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基于PECVD方法制备的透明硅氧烷(SiOxCyHz)阻隔薄膜特性研究 被引量:2
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作者 董茂进 冯煜东 +6 位作者 韩仙虎 蔡宇宏 秦丽丽 王毅 王冠 马凤英 王济洲 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2022年第2期99-103,共5页
柔性、透明的高阻隔性薄膜在有机太阳能薄膜电池、柔性有机发光二极管、电子纸和真空绝热板等领域都有需求。采用对电极辊结构的等离子体增强化学气相沉积方法,卷对卷的方式在聚酯(PET)基膜上,以硅醚(HMDSO)为单体,氧气(O;)为反应气体,... 柔性、透明的高阻隔性薄膜在有机太阳能薄膜电池、柔性有机发光二极管、电子纸和真空绝热板等领域都有需求。采用对电极辊结构的等离子体增强化学气相沉积方法,卷对卷的方式在聚酯(PET)基膜上,以硅醚(HMDSO)为单体,氧气(O;)为反应气体,制备了柔性硅氧烷(SiOxCyHz)薄膜。研究了膜厚,氧气/单体比例、压力等参数对透水率(WVTR)的影响规律、测试了膜层的组分、透射光谱、应力等特性。研究结果表明,透水率随硅氧烷薄膜厚度增大而减小,随氧气/单体比例增大而减小,随压力减小而增大。500 nm厚的硅氧烷薄膜透水率低于5×10;g/(m;·day),可见光谱段(380-760 nm)透光率达到88.6%,表面粗糙度为1.8 nm,薄膜应力随薄膜厚度增加显著增大。 展开更多
关键词 硅氧烷薄膜 对电极辊 等离子体增强化学气相沉积方法 阻隔膜 透水率
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纳米结构ZrO_2(Y)和ZrO_2(Y)-Al_2O_3粉体低温退火前后的结构和性质 被引量:1
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作者 KulkovS 袁华军 +2 位作者 韩炜 MelinikovA 邹广田 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期61-64,共4页
研究等离子体 -化学方法制备的纳米结构 Zr O2 -Y2 O3 和 Zr O2 -Y2 O3-Al2 O3 粉体及其不同温度退火前后的结构、性质变化 .结果表明 ,用这种方法制备的粉体 ,烧结后具有很好的聚合性能 ,聚合结构可达到 1~ 2 μm,且内部晶粒尺寸很小 ... 研究等离子体 -化学方法制备的纳米结构 Zr O2 -Y2 O3 和 Zr O2 -Y2 O3-Al2 O3 粉体及其不同温度退火前后的结构、性质变化 .结果表明 ,用这种方法制备的粉体 ,烧结后具有很好的聚合性能 ,聚合结构可达到 1~ 2 μm,且内部晶粒尺寸很小 (2 5~ 35 nm) ;在 12 0 0℃以下退火 ,X射线衍射图谱上没有 Al2 O3 的衍射峰 ;对于两种体系 ,主相 Zr O2 的结构虽大致相同 ,但当低温退火 (<12 0 0℃ )时其在 Zr O2 -Y2 O3 体系中的晶格畸变比在 Zr O2 -Y2 O3-Al2 O3 系统中的变化更大 ;晶粒尺寸 (D)为 10~ 15 展开更多
关键词 纳米结构 退火 超细陶瓷微粉 等离子体化学方法 结构 性质 氧化锈 氧化钇 氧化铝
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纳米金刚石薄膜的二次电子发射特性 被引量:2
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作者 李凯 金晓 +2 位作者 甘孔银 王汉斌 胡和平 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期1744-1748,共5页
简要介绍了微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法在硅基底上制备纳米金刚石薄膜的过程,并对制备的薄膜进行了表面分析。在此基础上设计出了用来测定反射型二次电子发射系数的实验装置,得出了几种薄膜在不同入射能量下的发射系数,取得了... 简要介绍了微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法在硅基底上制备纳米金刚石薄膜的过程,并对制备的薄膜进行了表面分析。在此基础上设计出了用来测定反射型二次电子发射系数的实验装置,得出了几种薄膜在不同入射能量下的发射系数,取得了二次发射系数为15的满意结果,表明纳米金刚石薄膜作为二次电子发射材料具有很好的应用前景。 展开更多
关键词 高平均功率自由电子激光 纳米金刚石膜 微波等离子体化学气相沉积方法 二次电子发射特性
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PECVD布气装置气流场的模拟分析 被引量:2
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作者 金捷 朱红萍 王成刚 《现代制造工程》 CSCD 北大核心 2012年第12期93-96,123,共5页
采用Fluent、Templot等相关软件对PECVD布气装置气流的流动过程进行模拟,并进行可视化分析;得出气流入口采用直口开孔方式,同时,气流入口到布气板距离L=4.5mm时布气最均匀,这为均匀布气装置的研制提供了依据。
关键词 等离子体增强化学气相沉积方法 布气装置 气流场分布 模拟分析
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RF-PECVD掺溴非晶碳氢膜的Raman光谱分析
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作者 冯建鸿 卢铁城 +1 位作者 吴卫东 贾鹏 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第12期3309-3311,共3页
在室温条件下,以溴乙烷为单体、氢气为载气,用13.56MHz射频等离子体化学气相淀积方法(RF-PECVD)在硅片衬底上生长了掺溴非晶碳氢薄膜(a-C∶Br∶H)。通过对其进行Raman光谱分析,研究了工作气压对薄膜结构的影响。结果显示:随着气体工作... 在室温条件下,以溴乙烷为单体、氢气为载气,用13.56MHz射频等离子体化学气相淀积方法(RF-PECVD)在硅片衬底上生长了掺溴非晶碳氢薄膜(a-C∶Br∶H)。通过对其进行Raman光谱分析,研究了工作气压对薄膜结构的影响。结果显示:随着气体工作压力从20Pa下降至5Pa,样品D峰强度增强,ID/IG值逐步由1.18增加至1.36,G峰的位置向高频轻微移动;与此同时,薄膜生长方式逐步转为低能态形式生长,薄膜中sp2C逐步由链式结构向环式结构转化。 展开更多
关键词 拉曼光谱 射频等离子体化学气相淀积方法 掺溴非晶碳氢薄膜 SP2
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