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宁波市第三代半导体产业链建设路线分析
1
作者 李向江 郑涵婷 方芳 《中国集成电路》 2025年第3期27-34,共8页
第三代半导体产业作为新兴高科技产业,其发展前景和应用领域十分广阔。宁波市作为中国的沿海城市,具备发展第三代半导体产业的地理、产业和人才优势。因此本文旨在分析宁波市发展第三代半导体产业链的建设路线,为促进产业升级和经济转... 第三代半导体产业作为新兴高科技产业,其发展前景和应用领域十分广阔。宁波市作为中国的沿海城市,具备发展第三代半导体产业的地理、产业和人才优势。因此本文旨在分析宁波市发展第三代半导体产业链的建设路线,为促进产业升级和经济转型提供指导。通过对宁波市第三代半导体产业链建设的分析,得到如下结论:①市场需求是指导产业链建设的重要依据,市场发展趋势可以加强技术研发和创新能力的建设,建设完整的产业链;②宁波市发展第三代半导体产业需要全面考虑市场需求、技术研发、产业链建设、创业创新和人才培养等方面因素,积极制定政策和行动计划,为宁波市经济转型和高质量发展提供新的动力和机遇。鉴此,本研究可为宁波市制定科学合理的发展战略和政策提供参考,走出一条符合宁波实际的第三代半导体产业发展之路。同时,本研究期望对其他地区和相关领域的产业发展也具有一定借鉴意义,能够促进区域经济协调发展和国家科技创新能力的提升。 展开更多
关键词 第三代半导体 产业链 建设路线 产业发展
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第三代半导体封装结构设计及可靠性评估技术研究进展
2
作者 郑佳宝 李照天 +1 位作者 张晨如 刘俐 《电子与封装》 2025年第3期32-46,共15页
第三代半导体材料,如SiC和GaN,因其卓越的性能在电力电子领域展现出巨大潜力。为了充分发挥材料的优势,需要通过先进的封装技术来解决电气互连、机械支撑和散热等问题。围绕第三代半导体封装结构的研究进展,从降低寄生电参数、降低热阻... 第三代半导体材料,如SiC和GaN,因其卓越的性能在电力电子领域展现出巨大潜力。为了充分发挥材料的优势,需要通过先进的封装技术来解决电气互连、机械支撑和散热等问题。围绕第三代半导体封装结构的研究进展,从降低寄生电参数、降低热阻、提高集成度3个发展方向分类总结近年来新型封装结构特点及优化效果。基于新型封装结构,总结了其面临的可靠性问题以及现行的可靠性测试标准和方法,探讨了存在的问题和不足,对第三代半导体封装技术的未来发展进行了展望。 展开更多
关键词 第三代半导体 功率器件 封装结构 可靠性评估
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第三代半导体切割技术概述
3
作者 谢天欢 蔡晓峰 +2 位作者 程晋红 张洪波 陈健 《中国集成电路》 2025年第1期40-46,共7页
鉴于电力电子器件趋向于在高温、高压、高辐射等恶劣环境下工作,传统的半导体材料硅无法适应该发展趋势,故第三代半导体凭借更宽的带隙宽度、更高的击穿电场、更高的导热系数等能力在该领域的应用上凸显了优势。为此,第三代半导体晶圆... 鉴于电力电子器件趋向于在高温、高压、高辐射等恶劣环境下工作,传统的半导体材料硅无法适应该发展趋势,故第三代半导体凭借更宽的带隙宽度、更高的击穿电场、更高的导热系数等能力在该领域的应用上凸显了优势。为此,第三代半导体晶圆切割作为半导体制造的一个重要环节,晶圆加工精度要求也愈发严格。本文详细介绍了传统刀轮切割、激光烧蚀切割、水辅助激光切割、激光热裂切割和激光隐形切割工艺的基本原理,为进一步研究和应用提供参考。 展开更多
关键词 晶圆切割技术 第三代半导体 传统刀轮切割 激光切割
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宁波市第三代半导体材料供应链本土化策略研究 被引量：1
4
作者 李继鹏 洪昌 盛靓瑶 《中国集成电路》 2024年第7期31-36,共6页
