脉冲直流等离子体增强化学气相沉积Ti-Si-N纳米薄膜的摩擦磨损特性 被引量：9

1

作者 马大衍 王昕 +2 位作者 马胜利 徐可为 徐洮 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期476-479,共4页

采用工业型脉冲等离子体增强化学气相沉积设备,通过调节氯化物混合比例控制薄膜成分,在高速钢基材表面于550℃下沉积由纳米晶TiN和纳米非晶Si3N4组成的Ti-Si-N复合薄膜;采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射仪及X射线光电子... 采用工业型脉冲等离子体增强化学气相沉积设备,通过调节氯化物混合比例控制薄膜成分,在高速钢基材表面于550℃下沉积由纳米晶TiN和纳米非晶Si3N4组成的Ti-Si-N复合薄膜;采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射仪及X射线光电子能谱仪分析了薄膜的结构、组成和化学状态;采用球-盘高温摩擦磨损试验机考察了薄膜同GCr15钢对摩时的摩擦磨损性能.结果表明:薄膜的Si含量在0%～35%范围内变化,随着Si含量增大,薄膜沉积速率增大,但薄膜由致密形态向大颗粒疏松态过渡;薄膜的晶粒尺寸为7～50nm;Ti-Si-N薄膜的显微硬度高于TiN的硬度,最高可达60GPa;引入少量Si可以显著改善TiN薄膜的抗磨性能,但薄膜的摩擦系数较高(室温下约0.8、400℃下约0.7);随着Si含量的增加,Ti-Si-N薄膜的耐磨性能有所降低,其原因在于引入导电性较差的Si元素使得薄膜的组织变得疏松. 展开更多

关键词 等离子体增强化学气相沉积(PCVD) Ti—Si—N 纳米薄膜 摩擦磨损性能

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常压等离子体增强化学气相沉积纳米晶TiO_2多孔薄膜的研究 被引量：3

2

作者 李岩 徐绍魁 +1 位作者 徐金洲 张菁 《东华大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期108-113,共6页

采用等离子体增强化学气相沉积(PE-CVD)的方法及TiCl4/O2混合气体在常温常压下可制备纳米晶TiO2多孔薄膜.利用偏光显微镜分析(PM)、扫描电子显微镜分析(SEM)、高分辨透射电镜分析(HRTEM)、X光衍射分析(XRD)等检测手段,系统地对纳米晶TiO... 采用等离子体增强化学气相沉积(PE-CVD)的方法及TiCl4/O2混合气体在常温常压下可制备纳米晶TiO2多孔薄膜.利用偏光显微镜分析(PM)、扫描电子显微镜分析(SEM)、高分辨透射电镜分析(HRTEM)、X光衍射分析(XRD)等检测手段,系统地对纳米晶TiO2多孔膜表面形貌以及成分进行表征.研究结果表明:使用等离子体化学气相沉积方法,可以在常温常压下快速沉积纳米晶TiO2多孔薄膜,并且PE-CVD与传统的化学方法相比具有低能耗、低污染、方法简便、成本低等优点,是具有良好发展前景的纳米晶多孔薄膜制备新方法. 展开更多

关键词 等离子体增强化学气相沉积(PE-CVD) TiO2多孔薄膜 纳米晶结构

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等离子体增强化学气相沉积法制备类金刚石薄膜研究综述 被引量：7

3

作者 马会中 路军涛 张兰 《科学技术与工程》 北大核心 2023年第18期7597-7606,共10页

类金刚石薄膜由于其独特的物理化学特性,使得该薄膜在光学、电学、机械、医学、航空航天等领域得到了广泛应用。等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)制备类金刚石是近几十年兴起的新的制备类金... 类金刚石薄膜由于其独特的物理化学特性,使得该薄膜在光学、电学、机械、医学、航空航天等领域得到了广泛应用。等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)制备类金刚石是近几十年兴起的新的制备类金刚石薄膜的方法,因其对沉积温度要求低,对基底友好,同时还具有沉积速率快和无转移生长的优势,获得了越来越多的研究者关注。详细介绍了类金刚石薄膜优异的特性,阐述了在等离子化学气相沉积条件下,不同沉积条件对沉积类金刚石薄膜结构特性的影响。衬底的选择直接影响着沉积类金刚石薄膜的性能,不同的衬底直接决定着生成类金刚石结构中sp^(3)相的数量和质量;沉积参数是最为常见的控制条件,对沉积薄膜的总体效果影响也是最大的,改变沉积参数,沉积薄膜的表面将会变得更加光滑致密;常用的掺杂元素是硅和氮,掺杂元素的引入往往是为了降低沉积薄膜的内应力,提高与衬底间的结合力,延长使用寿命等;由于很难直接在金属上沉积类金刚石薄膜,所以常通过制备复合层来改善沉积效果。最后对类金刚石薄膜的发展以及今后研究方向进行了展望。 展开更多

