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污秽绝缘子表面干区形成的影响因素 被引量:15
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作者 梁飞 MacAlpine Mark +1 位作者 关志成 张若兵 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期2604-2610,共7页
干区的形成是绝缘子污闪发生的一个必要条件,干区的形成受电压、污秽种类和含量、天气等诸多因素的影响,研究干区形成的影响因素问题,不仅有助于更加深刻地认识干区的形成,而且可以完善外绝缘污闪理论。为此,以矩形污秽玻璃片模拟实际... 干区的形成是绝缘子污闪发生的一个必要条件,干区的形成受电压、污秽种类和含量、天气等诸多因素的影响,研究干区形成的影响因素问题,不仅有助于更加深刻地认识干区的形成,而且可以完善外绝缘污闪理论。为此,以矩形污秽玻璃片模拟实际绝缘子,在人工雾室中试验研究了污秽和雾对干区形成的影响。试验结果表明:随着等值附盐密度(ESDD)的增加,干区的形成时间逐渐缩短,干区宽度逐渐减小;随着等值附灰密度(NSDD)的增加,干区的形成时间逐渐变长,干区宽度逐渐增大;随着雾浓度的增大,干区的形成时间不变,干区宽度逐渐减小。此外,基于热量平衡理论对这些影响趋势给出了解释。研究结果表明ESDD、NSDD和雾浓度对于干区的形成是有影响的。 展开更多
关键词 污闪 干区 等值密度(ESDD) 等值附灰密度(NSDD) 平板模型 人工污秽试验
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500kV长串绝缘子人工污秽闪络特性试验分析 被引量:5
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作者 张秀丽 张勤 +1 位作者 袁田 胡建勋 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期3069-3074,共6页
利用短串绝缘子的污秽耐受电压数据来推算长串绝缘子的污秽耐受电压会带来很大偏差,因此通过试验测量了500kV长串绝缘子的污秽闪络特性。选取典型防污型XWP2-160双伞型瓷绝缘子为试品,对单悬垂绝缘子串在不同等值附盐密度(ESDD)、不同... 利用短串绝缘子的污秽耐受电压数据来推算长串绝缘子的污秽耐受电压会带来很大偏差,因此通过试验测量了500kV长串绝缘子的污秽闪络特性。选取典型防污型XWP2-160双伞型瓷绝缘子为试品,对单悬垂绝缘子串在不同等值附盐密度(ESDD)、不同等值附灰密度(NSDD)以及不均匀积污工况下的人工污秽工频耐受电压特性进行研究后,根据试验结果求出该类型绝缘子的爬电距离有效系数,并对XWP2-160型瓷绝缘子V型串、倒V型串、单悬垂串试验结果进行了对比。试验结果表明:XWP2-160绝缘子串人工污秽闪络电压与ESDD、NSDD呈负相关关系;单悬垂型绝缘子串的爬电距离有效系数为0.78;V型绝缘子串和倒V型绝缘子串单片绝缘子的最大污秽耐受电压与单悬垂串相比有不同程度的增加,V型串和倒V型串的串型修正系数分别为1.08和1.15。这些数据可作为500kV长串绝缘子的挂网运行提供防污参考。 展开更多
关键词 长串绝缘子 防污特性 爬电距离 人工污秽 闪络电压 等值密度 等值附灰密度
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