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第二种基元对聚硅氧烷类侧链液晶高分子热性能的影响
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作者 丛越华 张宝砚 +1 位作者 王文彬 周爱娟 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2000年第z1期50-53,共4页
采用差示扫描量热法(DSC)和热失重分析(TGA),对含有两种基元的聚硅氧烷类液晶聚合物进行了研究,探讨了离子基元和第二种介晶基元对原有液晶聚合物热性能的影响。当离子基元引入聚硅氧烷链液晶聚合物上时所生成的液晶离聚物的Tg较原液... 采用差示扫描量热法(DSC)和热失重分析(TGA),对含有两种基元的聚硅氧烷类液晶聚合物进行了研究,探讨了离子基元和第二种介晶基元对原有液晶聚合物热性能的影响。当离子基元引入聚硅氧烷链液晶聚合物上时所生成的液晶离聚物的Tg较原液晶聚合物变化不大;Tc提高8~60℃。而把第二种介晶基元引入原聚硅氧烷液晶聚合物,Tc远高于原液晶聚合物,中介区间提高了170℃C以上,这可能是异种介晶基元在链中的交互作用引起的,所有液晶聚合物的Tg均在室温以下。 展开更多
关键词 聚硅氧烷 液晶 热性能 第二种基元
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