进入21世纪以来,随着对半导体材料研究的深入,氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等第三代半导体材料开始崭露头角,因其具有更宽的禁带宽度、更高的导热率,更高的击穿电场、以及更强的抗辐射能力等优势,占据着市场的主导地位。为了促进宁波市第... 进入21世纪以来,随着对半导体材料研究的深入,氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等第三代半导体材料开始崭露头角,因其具有更宽的禁带宽度、更高的导热率,更高的击穿电场、以及更强的抗辐射能力等优势,占据着市场的主导地位。为了促进宁波市第三代半导体产业的发展,增强竞争力,文章基于宁波市第三代半导体的产业现状,探析宁波市第三代半导体材料供应链本土化策略。宁波市是国家自主创新示范区,宁波市的第三代半导体材料供应链本土化示范作用对于提高我国制造业的高质量发展和核心技术自主可控具有重要意义。 展开更多
关键词 第三代半导体 供应链 本土化策略 区域合作
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第三代半导体材料氮化镓的拉曼光谱分析 被引量：1
5
作者 王亚伟 《无线互联科技》 2024年第3期72-74,共3页
第三代半导体材料中氮化镓是高频电子器件、大功率电子器件和微波功率器件制造领域的首选材料。为了实现高质量氮化镓材料的外延生长,并且精准表征氮化镓外延材料的特性,文章对氮化镓外延材料进行了深入的拉曼光谱分析。实验结果表明,... 第三代半导体材料中氮化镓是高频电子器件、大功率电子器件和微波功率器件制造领域的首选材料。为了实现高质量氮化镓材料的外延生长,并且精准表征氮化镓外延材料的特性,文章对氮化镓外延材料进行了深入的拉曼光谱分析。实验结果表明,对氮化镓外延材料进行拉曼光谱分析时最佳扫描范围是100~1000 cm^(-1)、最佳曝光时间是5 s、最佳光孔直径为100μm,从而更精准地表征氮化镓外延材料,进而对微波功率器件的性能提升起到推动作用。 展开更多
关键词 第三代半导体材料 氮化镓 拉曼光谱
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第三代半导体材料在6G通信技术中的应用与挑战
6
作者 周泓霖 《中国新通信》 2024年第24期1-3,共3页
随着通信技术的快速发展,6G通信技术成为未来通信领域的焦点。第三代半导体材料以其卓越性能,在6G通信中展现出巨大潜力。本文介绍了半导体材料的基本概念,重点探讨了第三代半导体在6G通信中的挑战,包括功能损耗、覆盖范围及高频资源等... 随着通信技术的快速发展,6G通信技术成为未来通信领域的焦点。第三代半导体材料以其卓越性能,在6G通信中展现出巨大潜力。本文介绍了半导体材料的基本概念,重点探讨了第三代半导体在6G通信中的挑战,包括功能损耗、覆盖范围及高频资源等问题。为了应对这些挑战,本文提出创新技术、人才培养、材料制备工艺改进等方案。希望为6G通信技术的发展提供有益思路。 展开更多
关键词 第三代半导体 6G通信技术 氮化镓 高频段
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第三代半导体材料生长与器件应用的研究 被引量：7
7
作者 李嘉席 孙军生 +1 位作者 陈洪建 张恩怀 《河北工业大学学报》 CAS 2002年第2期41-51,共11页
着重论述了以 ＳｉＣ和ＧａＮ为代表的第三代半导体材料的生长、器件及应用在近几年的发展情况．分析了目前常用的和正在研究的几种衬底材料，介绍了制备引ＳｉＣ和ＧａＮ单晶的方法．分析了ＳｉＣ和ＧａＮ器件工艺目前存在的问题和今... 着重论述了以 ＳｉＣ和ＧａＮ为代表的第三代半导体材料的生长、器件及应用在近几年的发展情况．分析了目前常用的和正在研究的几种衬底材料，介绍了制备引ＳｉＣ和ＧａＮ单晶的方法．分析了ＳｉＣ和ＧａＮ器件工艺目前存在的问题和今后的研究方向．总结了ＳｉＣ和ＧａＮ器件的研制情况，指出单晶质量是限制器件发展的主要因素．分析了ＳｉＣ和ＧａＮ器件的目前应用和未来的市场前景，指出了ＳｉＣ和ＧａＮ材料、器件今后的研究重点和今后的发展方向． 展开更多
