芯光润泽第三代半导体碳化硅项目开工

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《中国有色冶金》 CAS 北大核心 2017年第1期70-70,共1页

厦门芯光润泽科技有限公司第三代半导体SIC（碳化硅）功率模块产业化项目开工。芯光润泽公司成立于2016年3月,规划总投资20亿元,主要进行第三代半导体碳化硅功率模块的设计、研发及制造,创新发展碳化硅产业平台和示范基地,统筹技术开发... 厦门芯光润泽科技有限公司第三代半导体SIC（碳化硅）功率模块产业化项目开工。芯光润泽公司成立于2016年3月,规划总投资20亿元,主要进行第三代半导体碳化硅功率模块的设计、研发及制造,创新发展碳化硅产业平台和示范基地,统筹技术开发、工程化、标准制定、应用示范等环节,支持商业模式创新和市场拓展,形成硅基和碳化硅半导体材料的IGBT、MOSFET、FRD、SBD、JBS等大功率分立器件、大功率模块系列产品生产线，是国内先进的碳化硅功率模块封装厂之一。 展开更多

关键词 第三代半导体 商业模式创新 分立器件 半导体材料 功率模块 标准制定 技术开发 产业平台 全产业链 产品生产线

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第三代半导体SiC技术的崛起

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《中国有色冶金》 北大核心 2015年第2期47-47,共1页

第一代半导材料Si点燃了信息产业发展的＂星星之火＂,而Si材料芯片也成就了＂美国硅谷＂高科技产业群,促使英特尔等世界半导体巨头的诞生,95%以上的半导体器件和99%以上的集成电路都是由Si材料制作。目前全球40%能量作为电能被消耗,而... 第一代半导材料Si点燃了信息产业发展的＂星星之火＂,而Si材料芯片也成就了＂美国硅谷＂高科技产业群,促使英特尔等世界半导体巨头的诞生,95%以上的半导体器件和99%以上的集成电路都是由Si材料制作。目前全球40%能量作为电能被消耗,而电能转换最大耗散是半导体功率器件。 展开更多

关键词 半导体功率器件 耐恶劣环境 第三代半导体 SiC 美国硅谷 信息产业 漂移速度 电场强度

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基于文献计量的我国功率半导体器件研究状况分析 被引量：13

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作者 张倩 《电子测量技术》 2020年第4期29-33,共5页

电力电子器件又称为功率半导体器件,是电力电子技术的核心。基于文献计量的方法对我国功率器件领域的理论创新情况进行可视化研究。以知网数据库2010~2019年间发表的科技论文作为数据源,借助Ucinet软件对我国功率器件在热点领域、研究... 电力电子器件又称为功率半导体器件,是电力电子技术的核心。基于文献计量的方法对我国功率器件领域的理论创新情况进行可视化研究。以知网数据库2010~2019年间发表的科技论文作为数据源,借助Ucinet软件对我国功率器件在热点领域、研究机构、基金分布等方面进行分析。得知我国在该领域的发展状况主要为:1)研究重点大多集中在如何提高Si基IGBT和SiC基MOSFET的可靠性、工作效率等性能;2)应用领域多集中于电动汽车、电力电子器件、光伏逆变器、微波和开关电源;3)研究机构以科研院所和高校为主;4)基金项目主要以国家基金为主,诸多省市对于功率器件领域的基金项目尚是空白。分析结果旨在为政府部门及国家相关机构把控功率器件领域的知识创新情况和技术发展趋势提供参考。 展开更多

关键词 文献计量 功率器件 研究状况 第三代半导体 电力电子器件

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中国先进半导体材料及辅助材料发展战略研究 被引量：16

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作者 无 于坤山 《中国工程科学》 CSCD 北大核心 2020年第5期10-19,共10页