关键词 等离子体增强化学气相沉积(pecvd) 类金刚石薄膜 沉积条件 掺杂 复合层

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退火温度对等离子体增强化学气相沉积方法生长的ZnO薄膜质量的影响 被引量：1

4

作者 支壮志 王博 肇常胜 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期187-190,共4页

研究ZnO薄膜质量与退火温度的关系 ,为了获得高质量的晶体薄膜 ,采用PECVD方法在硅 (1 0 0 )衬底上生长ZnO薄膜 ,生长温度为 1 2 0℃ ,然后分别在氧气环境下退火 (6 0 0℃～ 1 0 0 0℃ ) 1h。X射线衍射谱和原子力显微镜 (AFM)照片结果... 研究ZnO薄膜质量与退火温度的关系 ,为了获得高质量的晶体薄膜 ,采用PECVD方法在硅 (1 0 0 )衬底上生长ZnO薄膜 ,生长温度为 1 2 0℃ ,然后分别在氧气环境下退火 (6 0 0℃～ 1 0 0 0℃ ) 1h。X射线衍射谱和原子力显微镜 (AFM)照片结果表明随着退火温度的升高 ,晶体择优取向明显 ,晶粒平均尺寸增大 ,到 90 0℃时 ,晶粒平均尺寸达到 38nm。光致发光谱的结果表明 ,随着退火温度的升高 ,发光峰的半高宽 (FWHM)逐渐地变窄 ,到 90 0℃时 ,达到 92meV ,晶体质量得到了明显提高。通过对变温光谱的拟合计算 ,得到激子束缚能为 5 9meV 。 展开更多

关键词 ZNO薄膜 等离子体增强化学气相沉积 pecvd 退火温度 激子发射 蓝移

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纳米涂层在PCB表面防护中的应用

5

作者 李娟娟 郑旭彬 +2 位作者 刘路 罗鹏 徐倚丹 《腐蚀与防护》 北大核心 2025年第8期25-31,共7页

采用真空化学气相沉积(CVD)技术在印制电路板(PCB)表面制备了派瑞林和等离子体增强化学气相沉积(PECVD)纳米涂层,研究了涂层厚度、PCB表面离子含量对涂层防护性能的影响。结果表明:随PCB表面离子含量增大和涂层厚度减小,派瑞林纳米涂层... 采用真空化学气相沉积(CVD)技术在印制电路板(PCB)表面制备了派瑞林和等离子体增强化学气相沉积(PECVD)纳米涂层,研究了涂层厚度、PCB表面离子含量对涂层防护性能的影响。结果表明:随PCB表面离子含量增大和涂层厚度减小,派瑞林纳米涂层的防护性能劣化;PECVD纳米涂层的防护效果明显优于派瑞林纳米涂层,PCB表面离子含量和涂层厚度的变化对其影响较小。在进行PCB表面防护材料选型应用时,应综合考虑其疏水性和隔绝性能,以实现最佳的表面防护性能。 展开更多