关键词 第三代半导体材料 碳化硅 氮化镓 晶体生长 半导体器件 宽带隙半导体 SiC GAN
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第三代半导体产业概况剖析 被引量：22
8
作者 李春 邓君楷 《集成电路应用》 2017年第2期87-90,共4页
技术创新是推动产业发展的永恒动力。当前,在科技强国的背景下,以碳化硅、氮化镓为代表的第三代宽禁带半导体材料凭借着其优异的特性得到了世界各国的高度重视。我国政府高度重视第三代半导体材料的研究与开发,启动了一系列重大研究项目。
关键词 第三代半导体 碳化硅 氮化镓
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基于第三代半导体的国家关键基础设施电磁防护研究
9
作者 邓世雄 高长征 《电声技术》 2022年第11期111-113,共3页
当前电磁环境趋于复杂,国家关键基础设施的电磁防护已经越发迫切。针对此问题,提出采用第三代半导体进行前门和后门防护的对策。通过列举第三代半导体的发展,论证将其应用于电磁防护中的可行性和先进性。针对不同关键基础设施,分别论证... 当前电磁环境趋于复杂,国家关键基础设施的电磁防护已经越发迫切。针对此问题,提出采用第三代半导体进行前门和后门防护的对策。通过列举第三代半导体的发展,论证将其应用于电磁防护中的可行性和先进性。针对不同关键基础设施,分别论证第三代半导体在特定系统中的应用部位和防护方式。论述表明,第三代半导体在国家关键基础设施防范重大电磁威胁中堪当大任。 展开更多
关键词 基础设施 第三代半导体 电磁防护
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基于网络的第三代半导体微波器件产品成熟度评估系统 被引量：1
10
作者 张魁 张瑞霞 《河北工业大学学报》 CAS 北大核心 2014年第3期27-30,共4页
针对第三代半导体微波器件产品成熟度评估的迫切需求和国内外现有成熟度评估方法在客观性、全面性等方面的不足,从技术集成度和技术维度两个角度对传统技术成熟度(TRL)评价方法进行了全面扩展,建立了产品成熟度结构化的描述与度量模型,... 针对第三代半导体微波器件产品成熟度评估的迫切需求和国内外现有成熟度评估方法在客观性、全面性等方面的不足,从技术集成度和技术维度两个角度对传统技术成熟度(TRL)评价方法进行了全面扩展,建立了产品成熟度结构化的描述与度量模型,利用层次分析(AHP)、属性数学等原理提出了专家调查问卷形式下的产品成熟度定量计算方法,并构建了基于Web的第三代半导体微波器件产品成熟度评估系统,实现了全面客观高效的产品成熟度评估. 展开更多
关键词 第三代半导体 微波器件 技术维度 技术集成度 产品成熟度
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第三代半导体IEC国际标准动态综述 被引量：1
11
作者 李丽霞 崔波 蔡树军 《中国标准化》 2020年第S01期282-285,共4页
本文对IEC制定的第三代半导体国际标准的最新发展动态进行了综述,介绍了IEC已经发布和正在制定的标准的主要技术内容,介绍了我国在该领域首项提案的进展情况,以利于我国专家了解和参与国际标准化工作。
关键词 第三代半导体 国际标准 动态
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北京第三代半导体产业发展思路的研究 被引量：8
12
作者 顾瑾栩 张倩 卢晓威 《集成电路应用》 2019年第5期1-6,共6页
第三代半导体是以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的新一代半导体材料,它们拥有高频高效、耐高压、耐高温等特性,是支撑轨道交通、新能源汽车、5G等产业的核心材料和电子元器件。北京市作为我国第三代半导体发展的重镇,具备丰富的科技... 第三代半导体是以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的新一代半导体材料,它们拥有高频高效、耐高压、耐高温等特性,是支撑轨道交通、新能源汽车、5G等产业的核心材料和电子元器件。北京市作为我国第三代半导体发展的重镇,具备丰富的科技资源和产业基础,聚集了诸如世纪金光、天科合达、泰科天润等知名生产制造企业。研究并实施北京第三代半导体产业的发展大计,不仅是助推北京市经济结构的优化,更是完善中国第三代半导体产业布局、助推产业成长的重要举措。 展开更多
