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GaAs_(1-x)P_x∶N间接能隙材料的光致发光谱 被引量：1
1
作者 丁维清 林振金 +1 位作者 杨锡震 蔡萃丽 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1981年第2期59-66,共8页
前言近年来,对GaAs1-xPx材料的发光性质,国外已进行了许多研究。尤其是关于等电子杂质氮的参与对发光性质的影响,引起了更多人的注意,通过离子注入氮的掺杂,又使研究的范围向间接能隙区推进。以上这些研究所围绕的中心问题,在应用上,主... 前言近年来,对GaAs1-xPx材料的发光性质,国外已进行了许多研究。尤其是关于等电子杂质氮的参与对发光性质的影响,引起了更多人的注意,通过离子注入氮的掺杂,又使研究的范围向间接能隙区推进。以上这些研究所围绕的中心问题,在应用上,主要是发光二极管（LED）的发光效率和发光波长两方面。而GaAsP材料正是目前国内以致国际制造LED的重要材料,对它进行研究是有一定意义的。 展开更多
关键词 等电子杂质 发光二极管 能隙 发光效率 x)P_x 发光性质 发光波长 发光强度 流明效率 国际制造
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分子束外延生长ZnSe p-n结的蓝色电致发光
2
作者 邱建华 《液晶与显示》 CAS CSCD 1990年第4期20-24,共5页
利用光致发光光谱的方法研究了分子束外延生长氧掺杂ZnSe的光学特性。结果发现氧在ZnSe中作为一种等电子杂质起受主的作用,这种作用与通常使用的掺杂剂如氮所起的作用相同。由ZnSe p-n结得到了蓝色电致发光。Ga和O分别用作n型和p型ZnSe... 利用光致发光光谱的方法研究了分子束外延生长氧掺杂ZnSe的光学特性。结果发现氧在ZnSe中作为一种等电子杂质起受主的作用,这种作用与通常使用的掺杂剂如氮所起的作用相同。由ZnSe p-n结得到了蓝色电致发光。Ga和O分别用作n型和p型ZnSe的掺杂剂。电子束感生电流(EBIC)的结果有力地证实了p-n结的形成。室温下46(?)0(?)和77K下44600的带边发射在p-n结的电致发光光谱中占主导地位。 展开更多
关键词 ZNSE 电致发光 分子束外延生长 光致发光光谱 电子束感生电流 掺杂剂 等电子杂质 光学特性 发射峰 氧离子
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