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等离子浸没离子注入法合成氧化钛/氮化钛梯度薄膜与控制研究 被引量:1
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作者 文峰 戴虹 +1 位作者 黄楠 孙鸿 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2002年第12期34-38,共5页
使用等离子浸没离子注入和反应沉积 (Plasmaimmersionionimplantationandre actiondeposition ,PIIID)的方法合成了氧化钛 /氮化钛梯度薄膜。研究开发了一套由可编程逻辑控制器 (ProgrammableLogicalControl,PLC)、D/A和质量流量控制器 ... 使用等离子浸没离子注入和反应沉积 (Plasmaimmersionionimplantationandre actiondeposition ,PIIID)的方法合成了氧化钛 /氮化钛梯度薄膜。研究开发了一套由可编程逻辑控制器 (ProgrammableLogicalControl,PLC)、D/A和质量流量控制器 (MassFlowControl,MFC)组成的智能控制系统 ,控制金属源阴极的推进和气体成分的改变。现场使用表明 ,整个控制系统稳定、可靠 ,具有较强的抗干扰能力 ,能够灵活方便地设置相应的技术参数。通过显微硬度计测试 ,针盘式摩擦磨损试验和结合力测试 ,分析了控制合成的薄膜的机械性能。采用X射线衍射、扫描电镜和SIMS ,分析与评价了薄膜的特性。结果表明 ,控制合成的Ti O/Ti N梯度薄膜具有良好的机械性能。 展开更多
关键词 等离子体侵没离子注入 可编程控制器 质量流量控制器 氮化钛 氧化钛梯度薄膜 合成 控制 半导体技术
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