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常压等离子体化学气相沉积制备UHMWPE/SiO_xC_yH_z锂离子杂化隔膜 被引量:5
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作者 王超梁 彭释 +2 位作者 戴协 石建军 张菁 《东华大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期179-184,共6页
采用常压等离子体化学气相沉积(APECVD)方法裂解六甲基二硅氧烷(HMDSO),在高强高模聚乙烯(UHMWPE)隔膜表面进行沉积,形成双面微纳米颗粒膜涂覆的UHMWPE/SiO_xC_yH_z杂化隔膜,并分别通过扫描电子显微镜(SEM)、衰减全反射傅里叶变换红外光... 采用常压等离子体化学气相沉积(APECVD)方法裂解六甲基二硅氧烷(HMDSO),在高强高模聚乙烯(UHMWPE)隔膜表面进行沉积,形成双面微纳米颗粒膜涂覆的UHMWPE/SiO_xC_yH_z杂化隔膜,并分别通过扫描电子显微镜(SEM)、衰减全反射傅里叶变换红外光谱(ATR-FTIR)、热性能测试方法等,研究了不同O2/HMDSO流量比对杂化隔膜结构与热性能的影响.研究结果表明,沉积薄膜为具有一定结晶特性的SiO_xC_yH_z微纳米颗粒薄膜,具有较好的多孔特性及与UHMWPE隔膜纤维的黏结.随着O2/HMDSO流量比的增加,在颗粒薄膜的亲水性、透气率及对隔膜的覆盖率提高的同时,明显地改善了杂化隔膜的耐热收缩性能,120℃下热处理30 min,热收缩率仅为2%左右,在具有较高耐热性要求的锂离子动力电池隔膜方面具有很好的应用前景. 展开更多
关键词 常压等离子体化学气相沉积(APECVD) SiOxCyHz多孔纳米颗粒薄膜 高强高模聚乙烯(UHMWPE) 离子电池隔膜 热收缩
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纳米多孔硅基薄膜的常压等离子体化学气相沉积过程研究 被引量:3
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作者 夏磊 周荃 +1 位作者 徐金洲 张菁 《东华大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期117-121,共5页
采用常压等离子体化学气相沉积(APECVD)的方法制备了带有新颖结构和特殊蓝紫光(400nm左右)发光特性的硅基薄膜.通过在自行研制的等离子体反应装置中通入按100∶1∶1的体积比进行配比的SiH4∶H2∶Ar混合气体进行APECVD,在加负偏压条件下... 采用常压等离子体化学气相沉积(APECVD)的方法制备了带有新颖结构和特殊蓝紫光(400nm左右)发光特性的硅基薄膜.通过在自行研制的等离子体反应装置中通入按100∶1∶1的体积比进行配比的SiH4∶H2∶Ar混合气体进行APECVD,在加负偏压条件下获得了由Si基组成的絮状多孔纳米结构薄膜.通过等离子体发射光谱测定了沉积过程中的电子温度在2.2eV左右,扫描电子显微镜(SEM)观测薄膜表面形貌后肯定了偏压对薄膜纳米结构的形成起着重要的作用. 展开更多
关键词 常压等离子体化学气相沉积(APECVD) 多孔硅基薄膜 负偏压 荧光(PL)
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热阴极直流辉光等离子体化学气相沉积法制备纳米晶金刚石膜的研究 被引量:2
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作者 彭鸿雁 赵万邦 +2 位作者 赵立新 姜宏伟 孙丽 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期6-9,17,共5页
采用热阴极直流辉光等离子体CVD方法,在氩气/甲烷/氢气混合气氛中制备出纳米晶金刚石膜,研究不同氩气/氢气流量比对纳米晶金刚石膜沉积的影响。对样品形貌的SEM测试表明,随着氩气与氢气流量比由40/160增加到190/10,膜中金刚石晶粒尺寸由... 采用热阴极直流辉光等离子体CVD方法,在氩气/甲烷/氢气混合气氛中制备出纳米晶金刚石膜,研究不同氩气/氢气流量比对纳米晶金刚石膜沉积的影响。对样品形貌的SEM测试表明,随着氩气与氢气流量比由40/160增加到190/10,膜中金刚石晶粒尺寸由约600nm减小到约30nm。金刚石膜Raman谱中金刚石特征峰逐渐减弱,石墨G峰逐渐增强,反式聚乙炔特征峰及其伴峰强度加大。等离子体光谱分析表明C2是生长纳米晶金刚石膜的主要活性基团。 展开更多
关键词 纳米晶金刚石膜 热阴极直流辉光等离子体化学气相沉积 /甲烷/氢混合
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等离子体化学气相沉积(PCVD)硬质膜成膜理论 被引量:5
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作者 马胜利 徐可为 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期39-43,50,共6页
