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瞬态小尺寸等离子体的判断及光谱法表征
被引量：
5
1
作者
张琳
冯红艳
+1 位作者
吴蓉
朱顺官
《兵工学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第11期1435-1439,共5页
以等离子体为激发能量的点火方式是含能材料点火技术的一个发展方向,等离子体的基本参数如温度和电子密度对研究等离子体点火的机理是重要的参数。对于半导体桥（SCB）在一定放电条件下所产生的瞬态小尺寸等离子体,很多等离子体诊断方...
以等离子体为激发能量的点火方式是含能材料点火技术的一个发展方向,等离子体的基本参数如温度和电子密度对研究等离子体点火的机理是重要的参数。对于半导体桥（SCB）在一定放电条件下所产生的瞬态小尺寸等离子体,很多等离子体诊断方法不能适用。本研究利用原子发射光谱技术,同时获得SCB等离子体温度和电子密度随时间分布的诊断结果,在放电电压为16 V,充电电容为47μF条件下,1.0Ω的SCB等离子体温度分布在2 400-3 800 K之间,电子密度约为3.2×10^14-4.2×10^14个/cm3左右。同时,依据等离子体成立的空间尺度和时间尺度条件,根据光谱诊断结果,判断不同型号的SCB的放电行为是否产生等离子体。本研究为瞬态小尺寸等离子体诊断提供了一种有效的方法,为SCB桥体的设计以及点火方式的控制提供了理论指导和参考依据,以及用于其它体系中等离子体参数的诊断及判断。
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关键词
等离子体
物理学
半导体桥
原子发射光谱法
等离子体
温度
等离子体
密度
等离子体判据
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职称材料
原子发射光谱法研究SCB放电特性
被引量：
1
2
作者
张琳
冯红艳
+2 位作者
朱顺官
吴蓉
张文超
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第11期3130-3133,共4页
半导体桥(SCB)通过桥膜放电进行含能材料的点火,具有低点火能量、高安全性以及能与数字逻辑电路组合等优点。文章利用原子发射光谱技术研究了其放电特性。首先用Cu原子谱线510.5和521.8nm进行温度测量,用Si原子谱线390.5nm和Si离子线413...
半导体桥(SCB)通过桥膜放电进行含能材料的点火,具有低点火能量、高安全性以及能与数字逻辑电路组合等优点。文章利用原子发射光谱技术研究了其放电特性。首先用Cu原子谱线510.5和521.8nm进行温度测量,用Si原子谱线390.5nm和Si离子线413.0nm进行电子密度测量,同时获得SCB放电温度和电子密度随时间分布的测量结果。在放电电压为20V,充电电容为47μF条件下,1.0Ω的SCB放电温度分布在2500～4300K之间,电子密度约为1016cm-3左右。然后根据光谱诊断结果,结合等离子体成立的空间尺度和时间尺度条件,判断两种规格的SCB的放电行为是否产生等离子体。该研究结果为SCB桥体的设计以及点火方式的控制提供了理论依据,也为瞬态小尺寸等离子体的判断和诊断提供了一种参考方法。
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关键词
原子发射光谱法
温度诊断
电子密度诊断
等离子体判据
SCB放电
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职称材料
题名
瞬态小尺寸等离子体的判断及光谱法表征
被引量：
5
1
作者
张琳
冯红艳
吴蓉
朱顺官
机构
南京理工大学化工学院
巢湖大学化学系
出处
《兵工学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第11期1435-1439,共5页
文摘
以等离子体为激发能量的点火方式是含能材料点火技术的一个发展方向,等离子体的基本参数如温度和电子密度对研究等离子体点火的机理是重要的参数。对于半导体桥（SCB）在一定放电条件下所产生的瞬态小尺寸等离子体,很多等离子体诊断方法不能适用。本研究利用原子发射光谱技术,同时获得SCB等离子体温度和电子密度随时间分布的诊断结果,在放电电压为16 V,充电电容为47μF条件下,1.0Ω的SCB等离子体温度分布在2 400-3 800 K之间,电子密度约为3.2×10^14-4.2×10^14个/cm3左右。同时,依据等离子体成立的空间尺度和时间尺度条件,根据光谱诊断结果,判断不同型号的SCB的放电行为是否产生等离子体。本研究为瞬态小尺寸等离子体诊断提供了一种有效的方法,为SCB桥体的设计以及点火方式的控制提供了理论指导和参考依据,以及用于其它体系中等离子体参数的诊断及判断。
关键词
等离子体
物理学
半导体桥
原子发射光谱法
等离子体
温度
等离子体
密度
等离子体判据
Keywords
plasma physics
SCB atomic emission spectroscopy
plasma temperature
plasma density
plasma judgment
分类号
O657.33 [理学—分析化学]
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职称材料
题名
原子发射光谱法研究SCB放电特性
被引量：
1
2
作者
张琳
冯红艳
朱顺官
吴蓉
张文超
机构
南京理工大学化工学院
巢湖大学化学系
出处
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第11期3130-3133,共4页
基金
国家自然科学基金项目(50806033)资助
文摘
半导体桥(SCB)通过桥膜放电进行含能材料的点火,具有低点火能量、高安全性以及能与数字逻辑电路组合等优点。文章利用原子发射光谱技术研究了其放电特性。首先用Cu原子谱线510.5和521.8nm进行温度测量,用Si原子谱线390.5nm和Si离子线413.0nm进行电子密度测量,同时获得SCB放电温度和电子密度随时间分布的测量结果。在放电电压为20V,充电电容为47μF条件下,1.0Ω的SCB放电温度分布在2500～4300K之间,电子密度约为1016cm-3左右。然后根据光谱诊断结果,结合等离子体成立的空间尺度和时间尺度条件,判断两种规格的SCB的放电行为是否产生等离子体。该研究结果为SCB桥体的设计以及点火方式的控制提供了理论依据,也为瞬态小尺寸等离子体的判断和诊断提供了一种参考方法。
关键词
原子发射光谱法
温度诊断
电子密度诊断
等离子体判据
SCB放电
Keywords
Atomic emission spectroscopy
Temperature diagnosis
Density diagnosis
Plasma criterion
SCB discharge
分类号
O657.3 [理学—分析化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
瞬态小尺寸等离子体的判断及光谱法表征
张琳
冯红艳
吴蓉
朱顺官
《兵工学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
5
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
原子发射光谱法研究SCB放电特性
张琳
冯红艳
朱顺官
吴蓉
张文超
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
1
在线阅读
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职称材料
已选择
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