密度分别约为6 eV和1×1010/cm3。尝试利用线形微波等离子体CVD设备,在直径为0.5 mm的小尺寸硬质合金微型钻头上进行了金刚石涂层的沉积,获得了质量良好的金刚石涂层。由于线形微波等离子体CVD设备产生的等离子体面积具有容易扩大的优点,因而在需要使用较大面积等离子体的场合,它将有着很好的应用前景。 展开更多
关键词 线形微波等离子体 化学 金刚石薄膜
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电感耦合等离子体CVD制备Si薄膜的研究
7
作者 杨定宇 蒋孟衡 贺德衍 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第9期776-780,共5页
电感耦合等离子体(ICP)是一种极具发展前景的低温高密度等离子体源,已经在大规模集成电路的深亚微米刻蚀和大面积均匀薄膜的淀积中得到广泛应用。采用自主设计的ICP-CVD设备,在不同的衬底条件和SiH4浓度下制备了一系列的Si薄膜样品。采... 电感耦合等离子体(ICP)是一种极具发展前景的低温高密度等离子体源,已经在大规模集成电路的深亚微米刻蚀和大面积均匀薄膜的淀积中得到广泛应用。采用自主设计的ICP-CVD设备,在不同的衬底条件和SiH4浓度下制备了一系列的Si薄膜样品。采用多种结构分析手段对样品进行了测试,发现薄膜是非晶相、结晶相和孔隙的混合物,在较低的放电功率下即出现了相当比例的结晶相,对样品电导率和光学带隙的测试也进一步验证了这一结果。 展开更多
关键词 电感耦合等离子体化学 SI薄膜 SiH4浓度 结晶
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大马士革工艺中等离子体损伤的天线扩散效应
8
作者 赵悦 杨盛玮 +2 位作者 韩坤 刘丰满 曹立强 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第1期51-57,72,共8页
等离子体技术的广泛应用给工艺可靠性带来了挑战,等离子体损伤的评估成为工艺可靠性评估的重要内容之一。针对大马士革工艺中的等离子体损伤问题,提出了天线扩散效应,确定了相应工艺的天线扩散系数,提高了工艺可靠性评估的准确性。根据... 等离子体技术的广泛应用给工艺可靠性带来了挑战,等离子体损伤的评估成为工艺可靠性评估的重要内容之一。针对大马士革工艺中的等离子体损伤问题,提出了天线扩散效应,确定了相应工艺的天线扩散系数,提高了工艺可靠性评估的准确性。根据不同介质层沉积对器件的影响,确定了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是大马士革工艺中易造成等离子体损伤的薄弱环节之一。实验结果表明,同种工艺满足相同的天线扩散效应,此时工艺参数的改变不会影响天线扩散系数。对带有不同天线结构的PMOS器件进行可靠性分析,得知与密齿状天线相比,疏齿状天线对器件的损伤更严重,确定了结构面积和间距是影响PECVD工艺可靠性水平的关键参数。 展开更多
关键词 大马士革工艺 天线扩散效应 等离子体增强化学(pecvd) 等离子体损伤 经时击穿(TDDB)
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PECVD法淀积氟碳掺杂的氧化硅薄膜表征 被引量:2
9
作者 丁士进 张庆全 +1 位作者 张卫 王季陶 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期1169-1173,共5页
以正硅酸乙酯(TEOS)和八氟环丁烷(C4F8)为原料,采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备了氟碳掺杂的氧化硅薄膜(SiCOF).样品的X射线光电子能谱(XPS)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析表明... 以正硅酸乙酯(TEOS)和八氟环丁烷(C4F8)为原料,采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备了氟碳掺杂的氧化硅薄膜(SiCOF).样品的X射线光电子能谱(XPS)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析表明薄膜中含有Si-F、Si-O、C-F、C-CFx、CF2等构型.刚淀积的薄膜的折射率约为1.40.对暴露在空气中以及在不同温度下退火后薄膜的折射率做了测量,并对其变化机理进行了讨论,同时表明了理想的淀积温度应是300℃. 展开更多
关键词 等离子体增强化学 掺杂 氧化硅薄膜 X射线光电子能谱 FTIR 折射率