关键词 派瑞林纳米涂层 等离子体增强化学气相沉积(pecvd)纳米涂层 印制电路板(PCB) 表面防护

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氦等离子体前处理对多晶硅薄膜性能的影响

6

作者 汝丽丽 孟月东 陈龙威 《深圳大学学报（理工版）》 EI CAS 北大核心 2013年第4期398-403,共6页

采用微波电子回旋共振等离子体增强磁控溅射(microwave electron cyclotron resonance plasma-enhanced magnetron sputtering,ECR-PEMS)和电子回旋共振等离子体辅助化学气相沉积(microwave electroncyclotron resonance chemical vapor... 采用微波电子回旋共振等离子体增强磁控溅射(microwave electron cyclotron resonance plasma-enhanced magnetron sputtering,ECR-PEMS)和电子回旋共振等离子体辅助化学气相沉积(microwave electroncyclotron resonance chemical vapor deposition,ECR-CVD)技术,分别在单晶硅片(100)基底上低温制备了多晶硅薄膜.采用拉曼光谱仪、X射线衍射仪以及原子力显微镜对薄膜微观结构及表面形貌进行表征,研究纯氦等离子体基底前期处理对所沉积薄膜性能的影响.结果表明,氦等离子体前处理技术能大幅提高多晶硅薄膜结晶度和颗粒尺寸,明显改善ECR-CVD法所得多晶硅薄膜的微观结构特性和表面形貌. 展开更多

关键词 等离子体物理 多晶硅薄膜 电子回旋共振 等离子体增强 氦等离子体 磁控溅射 化学气相沉积 薄膜结晶度 纳米材料

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常压连续等离子体制备长效亲水锂离子电池隔膜 被引量：3

7

作者 李妍 王超梁 +2 位作者 覃思成 周贵树 张菁 《东华大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2022年第6期29-35,共7页

基于常压连续等离子体增强化学气相沉积法,在聚乙烯隔膜上沉积含Si杂化纳米颗粒膜。采用扫描电子显微镜、红外光谱仪、X射线光电子能谱仪和光学接触角测量仪等仪器对隔膜的表面形貌、化学结构和亲水性等性能进行表征;使用电化学工作站... 基于常压连续等离子体增强化学气相沉积法,在聚乙烯隔膜上沉积含Si杂化纳米颗粒膜。采用扫描电子显微镜、红外光谱仪、X射线光电子能谱仪和光学接触角测量仪等仪器对隔膜的表面形貌、化学结构和亲水性等性能进行表征;使用电化学工作站对组装电池进行阻抗测试。结果表明:隔膜表面有杂化纳米颗粒紧密黏附,其成分为SiO_(3.5)C_(1.1)H_(x);涂层样的水接触角从121°降至22°左右,该接触角保持30 d无明显变化;经120℃热处理1 h后,透气性基本保持不变,符合锂离子电池组装过程对隔膜的要求;原样组装电池的电荷转移阻抗值为81.69Ω,而涂层样组装电池的阻抗为64.51Ω,说明电荷的传导性能得到提高。常压连续等离子体增强化学气相沉积方法可有效应用于长效亲水聚乙烯电池隔膜制备,在高性能锂离子电池方面拥有巨大的应用前景。 展开更多

关键词 锂离子电池隔膜 等离子体增强化学气相沉积 SiO_(3.5)C_(1.1)H_(x)纳米颗粒 亲水性 时效性 电化学阻抗

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大马士革工艺中等离子体损伤的天线扩散效应

8

作者 赵悦 杨盛玮 +2 位作者 韩坤 刘丰满 曹立强 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第1期51-57,72,共8页

等离子体技术的广泛应用给工艺可靠性带来了挑战,等离子体损伤的评估成为工艺可靠性评估的重要内容之一。针对大马士革工艺中的等离子体损伤问题,提出了天线扩散效应,确定了相应工艺的天线扩散系数,提高了工艺可靠性评估的准确性。根据... 等离子体技术的广泛应用给工艺可靠性带来了挑战,等离子体损伤的评估成为工艺可靠性评估的重要内容之一。针对大马士革工艺中的等离子体损伤问题,提出了天线扩散效应,确定了相应工艺的天线扩散系数,提高了工艺可靠性评估的准确性。根据不同介质层沉积对器件的影响,确定了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是大马士革工艺中易造成等离子体损伤的薄弱环节之一。实验结果表明,同种工艺满足相同的天线扩散效应,此时工艺参数的改变不会影响天线扩散系数。对带有不同天线结构的PMOS器件进行可靠性分析,得知与密齿状天线相比,疏齿状天线对器件的损伤更严重,确定了结构面积和间距是影响PECVD工艺可靠性水平的关键参数。 展开更多

关键词 大马士革工艺 天线扩散效应 等离子体增强化学气相沉积(pecvd) 等离子体损伤 经时击穿(TDDB)

