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高k HfO2栅介质淀积后退火工艺研究
1
作者
刘倩倩
魏淑华
+2 位作者
杨红
张静
闫江
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第4期285-290,共6页
研究了淀积后退火（PDA）工艺（包括退火环境和退火温度）对高介电常数（k）HfO2栅介质MOS电容（MOSCAP）电学特性的影响。通过对比O2和N2环境中,不同退火温度下的HfO2栅介质MOSCAP的C-V曲线发现,高k HfO2栅介质在N2环境中退火时具有更...
研究了淀积后退火（PDA）工艺（包括退火环境和退火温度）对高介电常数（k）HfO2栅介质MOS电容（MOSCAP）电学特性的影响。通过对比O2和N2环境中,不同退火温度下的HfO2栅介质MOSCAP的C-V曲线发现,高k HfO2栅介质在N2环境中退火时具有更大的工艺窗口。通过对HfO2栅介质MOSCAP的等效氧化层厚度（dEOT）、平带电压（Vfb）和栅极泄漏电流（Ig）等参数进一步分析发现,与O2环境相比,高k HfO2栅介质在N2环境中PDA处理时dEOT和Ig更小、Vfb相差不大,更适合纳米器件的进一步微缩。HfO2栅介质PDA处理的最佳工艺条件是在N2环境中600℃下进行。该优化条件下高k HfO2栅介质MOSCAP的dEOT=0.75 nm,Vfb=0.37 V,Ig=0.27 A/cm-2,满足14或16 nm技术节点对HfO2栅介质的要求。
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关键词
HFO2
淀积后退火(PDA)
C-V特性
等效氧化层厚度
平带电压
栅极泄漏电流
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职称材料
题名
高k HfO2栅介质淀积后退火工艺研究
1
作者
刘倩倩
魏淑华
杨红
张静
闫江
机构
北方工业大学电子信息工程学院
中国科学院微电子研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第4期285-290,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(61504001)
北京市自然科学基金资助项目(4162023)
文摘
研究了淀积后退火（PDA）工艺（包括退火环境和退火温度）对高介电常数（k）HfO2栅介质MOS电容（MOSCAP）电学特性的影响。通过对比O2和N2环境中,不同退火温度下的HfO2栅介质MOSCAP的C-V曲线发现,高k HfO2栅介质在N2环境中退火时具有更大的工艺窗口。通过对HfO2栅介质MOSCAP的等效氧化层厚度（dEOT）、平带电压（Vfb）和栅极泄漏电流（Ig）等参数进一步分析发现,与O2环境相比,高k HfO2栅介质在N2环境中PDA处理时dEOT和Ig更小、Vfb相差不大,更适合纳米器件的进一步微缩。HfO2栅介质PDA处理的最佳工艺条件是在N2环境中600℃下进行。该优化条件下高k HfO2栅介质MOSCAP的dEOT=0.75 nm,Vfb=0.37 V,Ig=0.27 A/cm-2,满足14或16 nm技术节点对HfO2栅介质的要求。
关键词
HFO2
淀积后退火(PDA)
C-V特性
等效氧化层厚度
平带电压
栅极泄漏电流
Keywords
HfO2
post deposition annealing （ PDA ）
C-V characteristic
equivalent oxide thickness
flat band voltage
gate leakage current
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高k HfO2栅介质淀积后退火工艺研究
刘倩倩
魏淑华
杨红
张静
闫江
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018
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