目前,以SiC、GaN为代表的第三代半导体材料快速发展,我国亟需抓住战略机遇期,实现先进半导体材料、辅助材料的自主可控,保障相关工业体系安全。本文在分析全球半导体材料及辅助材料研发与产业发展现状的基础上,寻找差距,结合我国现实情... 目前,以SiC、GaN为代表的第三代半导体材料快速发展,我国亟需抓住战略机遇期,实现先进半导体材料、辅助材料的自主可控,保障相关工业体系安全。本文在分析全球半导体材料及辅助材料研发与产业发展现状的基础上,寻找差距,结合我国现实情况,提出了构建半导体材料及辅助材料体系化发展、上下游协同发展和可持续发展的发展思路,制定了面向2025年和2035年的发展目标。为推动我国先进半导体材料及辅助材料产业发展,提出了建设集成电路关键材料及装备自主可控工程,SiC和GaN半导体材料、辅助材料、工艺及装备验证平台,先进半导体材料在第五代移动通信技术、能源互联网及新能源汽车领域的应用示范工程,并对如何开展三项工程进行了需求分析,设置了具体的工程目标和工程任务。最后,为推动半导体产业的创新发展,从坚持政策推动,企业和机构主导,整合国内优势资源;把握"超越摩尔"的历史机遇,布局下一代集成电路技术;构建创新链,进行创新生态建设等方面提出了对策建议。 展开更多

关键词 先进半导体材料 辅助材料 第三代半导体 2035

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光电导天线材料对辐射太赫兹波特性的模拟分析

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作者 侯磊 吴晓博 +2 位作者 杨磊 施卫 杭玉桦 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期551-556,共6页

光电导天线是太赫兹时域光谱系统中普遍使用的宽带太赫兹辐射源,天线衬底材料对其辐射太赫兹波特性至关重要。目前广泛使用的光电导天线材料是第二代半导体材料GaAs,而第三代半导体材料具有更大的禁带宽度,对提高天线辐射太赫兹波的功... 光电导天线是太赫兹时域光谱系统中普遍使用的宽带太赫兹辐射源,天线衬底材料对其辐射太赫兹波特性至关重要。目前广泛使用的光电导天线材料是第二代半导体材料GaAs,而第三代半导体材料具有更大的禁带宽度,对提高天线辐射太赫兹波的功率更有利。本文利用大孔径光电导天线的电流瞬冲模型,对常用光电导天线材料(SI-GaAs、LT-GaAs)和未来有望应用于光电导天线的第三代半导体材料(ZnSe、GaN、SiC)辐射太赫兹波的特性进行了仿真研究,结果表明在相同偏置电场和各自最高光通量触发下,LT-GaAs天线辐射太赫兹波的幅值最高、频谱最宽;第三代半导体材料制备的天线可以承受更高的偏置电场,在各自的最大偏置电场下辐射太赫兹波的强度远远大于GaAs天线。本工作对研制新型的第三代半导体光电导天线提供了理论指导。 展开更多

关键词 太赫兹辐射 第三代半导体材料 电流瞬冲模型 光电导天线

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车规级功率器件的封装关键技术及封装可靠性研究进展 被引量：8

6

作者 武晓彤 邓二平 +3 位作者 吴立信 刘鹏 杨少华 丁立健 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第8期689-701,共13页

半导体技术的进步推动了车规级功率器件封装技术的不断发展和完善,然而车规级功率器件应用工况十分复杂,面临高度多样化的热循环挑战,对其可靠性提出了更高的要求。因此,在设计、制造和验证阶段都必须执行更为严格的高功能安全标准。综... 半导体技术的进步推动了车规级功率器件封装技术的不断发展和完善,然而车规级功率器件应用工况十分复杂,面临高度多样化的热循环挑战,对其可靠性提出了更高的要求。因此,在设计、制造和验证阶段都必须执行更为严格的高功能安全标准。综述了车规级功率器件的封装关键技术和封装可靠性研究进展,通过系统地归纳适应市场发展需求的车规级功率器件封装结构,总结了封装设计关键技术和先进手段,同时概述了封装可靠性研究面临的挑战。深入探讨了车规级功率器件封装设计和封装可靠性的重要问题,在此基础上,借鉴总结已有的研究成果,提出了可行的解决方案。 展开更多

关键词 车规级功率器件 封装关键技术 封装结构 封装可靠性 第三代半导体器件

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顶部籽晶溶液法生长碳化硅单晶及其关键问题研究进展

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作者 顾鹏 雷沛 +2 位作者 叶帅 胡晋 吴戈 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第5期741-759,共19页