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纳米晶Ti-Si-N超硬复合涂层的研究进展 被引量：6

9

作者 沈保罗 王均 +3 位作者 张铁邦 高见 冯浩 黄四九 《粉末冶金技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期383-387,共5页

本文对纳米晶Ti-Si-N超硬涂层材料国内外研究进展进行了系统的回顾,着重分析了制备方法(等离子增强化学气相沉积,等离子辅助化学气相沉积,直流磁控溅射和射频磁控溅射等)、工艺参数(沉积温度,进气比)和硅含量对Ti-Si-N微观结构、硬度、... 本文对纳米晶Ti-Si-N超硬涂层材料国内外研究进展进行了系统的回顾,着重分析了制备方法(等离子增强化学气相沉积,等离子辅助化学气相沉积,直流磁控溅射和射频磁控溅射等)、工艺参数(沉积温度,进气比)和硅含量对Ti-Si-N微观结构、硬度、抗氧化性、耐腐蚀性和耐磨性的影响。在合适的工艺条件下,能获得硬度最高的纳米TiN晶体镶嵌在非晶态的Si3N4基体上的复合涂层(nc-TiN/a-Si3N4)。该涂层有良好的性能并将得到广泛的应用。 展开更多

关键词 纳米晶Ti—Si—N超硬复合涂层 制备方法 等离子增强化学气相沉积 等离子辅助化学气相沉积 直流磁控溅射 射频磁控溅射

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PECVD法低温沉积多晶硅薄膜的研究 被引量：9

10

作者 邱春文 石旺舟 黄羽中 《液晶与显示》 CAS CSCD 2003年第3期201-204,共4页

在玻璃衬底上采用常规的PECVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗粒(直径>100nm)、择优取向(220)明显的多晶硅薄膜。选用的反应气体为SiF4和H2混合气体。加入少量的SiH4后,沉积速率提高了近10倍。分析认为,在低温时促使多晶硅结构形成... 在玻璃衬底上采用常规的PECVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗粒(直径>100nm)、择优取向(220)明显的多晶硅薄膜。选用的反应气体为SiF4和H2混合气体。加入少量的SiH4后,沉积速率提高了近10倍。分析认为,在低温时促使多晶硅结构形成的反应基元应是SiFmHn(m+n≤3),而不可能是SiHn(n≤3)基团。 展开更多

关键词 pecvd法 多晶硅薄膜 低温沉积 太阳能电池 等离子体增强化学气相沉积法

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304不锈钢管内壁沉积耐磨防腐DLC涂层 被引量：6

11

作者 魏徐兵 张明蓝 +3 位作者 王焱 鲁志斌 张广安 林博 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第9期87-96,共10页

目的将HiPIMS电源应用于PECVD技术,在304不锈钢管内壁沉积DLC涂层,以提高其机械、耐蚀及摩擦学性能。方法将HiPIMS电源应用于PECVD技术,并利用空心阴极放电效应在管道内产生高密度等离子体,沉积DLC涂层。通过拉曼光谱、扫描电子显微镜和... 目的将HiPIMS电源应用于PECVD技术,在304不锈钢管内壁沉积DLC涂层,以提高其机械、耐蚀及摩擦学性能。方法将HiPIMS电源应用于PECVD技术,并利用空心阴极放电效应在管道内产生高密度等离子体,沉积DLC涂层。通过拉曼光谱、扫描电子显微镜和EDS对DLC涂层的结构和成分进行表征,并通过纳米压痕测试、划痕试验、静态极化曲线和摩擦磨损试验,分别评价304不锈钢管基底和DLC涂层的硬度、膜基结合力、耐腐蚀性能、摩擦学性能和耐磨性。结果HiPIMS电源应用于PECVD技术可在304不锈钢管内壁沉积DLC涂层。DLC涂层的厚度可达5.60~10.26μm,硬度可达10~15GPa,与304管内壁的结合力(Lc2)均大于7N。DLC涂层的腐蚀电流密度较304不锈钢管基底降低了一个数量级,腐蚀电位也发生了正移。DLC涂层具有良好的润滑效果,摩擦系数低至0.06~0.18,磨损率低至2.5×10^-7~8.1×10^-7mm^3/(N·m),远低于304不锈钢管基底的磨损率(80×10^-7mm^3/(N·m))。结论将HiPIMS电源应用于PECVD技术在304不锈钢内壁沉积的DLC涂层具有较高的硬度,与304不锈钢管内壁具有较高的结合力,同时具有优异的耐腐蚀性能和耐磨性以及良好的润滑作用。HiPIMS电源应用于PECVD技术有望应用更长管道内壁DLC涂层的制备。 展开更多