PCVD硬质膜是目前材料表面强化领域的研究热点。介绍了 PCVD硬质膜的成膜理论、特点 ,讨论了等离子体引入化学气相沉积过程中所带来的一些变化 ,给出了现阶段 PCVD成膜理论研究的现状、存在问题及发展趋势。
关键词 等离子体化学气相沉积 硬质膜 成膜理论
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微波等离子体化学气相沉积法制备石墨烯的研究进展 被引量:3
5
作者 涂昕 满卫东 +1 位作者 游志恒 阳朔 《真空与低温》 2014年第2期63-70,76,共9页
微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法具有低温生长、基底材料选择广泛、容易掺杂等优点,是大面积、高速率、高质量石墨烯制备的首选。首先通过比较制备石墨烯的几种主要CVD方法得出MPCVD法的优势,然后阐述了MPCVD法制备石墨烯的研究,最... 微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法具有低温生长、基底材料选择广泛、容易掺杂等优点,是大面积、高速率、高质量石墨烯制备的首选。首先通过比较制备石墨烯的几种主要CVD方法得出MPCVD法的优势,然后阐述了MPCVD法制备石墨烯的研究,最后介绍了MPCVD法制备的石墨烯的应用并对MPCVD法制备石墨烯的发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 微波等离子体化学气相沉积 石墨烯 研究 应用
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放电电流对热阴极等离子体化学气相沉积金刚石膜影响
6
作者 白亦真 金曾孙 +1 位作者 吕宪义 韩雪梅 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期313-316,共4页
建立了快速沉积高品质金刚石膜的热阴极辉光放电等离子体化学气相沉积新方法.相对于常规冷阴极辉光放电而言,热阴极辉光放电是一种新型放电形式,具有许多新的特性,其中重要一点是具有较高的放电电流(6.0~10.0A).较高的放电电... 建立了快速沉积高品质金刚石膜的热阴极辉光放电等离子体化学气相沉积新方法.相对于常规冷阴极辉光放电而言,热阴极辉光放电是一种新型放电形式,具有许多新的特性,其中重要一点是具有较高的放电电流(6.0~10.0A).较高的放电电流既是热阴极辉光放电本身的突出特点,同时对于化学气相沉积金刚石膜工艺也产生重要影响.实验研究了放电电流于金刚石膜沉积速率、表面形貌和热导率的影响,发现由于放电电流影响辉光放电的等离子体区和阳极区,进而对金刚石膜的沉积速率和品质有很大影响.特别是通过放电电流的提高,可以有效地提高金刚石膜的品质,这对于制备优质金刚石膜产品有重大意义. 展开更多
关键词 放电电流 热阴极 等离子体化学气相沉积 金刚石膜
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微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石管及其表征
7
作者 高旭辉 魏俊俊 吕反修 《电子显微学报》 CAS CSCD 2005年第4期383-383,共1页
关键词 微波等离子体化学气相沉积 金刚石 制备 表征 钨丝 焦点
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大气压射频等离子体化学气相沉积TiO_2体系的发射光谱诊断 被引量:5
8
作者 常大磊 李小松 +1 位作者 赵天亮 朱爱民 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2013年第3期625-630,共6页
开展了大气压射频(RF)等离子体化学气相沉积(PCVD)TiO2放电体系的发射光谱诊断研究,分别考察了氧气分压、钛酸四异丙酯(TTIP)分压和输入功率对氧原子谱线相对强度、氩原子激发温度、OH振动温度以及转动温度的影响.结果表明:随着氧气分... 开展了大气压射频(RF)等离子体化学气相沉积(PCVD)TiO2放电体系的发射光谱诊断研究,分别考察了氧气分压、钛酸四异丙酯(TTIP)分压和输入功率对氧原子谱线相对强度、氩原子激发温度、OH振动温度以及转动温度的影响.结果表明:随着氧气分压的增加,氧原子谱线相对强度先迅速增加至峰值后缓慢下降,OH振动温度缓慢增加,而氩原子激发温度和OH转动温度基本不变.随着TTIP分压的增加,氧原子谱线相对强度下降,氩原子激发温度没有明显变化,而OH振动温度和转动温度增加.随着输入功率的增加,氧原子谱线相对强度下降,氩原子激发温度、OH振动温度和转动温度升高. 展开更多
关键词 压射频等离子体 介质阻挡放电 等离子体化学气相沉积 发射光谱诊断 TIO2
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微波等离子体化学气相沉积法制备大尺寸单晶金刚石的研究进展 被引量:6