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PECVD淀积Si_3N_4作为光刻掩膜版的保护膜 被引量:2
10
作者 张晓情 李沛林 +1 位作者 王敬松 杨建红 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1096-1098,共3页
采用等离子增强化学汽相淀积(PECVD)方法淀积Si3N4薄膜作为光刻掩膜版的保护膜,可以降低掩膜版受损程度,延长使用寿命。分析了Si3N4膜厚的选取要求,给出了PECVD淀积Si3N4膜的工艺条件。实际制作了带有Si3N4保护的光刻掩膜版,并与不带Si... 采用等离子增强化学汽相淀积(PECVD)方法淀积Si3N4薄膜作为光刻掩膜版的保护膜,可以降低掩膜版受损程度,延长使用寿命。分析了Si3N4膜厚的选取要求,给出了PECVD淀积Si3N4膜的工艺条件。实际制作了带有Si3N4保护的光刻掩膜版,并与不带Si3N4保护的掩膜版的使用情况做了对比。结果表明,带有Si3N4保护的光刻掩膜版的使用寿命可明显延长2倍以上。 展开更多
关键词 等离子增强化学 氮化硅 光刻版 保护膜
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PECVD法低温沉积多晶硅薄膜的研究 被引量:9
11
作者 邱春文 石旺舟 黄羽中 《液晶与显示》 CAS CSCD 2003年第3期201-204,共4页
在玻璃衬底上采用常规的PECVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗粒(直径>100nm)、择优取向(220)明显的多晶硅薄膜。选用的反应气体为SiF4和H2混合气体。加入少量的SiH4后,沉积速率提高了近10倍。分析认为,在低温时促使多晶硅结构形成... 在玻璃衬底上采用常规的PECVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗粒(直径>100nm)、择优取向(220)明显的多晶硅薄膜。选用的反应气体为SiF4和H2混合气体。加入少量的SiH4后,沉积速率提高了近10倍。分析认为,在低温时促使多晶硅结构形成的反应基元应是SiFmHn(m+n≤3),而不可能是SiHn(n≤3)基团。 展开更多
关键词 pecvd 多晶硅薄膜 低温沉 太阳能电池 等离子体增强化学
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大面积应用的RF-PECVD技术研究 被引量:4
12
作者 杭凌侠 Y.Yin 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期172-176,180,共6页
本文探讨采用小电极与大面积基片相对移动的方法来制造大面积薄膜的可行性,提出了采用小电极等离子体源在大面积基片上移动工作的新方法,可用于沉积(或刻蚀)均匀大面积薄膜或根据需求设计的大面积上非均匀膜厚分布的薄膜,从原理上避免... 本文探讨采用小电极与大面积基片相对移动的方法来制造大面积薄膜的可行性,提出了采用小电极等离子体源在大面积基片上移动工作的新方法,可用于沉积(或刻蚀)均匀大面积薄膜或根据需求设计的大面积上非均匀膜厚分布的薄膜,从原理上避免大电极带来的不均匀性。介绍了这种方法中由两个电极构成的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统。分析了当电极移动时,电极与真空室壁相对位置发生变化时对等离子体参数的影响。我们发现当两个射频电极之间的相位差为定值时,等离子体的分布随电极与真空室壁的距离(极地距)变化而变化。当极地距小于80mm时,随极地距的增加,等离子体的悬浮电位和基片的自偏压下降,离子密度变化不明显。当极地距大于80mm时,等离子体的分布呈稳定状态,各参数变化不明显。采用PECVD方法镀制了大面积薄膜厚度呈均匀分布和非均匀分布的两种薄膜,提供了膜厚呈线性渐变和抛物线变化的两种薄膜样片,显示了该方法的灵活性和可行性。 展开更多
关键词 大面 均匀性 等离子体增强化学(pecvd) 双移动电极
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PECVD氮化硅薄膜制备工艺研究 被引量:3
13
作者 李伟东 吴学忠 李圣怡 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期396-398,共3页
通过原子力显微镜和台阶仪观察测试PECVD氮化硅薄膜的表面形貌及其在HF缓冲液中的被腐蚀速率,研究了用SiH4和NH3作反应气体时,影响PECVD氮化硅薄膜均匀性、致密性、淀积速率、被腐蚀速率的几个关键因素,并对一些常用的工艺参数进行了总结.