关键词 高功率脉冲磁控溅射电源 空心阴极等离子体增强化学气相沉积 管内壁 DLC涂层 耐蚀性 耐磨性 均匀性

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沉积温度对类金刚石涂层表面形貌和性能的影响 被引量：2

12

作者 纪锡旺 郝俊文 +3 位作者 许振华 何利民 何志宏 甄洪滨 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2014年第11期40-45,共6页

采用直流等离子体增强化学气相沉积(DC-PECVD)技术,在不同温度下于YG8硬质合金基体上沉积了类金刚石(DLC)涂层,探讨了沉积温度对DLC涂层结构、表面形貌、厚度、显微硬度、耐磨损性能以及界面结合性能的影响。结果表明:随着沉积温度的升... 采用直流等离子体增强化学气相沉积(DC-PECVD)技术,在不同温度下于YG8硬质合金基体上沉积了类金刚石(DLC)涂层,探讨了沉积温度对DLC涂层结构、表面形貌、厚度、显微硬度、耐磨损性能以及界面结合性能的影响。结果表明:随着沉积温度的升高,DLC涂层中sp3键的比例呈先增大后减小的趋势,并在160℃达到最大,为69%;沉积温度过高将导致DLC涂层出现石墨化;DLC涂层的厚度、显微硬度、耐磨损性能、界面结合力均随沉积温度的升高呈先增大后减小的趋势,当沉积温度为160℃时,涂层表面平整光滑、致密,此时涂层的厚度、显微硬度和界面结合力均达到最大,分别为3.2μm、2 395HV和63N;DLC涂层的显微硬度、抗磨损能力、厚度和界面结合强度随沉积温度的变化规律与sp3键含量密切相关。 展开更多

关键词 直流等离子体增强化学气相沉积技术 类金刚石涂层 沉积温度

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用DBD-PECVD方法合成碳纳米管

13

作者 李飞 李社强 +2 位作者 江南 石晓光 冯克成 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期200-203,共4页

在大气压、较低温度下合成碳纳米管(CNTs),对于大规模的工业生产具有重要的意义。本文介绍了一种介质阻挡放电等离子体增强化学气相沉积(DBDPECVD)的方法,并利用该方法制备碳纳米管。实验是在约0.5个大气压、700℃下,通入氢气和甲烷的... 在大气压、较低温度下合成碳纳米管(CNTs),对于大规模的工业生产具有重要的意义。本文介绍了一种介质阻挡放电等离子体增强化学气相沉积(DBDPECVD)的方法,并利用该方法制备碳纳米管。实验是在约0.5个大气压、700℃下,通入氢气和甲烷的混合气体(CH4/H2为1∶10～1∶20),产生DBD等离子体;衬底为硅片;催化剂是用磁控溅射制备的Ni/Al薄膜,厚度分别为3nm和10nm。在扫描电镜下观察发现,碳纳米管的生长符合底端生长模式。在透射电镜下观察,碳纳米管没有竹节状结构。拉曼光谱分析表明,这种碳纳米管的结构缺陷比较多。 展开更多

关键词 碳纳米管 介质阻挡放电 等离子体增强化学气相沉积 镍催化

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连续硅基杂化隔膜涂层对锂离子电池性能的影响

14

作者 王明 覃思成 +2 位作者 王超梁 吴状春 张菁 《东华大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2019年第6期966-972,共7页