9
作者 牟草源 李根壮 +4 位作者 谢文良 王启亮 吕宪义 李柳暗 邹广田 《电子与封装》 2023年第1期30-39,共10页
金刚石作为一种超宽禁带半导体,是下一代功率电子器件和光电子器件最有潜力的材料之一。然而,高品质、大面积(大于2英寸)单晶衬底的制备仍是金刚石器件产业应用亟待解决的问题。介绍了目前受到广泛关注的微波等离子体化学气相沉积法(MPC... 金刚石作为一种超宽禁带半导体,是下一代功率电子器件和光电子器件最有潜力的材料之一。然而,高品质、大面积(大于2英寸)单晶衬底的制备仍是金刚石器件产业应用亟待解决的问题。介绍了目前受到广泛关注的微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)获得大尺寸金刚石单晶衬底的技术方案,即单颗金刚石生长、拼接生长以及异质外延生长。综述了大尺寸单晶金刚石外延生长及其在电子器件领域应用的研究进展。总结了大尺寸单晶金刚石制备过程中面临的挑战并提出了潜在的解决方案。 展开更多
关键词 金刚石 微波等离子体化学气相沉积 三维生长 拼接生长 异质外延
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等离子体化学气相沉积的布气装置之设计 被引量:1
10
作者 黄绍江 谢红希 +1 位作者 侯惠君 戴达煌 《广东有色金属学报》 2002年第1期21-25,共5页
推导了在设计真空镀膜设备时 ,计算镀膜室内布气管的直径和出气孔孔径的公式 ,di =[d-41- D-4L∑im=2(n + 1- m) /(h + 10 -6Bq) ]-1/4 ,以达到均匀布气的目的 .给出了在等离子体化学气相沉积设备中的计算实例及应用情况 ,实践证明 ,用... 推导了在设计真空镀膜设备时 ,计算镀膜室内布气管的直径和出气孔孔径的公式 ,di =[d-41- D-4L∑im=2(n + 1- m) /(h + 10 -6Bq) ]-1/4 ,以达到均匀布气的目的 .给出了在等离子体化学气相沉积设备中的计算实例及应用情况 ,实践证明 ,用此公式设计真空镀膜均匀布气装置是可行的 . 展开更多
关键词 等离子体化学气相沉积 装置 设计 真空沉积 流量分布 管道流动
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采用空心阴极放电等离子体化学气相沉积方法制备a-CH薄膜 被引量:2
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作者 陈志梅 吴卫东 +3 位作者 唐永建 许华 唐晓虹 李常明 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期611-614,共4页
 研究了不同衬底 阴极距离、直流电压和H2流量对a CH薄膜沉积速率的影响。结果表明:衬底 阴极距离必须大于0.5cm,随着该距离的增加,薄膜的沉积速率减少;直流电压达550V时沉积速率最大;随着H2含量的增加,CH4含量相对减少,沉积速率随之...  研究了不同衬底 阴极距离、直流电压和H2流量对a CH薄膜沉积速率的影响。结果表明:衬底 阴极距离必须大于0.5cm,随着该距离的增加,薄膜的沉积速率减少;直流电压达550V时沉积速率最大;随着H2含量的增加,CH4含量相对减少,沉积速率随之降低。用AFM观察了以该方法制得的448.4nmCH薄膜的表面形貌,表面粗糙度约为10nm。最后测出了不同条件下CH薄膜的UV VIS谱,由此可以计算得到薄膜的禁带宽度及折射率。 展开更多
关键词 等离子体 化学沉积 空心阴极放电 CH薄膜
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新型微波等离子体化学气相沉积金刚石薄膜装置 被引量:9
12
作者 吕庆敖 邬钦崇 +4 位作者 隋毅峰 匡靖安 周永成 俞世吉 王守国 《真空与低温》 1998年第1期35-37,共3页
微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)是制备金刚石薄膜的一种重要方法。为了获得金刚石薄膜的高速率大面积沉积,在国内首次研制成功了5kW带有石英真空窗的天线耦合水冷却不锈钢反应室式MPCVD装置。初步用该装置成功在硅基... 微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)是制备金刚石薄膜的一种重要方法。为了获得金刚石薄膜的高速率大面积沉积,在国内首次研制成功了5kW带有石英真空窗的天线耦合水冷却不锈钢反应室式MPCVD装置。初步用该装置成功在硅基片上沉积得到了金刚石薄膜。 展开更多
关键词 微波等离子体 化学沉积 金刚石 薄膜
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微波等离子体化学气相沉积β-C_3N_4超硬膜的研究 被引量:1
13
作者 张永平 顾有松 +5 位作者 常香荣 田中卓 时东霞 马立平 张秀芳 袁磊 《河北科技大学学报》 CAS 1999年第4期1-4,共4页