关键词 氮化硅 薄膜 等离子体增强化学(pecvd) 原子力显微镜(AFM) 台阶仪
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PECVD SiC薄膜的应力控制及抗腐蚀特性研究 被引量:2
14
作者 郭辉 王煜 +3 位作者 张海霞 田大宇 张国炳 李志宏 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期346-348,共3页
运用低温的PECVD方法进行了SiC薄膜的制备,通过改究工艺参数对SiC薄膜应力的影响,制备出低应力的SiC薄膜.研究了退火工艺、离子注入工艺对薄膜应力的影响,使得薄膜应力可控制,将无定形态的SiC变成微晶态SiC;解决了厚膜在高温退火下破裂... 运用低温的PECVD方法进行了SiC薄膜的制备,通过改究工艺参数对SiC薄膜应力的影响,制备出低应力的SiC薄膜.研究了退火工艺、离子注入工艺对薄膜应力的影响,使得薄膜应力可控制,将无定形态的SiC变成微晶态SiC;解决了厚膜在高温退火下破裂的问题,将SiC薄膜的电阻率降低到10Ω·cm的量级.对SiC的抗腐蚀特性进行了研究,对比了多种湿法、干法对SiC的腐/刻蚀速率.成功地将制备的低应力SiC薄膜用于MEMS器件的抗腐蚀保护. 展开更多
关键词 微机电系统 碳化硅 等离子体增强化学 薄膜 应力 离子注入 抗腐蚀
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用PECVD制备高抗腐蚀性能SiN_x薄膜的工艺研究 被引量:3
15
作者 刘瑞文 焦斌斌 +1 位作者 欧毅 陈大鹏 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期1907-1910,共4页
研究了一种可抗高温强碱溶液腐蚀的氮化硅薄膜的等离子增强化学气相淀积(PECVD)生长工艺。通过X射线光电子能谱(XPS)、椭圆偏振仪、湿法腐蚀等手段分析了所生长薄膜的元素含量、折射率、抗腐蚀特性等性质随淀积工艺条件的改变所产生的... 研究了一种可抗高温强碱溶液腐蚀的氮化硅薄膜的等离子增强化学气相淀积(PECVD)生长工艺。通过X射线光电子能谱(XPS)、椭圆偏振仪、湿法腐蚀等手段分析了所生长薄膜的元素含量、折射率、抗腐蚀特性等性质随淀积工艺条件的改变所产生的变化。制备出的氮化硅薄膜可在高温强碱溶液(70℃、33.3%KOH溶液)中支撑12h而无明显变化,并实现自支撑全镂空薄膜。 展开更多
关键词 等离子增强化学(pecvd) SiNx薄膜 湿法腐蚀
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PECVD SiO_2薄膜内应力研究 被引量:17
16
作者 孙俊峰 石霞 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期397-400,共4页
研究了等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法生长SiO2薄膜的内应力。借助XP-2型台阶仪和椭偏仪测量计算了SiO2薄膜的内应力,通过改变薄膜淀积时的工艺条件,如淀积温度、气体流量、反应功率、腔体压力等,分析了这些参数对SiO2薄膜内应力的... 研究了等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法生长SiO2薄膜的内应力。借助XP-2型台阶仪和椭偏仪测量计算了SiO2薄膜的内应力,通过改变薄膜淀积时的工艺条件,如淀积温度、气体流量、反应功率、腔体压力等,分析了这些参数对SiO2薄膜内应力的影响。同时讨论了内应力产生的原因以及随工艺条件变化的机理,对工艺条件的优化有一定参考价值。 展开更多
关键词 内应力 二氧化硅薄膜 等离子增强化学
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FDLC薄膜的化学结构对光学性能的影响 被引量:1
17
作者 刘雄飞 张德恒 齐海兵 《应用光学》 CAS CSCD 2007年第1期51-54,共4页
研究氟化类金刚石(FDLC)薄膜化学结构对光学性能的影响,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在玻璃基底上沉积氟化类金刚石(FDLC)薄膜,用俄歇能谱、傅里叶红外光谱(FT IR)、紫外-可见光分光光度计(UV-V IS)对薄膜进行分析。分析结果表... 研究氟化类金刚石(FDLC)薄膜化学结构对光学性能的影响,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在玻璃基底上沉积氟化类金刚石(FDLC)薄膜,用俄歇能谱、傅里叶红外光谱(FT IR)、紫外-可见光分光光度计(UV-V IS)对薄膜进行分析。分析结果表明:沉积薄膜是典型的类金刚石结构,薄膜中氟主要以C-F2键存在;随着沉积温度的提高,C-F2含量先增后减;随着F含量的增加,FDLC薄膜的sp3含量减少,sp2含量增加;光学带隙与sp2键含量密切相关,sp2含量越大,薄膜的光学带隙越小。 展开更多