因其优异的物理特性,第三代半导体碳化硅(SiC)材料在高温、高频、高压及大功率电力电子器件和射频微波器件领域具有非常明确的应用前景。受限于自身技术特点,利用传统的物理气相输运(PVT)法制备SiC晶体仍面临许多技术挑战,难以满足当前... 因其优异的物理特性,第三代半导体碳化硅(SiC)材料在高温、高频、高压及大功率电力电子器件和射频微波器件领域具有非常明确的应用前景。受限于自身技术特点,利用传统的物理气相输运(PVT)法制备SiC晶体仍面临许多技术挑战,难以满足当前电子器件对大尺寸、高质量和低成本SiC单晶衬底的迫切需求。顶部籽晶溶液(TSSG)法可以在更低的温度和近热力学平衡条件下实现SiC晶体制备,能够显著弥补PVT法的不足,正逐渐成为极具竞争力的低成本、高质量SiC单晶衬底创新技术之一。本文首先阐述了TSSG法生长SiC晶体的理论依据,并给出了各工艺环节要点,然后归纳了TSSG法生长SiC晶体的主要技术优势,梳理了国内外在该技术领域的研究现状并重点讨论了TSSG法生长SiC晶体关键技术问题、产生机制,以及可能的解决途径等。最后,对TSSG法生长SiC晶体的未来发展做出展望。 展开更多

关键词 第三代半导体 碳化硅单晶 顶部籽晶溶液法 晶体形貌 台阶聚集 溶剂包裹 人工智能

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基于GaN的多倍频程宽带功率放大电路设计 被引量：3

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作者 谢晓峰 肖仕伟 郑贵强 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期356-360,共5页

随着第三代半导体GaN技术的发展成熟,GaN功率器件在各种电子系统中逐渐得到了广泛应用。由于GaN的功率器件具有击穿场强高和功率密度大的特点,因此很适合应用于功率放大技术中。结合商用GaN高电子迁移率晶体管的自身特性,基于GaN高电子... 随着第三代半导体GaN技术的发展成熟,GaN功率器件在各种电子系统中逐渐得到了广泛应用。由于GaN的功率器件具有击穿场强高和功率密度大的特点,因此很适合应用于功率放大技术中。结合商用GaN高电子迁移率晶体管的自身特性,基于GaN高电子迁移率晶体管的大信号模型,采用电抗匹配的方式,通过ADS软件进行仿真优化,设计并制作了0.5～4 GHz的宽带GaN功率放大器。最终测试结果表明,功率放大器在0.5～4 GHz的频带内,线性增益大于8.5 dB,增益平坦度为±1.3 dB。功率放大器饱和输出功率大于7 W,各个频点的最大功率附加效率大于22%,其中在1～3.75 GHz内饱和输出功率大于10 W,最大功率附加效率均大于40%。 展开更多

关键词 氮化镓 功率放大器 宽带 第三代半导体 微波放大器

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封面图片说明

9

作者 翟文杰 杨德重 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期22-22,共1页

碳化硅作为具有良好性能的第三代半导体材料,在MEMS、高能半导体器件等领域具有很大发展潜力.但该类材料硬度高、脆性大,加工困难,通常采用化学机械抛光（CMP）实现其基片表面的全局平坦化加工.CMP依靠嵌入抛光垫的磨粒对基片表面化学... 碳化硅作为具有良好性能的第三代半导体材料,在MEMS、高能半导体器件等领域具有很大发展潜力.但该类材料硬度高、脆性大,加工困难,通常采用化学机械抛光（CMP）实现其基片表面的全局平坦化加工.CMP依靠嵌入抛光垫的磨粒对基片表面化学改性层进行机械去除,切削深度为纳米级. 展开更多

关键词 第三代半导体材料 化学机械抛光 图片 封面 表面化学 半导体器件 MEMS 材料硬度

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化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展 被引量：9

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作者 韩跃斌 蒲勇 施建新 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第7期1300-1308,共9页

碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20年来随着外延设备和工艺技术水平不断提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在新能源汽车、光伏产业、高压输配线和智能电站等领域的应用需求越来越大。与硅半导体... 碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20年来随着外延设备和工艺技术水平不断提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在新能源汽车、光伏产业、高压输配线和智能电站等领域的应用需求越来越大。与硅半导体产业不同,碳化硅器件必须在外延膜上进行加工,因此碳化硅外延设备在整个产业链中占据承上启下的重要位置,而且也是整个产业链中最复杂、最难开发的设备。本文从碳化硅外延生长机理出发,结合反应室设计和材料科学的发展,介绍了化学气相沉积(CVD)法碳化硅外延设备反应室、加热系统和旋转系统等的技术进展,最后分析了CVD法碳化硅外延设备未来的研究重点和发展方向。 展开更多

关键词 碳化硅 外延生长设备 化学气相沉积 外延生长机理 反应室 第三代半导体 宽禁带半导体

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基于非等径双球堆积模型和蒙特卡罗仿真模拟的纳米铜烧结互连机理分析 被引量：2

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作者 蒋大伟 樊嘉杰 +2 位作者 胡栋 樊学军 张国旗 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第3期7-13,I0001,I0002,共9页

为了满足第三代半导体低温封装、高温服役的要求,纳米金属颗粒烧结封装互连逐渐替代传统钎料回流焊工艺,而高致密度烧结是实现高可靠性封装的必要条件之一.为了研究纳米铜颗粒烧结互连机理,首先通过非等径双球三维密集堆积模型构建理论... 为了满足第三代半导体低温封装、高温服役的要求,纳米金属颗粒烧结封装互连逐渐替代传统钎料回流焊工艺,而高致密度烧结是实现高可靠性封装的必要条件之一.为了研究纳米铜颗粒烧结互连机理,首先通过非等径双球三维密集堆积模型构建理论颗粒配比与堆积孔隙率之间的关系,然后采用蒙特卡罗仿真模拟不同粒径比的双球模型颗粒烧结过程,最后通过纳米铜混合烧结试验来验证理论推算和仿真模拟结果.结果表明,根据3种三维密集堆积模型估算,孔隙率最低时的颗粒粒径比在10∶1~5∶1之间;仿真模拟结果显示,粒径比为5∶1时的双球模型收缩率最大;选择250和50 nm两种粒径纳米铜进行混合烧结试验,证实烧结致密度最佳条件时的颗粒质量比为8∶1,与理论计算结果相符.由此可见,该方法可以为纳米铜烧结在第三代半导体封装互连中的应用和工艺优化提供了理论支持. 展开更多

关键词 第三代半导体 封装互连 纳米铜烧结 蒙特卡罗仿真模拟 致密性

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SiC特性分析仿真及其在移动储能电站的应用 被引量：2

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作者 罗红斌 邓林旺 +4 位作者 薛程升 李多辉 冯天宇 王超 邹德天 《储能科学与技术》 CAS CSCD 2017年第5期1105-1113,共9页

以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料由于其禁带宽度大、击穿场强高、热导率高、电子饱和漂移速度高等特性,在光电子领域及高频大功率应用上倍受青睐。本文对比了SiC和Si的物理结构和电气特性,并选取了两款MOSFETs,在... 以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料由于其禁带宽度大、击穿场强高、热导率高、电子饱和漂移速度高等特性,在光电子领域及高频大功率应用上倍受青睐。本文对比了SiC和Si的物理结构和电气特性,并选取了两款MOSFETs,在实验室中用Saber仿真了它们在电路中的损耗,结果显示SiC MOSFETs平均损耗比Si MOSFETs低30%~48%。最后,讨论了SiC器件在光电子、太阳能逆变器和移动储能电站中的应用,并且在实验室中测试、分析了两台来自不同厂家的样机,实验结果显示,SiC系统比Si系统运行温度降低50%~60%,损耗降低11%,整机效率提高2.68%,功率密度由约0.46 kW/L提高到0.90 kW/L。说明SiC能够大幅提升系统的效率和功率密度,因其巨大的潜力,未来有望将工作频率提升至500 kHz以上,将系统功率密度提升至现有产品的5~10倍。 展开更多

关键词 SIC 第三代半导体材料 移动储能电站 功率密度 效率 仿真

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聚焦电子信息材料发展前沿 抢占电子信息产业发展先机 共建电子信息产业强国 被引量：1

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作者 贾豫冬 《中国材料进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第10期738-739,共2页