采用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD),用高纯氮气(99.999% )和甲烷(99.9% )作反应气体,在多晶铂(Pt)基片上沉积C3N4 薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)和扫描隧道显微镜(STM)观察薄膜形貌... 采用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD),用高纯氮气(99.999% )和甲烷(99.9% )作反应气体,在多晶铂(Pt)基片上沉积C3N4 薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)和扫描隧道显微镜(STM)观察薄膜形貌表明,薄膜由针状晶体组成。X射线能谱(EDX)分析了这种晶态C-N膜的化学成分。对不同样品不同区域的分析结果表明,N/C比接近于4/3。X射线衍射结构分析说明该膜主要由β-C3N4 和α-C3N4 组成。利用Nano indenter Ⅱ测得C3N4 膜的体弹性模量B达到349 GPa,接近c-BN(367 GPa)的体弹性模量,证明C3N4 化合物是超硬材料家族中的一员。 展开更多
关键词 微波 等离子体 化学沉积 薄膜 沉积
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高定向纳米金刚石膜的高功率微波等离子体化学气相沉积研究
14
作者 唐春玖 侯海虹 +1 位作者 李明法 李文浩 《常熟理工学院学报》 2017年第2期11-15,共5页
采用高功率微波等离子体化学气相沉积法制备了高定向的纳米金刚石膜,研究了制备过程中促进<100>高定向纳米金刚石膜的生长条件与生长规律间的关联,并采用扫描电镜、原子力显微镜、拉曼光谱和X射线衍射仪对在不同实验条件下选择相... 采用高功率微波等离子体化学气相沉积法制备了高定向的纳米金刚石膜,研究了制备过程中促进<100>高定向纳米金刚石膜的生长条件与生长规律间的关联,并采用扫描电镜、原子力显微镜、拉曼光谱和X射线衍射仪对在不同实验条件下选择相同的氮气和氧气添加比例所制备的样品形貌、光学性质和晶向织构进行表征分析.研究结果表明,<100>高定向纳米金刚石膜的形成是各种生长条件的综合效应,相同的氮气和氧气添加并非是其形成的必然条件. 展开更多
关键词 纳米金刚石 高定向 和氧添加 微波等离子体化学气相沉积
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微波等离子体化学气相沉积金刚石膜装置的研究进展 被引量:9
15
作者 黄建良 汪建华 满卫东 《真空与低温》 2008年第1期1-5,共5页
综述了各种微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)金刚石膜装置的结构及工作原理,并对它们各自的优缺点做了比较分析;基于MPCVD金刚石膜装置的发展现状,构想设计了一种新型高效的大功率大面积快速沉积CVD金刚石膜装置,并对其可行性做了初步... 综述了各种微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)金刚石膜装置的结构及工作原理,并对它们各自的优缺点做了比较分析;基于MPCVD金刚石膜装置的发展现状,构想设计了一种新型高效的大功率大面积快速沉积CVD金刚石膜装置,并对其可行性做了初步分析研究。 展开更多
关键词 金刚石膜 微波 化学沉积 装置
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微波等离子体化学气相沉积装置的工作原理 被引量:8
16
作者 吕庆敖 邬钦崇 《真空与低温》 1997年第2期74-76,共3页
微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)是制备金刚石膜的一种重要方法。用简单实验方法给出了MPCVD装置中微波模式转换、微波与等离子体耦合等工作原理。矩形波导中的TE10模式经微波模式转换器转变为同轴线中的TEM模式,... 微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)是制备金刚石膜的一种重要方法。用简单实验方法给出了MPCVD装置中微波模式转换、微波与等离子体耦合等工作原理。矩形波导中的TE10模式经微波模式转换器转变为同轴线中的TEM模式,再由TEM模式转变为圆波导的TM01模式。TM01模式激发低压气体形成等离子体,等离子体严重影响微波模式分布。在国内首次成功运行了5kW天线耦合石英窗式MPCVD装置。 展开更多
关键词 化学沉积 装置 金刚石 薄膜 MPCVD
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行波管夹持杆微波等离子体化学气相沉积金刚石厚膜改善散热性能研究 被引量:2
17
作者 谢扩军 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第9期85-87,77,共4页