关键词 第三代半导体 宽禁带半导体材料 碳化硅 氮化镓 功率器件
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新旧动能转换引领第三代半导体产业创新发展 被引量：4
13
作者 李晋闽 《中国科技产业》 2018年第1期54-55,共2页
第三代半导体材料凭借其极其重要和具有战略性的应用价值,成为提升新一代信息技术核心竞争力的重要支撑。第一代半导体材料以硅（Si）和锗（Ge）等元素半导体为代表,奠定了微电子产业基础;第二代半导体材料以砷化镓（GaAs）和磷化铟（In... 第三代半导体材料凭借其极其重要和具有战略性的应用价值,成为提升新一代信息技术核心竞争力的重要支撑。第一代半导体材料以硅（Si）和锗（Ge）等元素半导体为代表,奠定了微电子产业基础;第二代半导体材料以砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）为代表,奠定了信息产业基础。 展开更多
关键词 第三代半导体材料 产业创新 动能转换 核心竞争力 元素半导体 微电子产业 信息技术 信息产业
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第三代半导体带来的机遇与挑战 被引量：16
14
作者 林佳 黄浩生 《集成电路应用》 2017年第12期83-86,共4页
随着以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体材料(即第三代半导体材料)设备、制造工艺与器件物理的迅速发展,SiC和GaN基的电力电子器件逐渐成为功率半导体器件的重要发展方向。第三代半导体功率器件以更高的击穿电压、更高的热导率、更高的电... 随着以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体材料(即第三代半导体材料)设备、制造工艺与器件物理的迅速发展,SiC和GaN基的电力电子器件逐渐成为功率半导体器件的重要发展方向。第三代半导体功率器件以更高的击穿电压、更高的热导率、更高的电子饱和漂移速率和更高的抗辐射能力开始在军事、航空航天等领域崭露头角。作者从第三代半导体材料性能应用、行业领先者及市场并购、各国发展战略以及中国力量与思考多个角度,浅析第三代半导体功率器件市场。 展开更多
关键词 第三代半导体 宽禁带 电力电子器件 SIC GAN
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基于科学计量的第三代半导体照明材料全球研究态势分析 被引量：2
15
作者 林兴浩 《科技创新发展战略研究》 2017年第1期108-116,共9页
采用科学计量的方法对全球第三代半导体照明材料(氮化镓GaN和碳化硅SiC)的科研产出(SCI论文及专利申请)进行分析,得到全球在该领域的研究现状及趋势,表明目前该领域仍是全球科学家关注的重点,全球科研产出呈稳定增长趋势;同时,对该领域... 采用科学计量的方法对全球第三代半导体照明材料(氮化镓GaN和碳化硅SiC)的科研产出(SCI论文及专利申请)进行分析,得到全球在该领域的研究现状及趋势,表明目前该领域仍是全球科学家关注的重点,全球科研产出呈稳定增长趋势;同时,对该领域的全球科研产出进行深入挖掘,得到目前的研究热点及领先机构竞争力分布,并针对我国在该领域的科研特征提出相关发展建议,为我国相关政府部门和科研机构对该领域的重点学科布局及研究策略制定提供参考。 展开更多
关键词 科学计量 第三代半导体 照明材料 全球研究态势
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第三代半导体材料发展前景分析 被引量：8