通过卷对卷连续常压等离子体增强化学气相沉积(atmospheric pressure plasma enhanced chemical vapor deposition,AP-PECVD)法,对锂离子电池聚乙烯(PE)隔膜进行涂层,制备了硅基杂化纳米颗粒涂层隔膜。通过衰减全反射傅里叶变换红外光谱... 通过卷对卷连续常压等离子体增强化学气相沉积(atmospheric pressure plasma enhanced chemical vapor deposition,AP-PECVD)法,对锂离子电池聚乙烯(PE)隔膜进行涂层,制备了硅基杂化纳米颗粒涂层隔膜。通过衰减全反射傅里叶变换红外光谱仪(ATR-FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和光学接触角测量仪对不同功率密度下涂层隔膜的物化性能进行表征,组装了LiFePO4/Li扣式电池并对其电化学性能进行测试,研究了100次循环后隔膜的表面特性。结果表明:纳米颗粒涂层隔膜含有-COOH、-OH、Si-O-Si、Si-OH等极性亲水基团,可显著降低电解液的接触角,提高润湿性;涂层隔膜的欧姆阻抗(Rs)和电荷迁移阻抗(Rct)显著降低,电导率增加。不同功率密度下的涂层隔膜能显著提高隔膜的物化性能和电池的电化学性能,但涂层隔膜的性能和功率密度之间并不呈正相关的关系,0.83 W/cm2功率密度下的涂层隔膜展示出更优的物化性能和电化学性。1C倍率100次循环后,未处理隔膜和涂层隔膜表面的孔隙都有一定程度的减小且Rs有所增加,但相对未处理的PE,涂层隔膜的颗粒与隔膜表面结合较好,孔径的减小和Rct的增加较少。 展开更多

关键词 常压等离子体增强化学气相沉积 功率密度 硅基杂化隔膜 在线涂层 电化学性能

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微图形定向碳纳米管场发射阵列冷阴极的研究 被引量：12

15

作者 陈长青 丁明清 +4 位作者 李兴辉 白国栋 张甫权 冯进军 邵文生 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期363-366,共4页

本文介绍了一种微图形化碳纳米管场发射阵列冷阴极,每个图形的直径仅为1μm,构成一个发射单元。制作工艺如下:首先在硅(100)基片上沉积氮化钛缓冲层,然后采用曝光工艺获得直径为1μm的胶孔阵列,沉积催化剂铁,最后采用直流等离子体增强... 本文介绍了一种微图形化碳纳米管场发射阵列冷阴极,每个图形的直径仅为1μm,构成一个发射单元。制作工艺如下:首先在硅(100)基片上沉积氮化钛缓冲层,然后采用曝光工艺获得直径为1μm的胶孔阵列,沉积催化剂铁,最后采用直流等离子体增强化学气相沉积(DC-PECVD)生长直立的碳纳米管。并对17500个发射单元的阵列阴极进行了表面形貌表征及场发射特性测试。结果表明,碳纳米管阵列阴极的一致性较好;最低开启电场为1 V/μm;电场为17 V/μm时,测得的电流密度已达到90 mA/cm2;发射电流为550μA时,在2.5 h内的波动小于5.6%。 展开更多

关键词 微图形 定向碳纳米管 场发射阵列冷阴极 直流等离子体增强化学气相沉积

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纳米硅粒子的表面氧化及其光致发光特性 被引量：2

16

作者 于威 徐焕钦 +3 位作者 徐艳梅 王新占 路万兵 傅广生 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期347-352,共6页

采用射频等离子体增强化学气相沉积技术制备了纳米晶硅粒子,并对其溶液发光的稳态和瞬态特性进行了研究。稳态光致发光结果显示,新制备的纳米硅粉体表现为峰值位于440 nm附近的蓝色发光,经长时间氧化后,该波段发光强度显著增强,并且出... 采用射频等离子体增强化学气相沉积技术制备了纳米晶硅粒子,并对其溶液发光的稳态和瞬态特性进行了研究。稳态光致发光结果显示,新制备的纳米硅粉体表现为峰值位于440 nm附近的蓝色发光,经长时间氧化后,该波段发光强度显著增强,并且出现另一峰值位于750 nm附近的红色发光带。不同波长激发和时间分辨光致发光谱的分析表明,纳米硅粒子蓝色发光归因于粒子内部载流子的带-带跃迁过程,衰减时间在纳秒量级,氧化造成该波段发光衰减时间常数增加。氧化后出现的红色发光来源于载流子经由表面缺陷态的辐射复合,该发光衰减寿命微秒量级。 展开更多

关键词 纳米硅粒子 射频等离子体增强化学气相沉积 光致发光

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RF-HFCVD生长高质量纳米金刚石薄膜 被引量：2

17

作者 邱东江 吴惠桢 +1 位作者 陈奶波 石成儒 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期167-170,共4页