第三代半导体材料技术——顺应时代的战略新技术 第三代半导体材料是指以GaN和SiC为代表的带隙宽度大于2eV的新型半导体材料。郑有蚪院士介绍了第三代半导体材料的应用和在各领域的巨大发展前景，LED照明的产业发展，智能化、与互联网... 第三代半导体材料技术——顺应时代的战略新技术 第三代半导体材料是指以GaN和SiC为代表的带隙宽度大于2eV的新型半导体材料。郑有蚪院士介绍了第三代半导体材料的应用和在各领域的巨大发展前景，LED照明的产业发展，智能化、与互联网融合的发展要求对第三代半导体材料提出新的要求； 展开更多

关键词 信息产业发展 电子信息产业 第三代半导体材料 材料发展 聚焦 LED照明 材料技术 带隙宽度

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第八届全国氧化锌学术会议征文通知

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《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期414-414,共1页

ZnO具有激子束缚能高、可见光透过率高、紫外吸收强等特点，同时拥有压电、热电等特性，是一种独特的第三代半导体材料。经过十多年持续的攻关研究，人们对ZnO半导体的光、电、磁及压电等特性的理解和研究不断深入。ZnO半导体在太阳能... ZnO具有激子束缚能高、可见光透过率高、紫外吸收强等特点，同时拥有压电、热电等特性，是一种独特的第三代半导体材料。经过十多年持续的攻关研究，人们对ZnO半导体的光、电、磁及压电等特性的理解和研究不断深入。ZnO半导体在太阳能电池、发电机、传感器、探测器、发光二极管和激光器等领域的应用成果不断涌现，特别是ZnO透明导电膜、薄膜晶体管等方面的大规模工业应用已迅速展开。 展开更多

关键词 征文通知 学术会议 第三代半导体材料 氧化锌 可见光透过率 工业应用 太阳能电池 发光二极管

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第八届全国氧化锌学术会议征文通知

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《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期695-695,共1页

ZnO具有激子束缚能高、可见光透过率高、紫外吸收强等特点，同时拥有压电、热电等特性，是一种独特的第三代半导体材料。经过十多年持续的攻关研究，人们对ZnO半导体的光、电、磁及压电等特性的理解和研究不断深入。ZnO半导体在太阳能... ZnO具有激子束缚能高、可见光透过率高、紫外吸收强等特点，同时拥有压电、热电等特性，是一种独特的第三代半导体材料。经过十多年持续的攻关研究，人们对ZnO半导体的光、电、磁及压电等特性的理解和研究不断深入。ZnO半导体在太阳能电池、发电机、传感器、探测器、发光二极管和激光器等领域的应用成果不断涌现，特别是ZnO透明导电膜、薄膜晶体管等方面的大规模工业应用已迅速展开。目前，ZnO的研究已进入功能扩展与综合利用的新阶段，有着巨大的潜在应用前景。 展开更多

关键词 征文通知 学术会议 第三代半导体材料 氧化锌 可见光透过率 工业应用 ZNO 太阳能电池

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第八届全国氧化锌学术会议征文通知

16

《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第6期836-836,共1页

ZnO具有激子束缚能高、可见光透过率高、紫外吸收强等特点,同时拥有压电、热电等特性,是一种独特的第三代半导体材料。经过十多年持续的攻关研究,人们对ZnO半导体的光、电、磁及压电等特性的理解和研究不断深入。ZnO半导体在太阳能电池... ZnO具有激子束缚能高、可见光透过率高、紫外吸收强等特点,同时拥有压电、热电等特性,是一种独特的第三代半导体材料。经过十多年持续的攻关研究,人们对ZnO半导体的光、电、磁及压电等特性的理解和研究不断深入。ZnO半导体在太阳能电池、发电机、传感器、探测器、发光二极管和激光器等领域的应用成果不断涌现,特别是ZnO透明导电膜、薄膜晶体管等方面的大规模工业应用已迅速展开。 展开更多

关键词 薄膜晶体管 第三代半导体 可见光透过率 透明导电膜 发光二极管 学术会议 激子束缚能 紫外吸收 大规模工业 潜在应用前景

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中美SiC科研合作签约

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《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第8期2027-2027,共1页

