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基于纳米器件低能质子数据预测重离子单粒子翻转阈值和截面
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作者 罗尹虹 张凤祁 +2 位作者 王坦 丁李利 江新帅 《原子能科学技术》 北大核心 2025年第8期1734-1741,共8页
为保障器件重离子单粒子效应实验数据可靠性和空间在轨单粒子错误率预估精度,本文开展了基于纳米器件低能质子单粒子效应实验数据预测器件等效硅层厚度、重离子单粒子翻转阈值和截面的方法研究。基于对纳米器件低能质子单粒子翻转截面... 为保障器件重离子单粒子效应实验数据可靠性和空间在轨单粒子错误率预估精度,本文开展了基于纳米器件低能质子单粒子效应实验数据预测器件等效硅层厚度、重离子单粒子翻转阈值和截面的方法研究。基于对纳米器件低能质子单粒子翻转截面峰上下限能量的提取,通过对应的硅中射程以及到达器件灵敏体积内质子能量、质子LET值和有效质子数占比的计算,在无需对器件进行纵切和开展重离子单粒子效应实验的情况下,即可准确获取器件灵敏体积上方等效硅层厚度、单粒子翻转LET阈值以及低LET值时器件单粒子翻转截面,基于实际的器件金属布线层信息和重离子单粒子效应实验数据验证了预测结果的准确性,在此基础上,进一步给出了基于余下射程的简化预测方法。 展开更多
关键词 低能质子 重离子 等效硅层厚度 单粒子翻转截面峰 LET阈值
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