采用射频等离子体增强的热丝化学气相沉积 (RF HFCVD)技术在石英玻璃衬底上制备了高质量的纳米金刚石薄膜 .研究了衬底温度、反应气压及射频功率对金刚石膜的结晶习性和光学性质的影响 ,其最佳值分别为70 0℃、2× 133Pa和 2 0 0W ... 采用射频等离子体增强的热丝化学气相沉积 (RF HFCVD)技术在石英玻璃衬底上制备了高质量的纳米金刚石薄膜 .研究了衬底温度、反应气压及射频功率对金刚石膜的结晶习性和光学性质的影响 ,其最佳值分别为70 0℃、2× 133Pa和 2 0 0W .在该条件下金刚石成核密度达 10 11cm-2 ,经 1h生长即获得连续薄膜 ,其平均晶粒尺寸为 2 5nm ,表面粗糙度仅为 5 5 ,在近红外区域 (80 0nm处 )的光透过率达 90 % . 展开更多

关键词 RF-HFCVD 生长 纳米金刚石薄膜 射频等离子体增强热丝化学气相沉积 光透过率

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定向/有序碳纳米管制备的研究进展 被引量：1

18

作者 刘登友 何志斌 +2 位作者 周海晖 旷亚非 陈金华 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第2期38-39,53,共3页

综述了国内外有序、定向碳纳米管制备的研究进展。着重介绍了模板法和等离子体增强化学气相沉积技术在碳纳米管制备方面的应用,并就制备原理、影响因素等作了简单介绍。

关键词 碳纳米管 制备技术 有序化 化学气相沉积 模板法 合成 等离子体增强化学气相沉积

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掺硼纳米非晶硅的太阳能电池窗口层应用研究 被引量：2

19

作者 李喆 张溪文 韩高荣 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期119-124,共6页

本文通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法沉积p型纳米非晶硅薄膜(na-Si∶H),系统地研究了掺杂气体比(B2H6/SiH4)、沉积温度、射频电源功率对薄膜结构、光学、电学性能的影响。研究表明,轻掺硼有利于非晶硅薄膜晶化,但随着掺硼量的增... 本文通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法沉积p型纳米非晶硅薄膜(na-Si∶H),系统地研究了掺杂气体比(B2H6/SiH4)、沉积温度、射频电源功率对薄膜结构、光学、电学性能的影响。研究表明,轻掺硼有利于非晶硅薄膜晶化,但随着掺硼量的增加,硼的"毒化"作用又使薄膜变为非晶态;与p型a-Si∶H相比,掺硼纳米硅薄膜的光学带隙Eopt较高,电导率较高,电导激活能较低,是一种很有潜力的太阳能电池窗口层材料。 展开更多

关键词 等离子体增强化学气相沉积 纳米非晶硅 硼掺杂 掺杂比 光学带隙

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纳米晶碳化钨薄膜的析氢催化性能 被引量：1

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作者 郑华均 王伟 +1 位作者 黄建国 马淳安 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期481-487,共7页

采用等离子体增强化学气相沉积法制备了具有纳米结构的碳化钨薄膜,采用XRD、 EDS、SEM方法表征了薄膜的表面形貌、化学组成和物相结构．这种碳化钨纳米晶薄膜具有巨大的电化学比表面积、很好的电催化活性和电化学稳定性．通过测试和计... 采用等离子体增强化学气相沉积法制备了具有纳米结构的碳化钨薄膜,采用XRD、 EDS、SEM方法表征了薄膜的表面形貌、化学组成和物相结构．这种碳化钨纳米晶薄膜具有巨大的电化学比表面积、很好的电催化活性和电化学稳定性．通过测试和计算表明,几何面积为1cm2碳化钨薄膜／泡沫镍电极、碳化钨薄膜／镍电极的电化学比表面积分别为83．21和 64．13cm2;该薄膜电极材料的a值为0．422-0．452V,接近低超电势材料;析氢交换电流密度为 4．02-4．22×10-4A／cm2;当超电势为263mV时,其析氢反应的活化能为45．62-45．77kJ／mol． 展开更多

关键词 等离子体增强化学气相沉积 碳化钨纳米晶薄膜 电催化 氢析出反应

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