领域的中国＂领头羊＂与美国重量级专家联姻会产生何种化学反应？7月28日,中国天岳晶体材料公司与美国纽约州立大学签约,约定在＂代表着世界21世纪技术发展方向＂的宽禁带化合物半导体领域合作,从而为＂中国经济增长提供更优质的选择＂... 领域的中国＂领头羊＂与美国重量级专家联姻会产生何种化学反应？7月28日,中国天岳晶体材料公司与美国纽约州立大学签约,约定在＂代表着世界21世纪技术发展方向＂的宽禁带化合物半导体领域合作,从而为＂中国经济增长提供更优质的选择＂。双方并未透露合作的具体协议。 展开更多

关键词 化合物半导体 晶体材料 照明设备 第三代半导体 天岳 SIC 宽禁带 科研合作 技术发展方向 经济增长

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第五届高分辨率对地观测学术年会在西电开幕

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《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第1期180-180,共1页

2018年10月17日上午,第五届高分辨率对地观测学术年会在西电开幕。来自国内外高校、科研院所、企事业单位的1200余名专家、学者代表和学生齐聚一堂,共同探讨高分辨率对地观测创新发展的新时代课题。校长杨宗凯代表学校对年会的召开表示... 2018年10月17日上午,第五届高分辨率对地观测学术年会在西电开幕。来自国内外高校、科研院所、企事业单位的1200余名专家、学者代表和学生齐聚一堂,共同探讨高分辨率对地观测创新发展的新时代课题。校长杨宗凯代表学校对年会的召开表示祝贺。他指出,西电在电子信息领域深耕80余年,在雷达信号处理、第三代半导体材料与器件、集成电路封装、人工智能等领域领先全国。由西电主持研制的高速图像压缩芯片“雅芯-天图”搭载高分十一号卫星发射升空并传回了高分辨率遥感图像。希望以承办此次高分年会为契机,与高分领域的同仁们瞄准高分发展的最前沿,提出新概念、交流新技术、探讨新机制、共享新成果、支撑新应用,以主动服务国家需求的责任意识和使命意识,勇于担当、共同努力,为我国航天事业的发展做出更大的西电贡献。 展开更多

关键词 高分辨率遥感图像 学术年会 对地观测 第三代半导体材料 雷达信号处理 集成电路封装 图像压缩芯片 企事业单位

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苏州纳米所利用氮化镓器件从事核应用研究取得系列成果

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《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2011年第10期149-149,共1页

氮化镓（GaN）是一种Ⅲ／V直接带隙半导体，作为第三代半导体材料的代表，随着其生长工艺的不断发展完善，现已广泛应用于光电器件领域，如激光器（LD）、发光二极管（LED）、高电子迁移率晶体管（HEMT）等。GaN基材料的良好抗辐射性能... 氮化镓（GaN）是一种Ⅲ／V直接带隙半导体，作为第三代半导体材料的代表，随着其生长工艺的不断发展完善，现已广泛应用于光电器件领域，如激光器（LD）、发光二极管（LED）、高电子迁移率晶体管（HEMT）等。GaN基材料的良好抗辐射性能和环境稳定性， 展开更多

关键词 光电器件 氮化镓 第三代半导体材料 应用 高电子迁移率晶体管 利用 纳米 苏州

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大直径碳化硅单晶衬底材料获鲁2013技术发明一等奖

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《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期737-737,共1页

日前,山东省科学技术奖励大会在济南召开,会议表彰了2013年度为山东省科技创新和现代化建设作出突出贡献的科技工作者。山东大学晶体材料重点实验室徐现刚教授等完成的＂大直径4H-SiC单晶衬底材料＂获山东省技术发明一等奖。碳化硅是第... 日前,山东省科学技术奖励大会在济南召开,会议表彰了2013年度为山东省科技创新和现代化建设作出突出贡献的科技工作者。山东大学晶体材料重点实验室徐现刚教授等完成的＂大直径4H-SiC单晶衬底材料＂获山东省技术发明一等奖。碳化硅是第三代半导体材料,用于高温大功率半导体器件,在雷达、高压输电等方面有广泛用途,碳化硅的生长需要在2100多度的高温环境里进行,它的硬度仅次于金刚石。 展开更多

关键词 碳化硅单晶 技术发明 衬底材料 大直径 第三代半导体材料 功率半导体器件 科学技术奖励 高温环境

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