关键词 氟化类金刚石薄膜 等离子体增强化学(pecvd) 光学带隙 温度
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ICPECVD法制备氧化硅薄膜的工艺研究
18
作者 刘雨涛 梁庭 +3 位作者 王心心 王涛龙 张瑞 熊继军 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2016年第4期13-14,39,共3页
以SH_4和O_2作为反应气体,利用电感耦合等离子体增强型化学气相淀积(ICPECVD)技术制备了氧化硅薄膜,通过正交试验设计的方法研究了反应室压强、衬底温度和射频功率3个关键工艺参数对氧化硅薄膜淀积速率的影响及其显著性。实验结果表明:... 以SH_4和O_2作为反应气体,利用电感耦合等离子体增强型化学气相淀积(ICPECVD)技术制备了氧化硅薄膜,通过正交试验设计的方法研究了反应室压强、衬底温度和射频功率3个关键工艺参数对氧化硅薄膜淀积速率的影响及其显著性。实验结果表明:反应室压强和射频功率对淀积速率的影响具有高度显著性,各参数对刻蚀速率的影响程度依次为反应室压强>射频功率>衬底温度,并讨论了所选参数对淀积速率的影响机理。 展开更多
关键词 等离子体增强化学 氧化硅薄膜 正交试验 速率
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低应力PECVD SiC晶圆级薄膜封装新技术
19
作者 王鹏程 成立 +2 位作者 吴衍 杨宁 王改 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期150-153,165,共5页
为了解决MEMS封装过程中易对微致动件造成损伤的问题,提出了一种低成本、与CMOS工艺兼容的晶圆级薄膜封装技术,用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法制备的低应力SiC作为封装和密封材料。此材料的杨氏模量为460 GPa,残余应力为65 MPa,可... 为了解决MEMS封装过程中易对微致动件造成损伤的问题,提出了一种低成本、与CMOS工艺兼容的晶圆级薄膜封装技术,用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法制备的低应力SiC作为封装和密封材料。此材料的杨氏模量为460 GPa,残余应力为65 MPa,可使MEMS器件悬浮时封装部位不变形。与GaAs,Si半导体材料相比,SiC具有较佳的物理稳定性,较高的杨氏模量等性能优势。将PECVD薄膜封装技术用于表面微结构和绝缘膜上Si(SOI)微结构部件(如射频开关、微加速度计等)封装中,不仅减小了封装尺寸,降低了芯片厚度,简化了封装工艺,而且封装芯片还与CMOS工艺兼容。较之晶圆键合封装方式,此晶圆级薄膜封装成本可降低5%左右。 展开更多
关键词 残余应力 等离子体增强化学 晶圆级薄膜封装技术 绝缘膜上硅 微电子机械系统
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RF-PECVD掺溴非晶碳氢膜的Raman光谱分析
20
作者 冯建鸿 卢铁城 +1 位作者 吴卫东 贾鹏 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第12期3309-3311,共3页
在室温条件下,以溴乙烷为单体、氢气为载气,用13.56MHz射频等离子体化学气相淀积方法(RF-PECVD)在硅片衬底上生长了掺溴非晶碳氢薄膜(a-C∶Br∶H)。通过对其进行Raman光谱分析,研究了工作气压对薄膜结构的影响。结果显示:随着气体工作... 在室温条件下,以溴乙烷为单体、氢气为载气,用13.56MHz射频等离子体化学气相淀积方法(RF-PECVD)在硅片衬底上生长了掺溴非晶碳氢薄膜(a-C∶Br∶H)。通过对其进行Raman光谱分析,研究了工作气压对薄膜结构的影响。结果显示:随着气体工作压力从20Pa下降至5Pa,样品D峰强度增强,ID/IG值逐步由1.18增加至1.36,G峰的位置向高频轻微移动;与此同时,薄膜生长方式逐步转为低能态形式生长,薄膜中sp2C逐步由链式结构向环式结构转化。 展开更多
关键词 拉曼光谱 射频等离子体化学方法 掺溴非晶碳氢薄膜 SP2
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