采用微波等离子体化学气相沉积法在行波管Al2 O3 夹持杆上沉积金刚石厚膜 ,取代传统有毒的氧化铍陶瓷杆 ,用于宽带大功率行波管改善其散热性能 .经材料性能测试 ,慢波组件装配及性能测试 ,获得了较好的实验结果 :导热率大于 12W/cm .℃ ... 采用微波等离子体化学气相沉积法在行波管Al2 O3 夹持杆上沉积金刚石厚膜 ,取代传统有毒的氧化铍陶瓷杆 ,用于宽带大功率行波管改善其散热性能 .经材料性能测试 ,慢波组件装配及性能测试 ,获得了较好的实验结果 :导热率大于 12W/cm .℃ ,介电常数为 5 0~ 5 5 ,介质损耗为 1× 10 -3 ,体积电阻率大于 10 13 Ω/cm ;慢波组件导热性能与同结构的BeO组件相比提高 3 0倍 .整管冷测参数全部合格 ;整管热测在C波段测得Po =95W ,G =35db . 展开更多
关键词 微波等离子体 化学沉积 金刚石 行波管
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微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积法制备多晶硅薄膜 被引量:2
18
作者 左潇 魏钰 +2 位作者 陈龙威 舒兴胜 孟月东 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期356-361,共6页
利用微波电子回旋共振等离子体增强型化学气相沉积(ECR-PECVD)采用一步法直接在K9玻璃上低温沉积制备了多晶硅薄膜。研究了不同实验参数对薄膜沉积的影响,采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、扫描电子显微镜(SEM)等实验分析方法对不同条件... 利用微波电子回旋共振等离子体增强型化学气相沉积(ECR-PECVD)采用一步法直接在K9玻璃上低温沉积制备了多晶硅薄膜。研究了不同实验参数对薄膜沉积的影响,采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、扫描电子显微镜(SEM)等实验分析方法对不同条件下制备的样品进行了晶体结构和表面形貌分析,并讨论了多晶硅薄膜沉积的最佳条件。实验结果表明,玻璃衬底上多晶硅薄膜呈柱状生长,并有一定厚度的非晶孵化层;较高氢气比例和衬底温度有利于结晶,薄膜的结晶率达到了62%;晶粒团簇的最大尺寸约为500nm。 展开更多
关键词 电子回旋共振等离子体增强型化学沉积 低温 直接制备 多晶硅薄膜
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微波等离子体化学气相沉积——一种制备金刚石膜的理想方法 被引量:33
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作者 满卫东 汪建华 +1 位作者 马志斌 王传新 《真空与低温》 2003年第1期50-56,共7页
综述了微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法制备金刚石膜技术,表明MPCVD是高速、大面积、高质量制备金刚石膜的首选方法。介绍了几种常用的MPCVD装置类型,从MPCVD装置的结构特点可以看到,用该类型装置在生长CVD金刚石膜时显示出独特的优... 综述了微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法制备金刚石膜技术,表明MPCVD是高速、大面积、高质量制备金刚石膜的首选方法。介绍了几种常用的MPCVD装置类型,从MPCVD装置的结构特点可以看到,用该类型装置在生长CVD金刚石膜时显示出独特的优越性和灵活性。用MPCVD法制备出的金刚石膜其性能接近甚至超过天然金刚石,并在多个领域得到广泛应用。 展开更多
关键词 金刚石膜 化学沉积 微波
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等离子体化学气相沉积制备氮化碳薄膜 被引量:1
20
作者 唐见波 石玉龙 《青岛科技大学学报(自然科学版)》 CAS 2008年第3期246-249,252,共5页
以H2、N2和CH4气体为前驱气体,通过等离子体化学气相沉积技术制备氮化碳薄膜。采用场发射扫描电子显微镜(FS-EM)及其附带的能量分散电子谱(EDS)、X射线衍射分析(XRD)、红外光谱(FTIR)和拉曼光谱(Raman)对其结构、表面形貌、元素含量和... 以H2、N2和CH4气体为前驱气体,通过等离子体化学气相沉积技术制备氮化碳薄膜。采用场发射扫描电子显微镜(FS-EM)及其附带的能量分散电子谱(EDS)、X射线衍射分析(XRD)、红外光谱(FTIR)和拉曼光谱(Raman)对其结构、表面形貌、元素含量和成键状况进行了分析,并讨论了气体流量比和放电功率对薄膜制备的影响。实验结果表明:沉积的薄膜中含有晶态的C3N4,碳氮原子比接近于理论值0.75,样品中碳氮原子多以C N、C N的形式存在;样品中氮元素的含量随着反应气体中N2含量的增加而增加;放电功率的增大使薄膜的沉积速率增大。 展开更多
关键词 氮化碳 等离子体 化学沉积
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