16
作者 顾雨萍 李向江 吴秀梅 《中国集成电路》 2023年第3期22-25,36,共5页
半导体材料为现代科技的发展提供了强大助力,同时它的发展也推动了世界工业和产业的发展,极大地提升了社会的生产力。今天,第三代半导体材料的研发受到了世界各国政府、企业的高度重视。本文将结合半导体材料的发展历程,研究第三代半导... 半导体材料为现代科技的发展提供了强大助力,同时它的发展也推动了世界工业和产业的发展,极大地提升了社会的生产力。今天,第三代半导体材料的研发受到了世界各国政府、企业的高度重视。本文将结合半导体材料的发展历程,研究第三代半导体材料的特性、国内外研发趋势、现存问题,为第三代半导体材料发展提供改进对策,为第三代半导体材料发展前景提供参考。 展开更多
关键词 第三代半导体材料 前景预测 发展对策
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新基建带动下的第三代半导体产业发展机遇 被引量：4
17
作者 程星华 《智能建筑与智慧城市》 2021年第5期49-52,共4页
第三代半导体具有禁带宽度更宽、电子漂移饱和速率更高、绝缘击穿场强更高、热导率更高等特点,适用于高温、高频、高压、高功率器件,应用于通信基站、消费电子、智能电网、光伏逆变器、高铁、新能源汽车、工业电机等多个领域。基于新一... 第三代半导体具有禁带宽度更宽、电子漂移饱和速率更高、绝缘击穿场强更高、热导率更高等特点,适用于高温、高频、高压、高功率器件,应用于通信基站、消费电子、智能电网、光伏逆变器、高铁、新能源汽车、工业电机等多个领域。基于新一代信息技术应用与融合的新型基础设施建设将极大带动第三代半导体材料及器件应用和产业发展。 展开更多
关键词 第三代半导体 新基建 功率器件 微波射频器件
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第三代半导体晶体激光诱导改质技术 被引量：1
18
作者 张彩云 胡北辰 +1 位作者 李琳 陈洪 《电子工艺技术》 2023年第6期1-3,共3页
第三代半导体材料成本居高不下是行业发展痛点。与传统线切割技术相比,激光改质剥离技术具有材料损耗少、加工效率高、晶圆产出多等优势,已成为国际竞相发展的第三代半导体材料加工革命性技术。介绍了第三代半导体晶体激光诱导改质技术... 第三代半导体材料成本居高不下是行业发展痛点。与传统线切割技术相比,激光改质剥离技术具有材料损耗少、加工效率高、晶圆产出多等优势,已成为国际竞相发展的第三代半导体材料加工革命性技术。介绍了第三代半导体晶体激光诱导改质技术的国内外研究现状,重点阐述了改质区裂纹扩展机制研究、像差校正空间整形技术研究和激光诱导改质设备研制方面的内容。 展开更多
关键词 第三代半导体 激光诱导改质 像差校正
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第三代半导体及氮化镓(GaN)材料分析 被引量：4
19
作者 李杰 王友旺 《集成电路应用》 2023年第10期326-328,共3页
阐述第三代半导体及氮化镓(GaN)材料制备工艺,以及第三代半导体在全球和国内的发展情况,分析氮化镓(GaN)材料的特征和氮化镓半导体材料的应用,包括在通信系统、功率半导体、军事用途、电子学中的应用。
关键词 第三代半导体 碳化硅(SiC) 氮化镓(GaN)
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双碳目标下宁波市第三代半导体产业发展策略研究 被引量：3
20
作者 蒋月萍 李向江 吕晴 《中国集成电路》 2023年第9期11-14,49,共5页
我国在应对全球气候变化的会议中提出“碳达峰”和“碳中和”的目标。因第三代半导体在材料应用领域具备优良的性能,能够在降低能量损失和减小装备体积方面发挥较为明显的优势。为了进一步分析第三代半导体材料在宁波市半导体产业领域... 我国在应对全球气候变化的会议中提出“碳达峰”和“碳中和”的目标。因第三代半导体在材料应用领域具备优良的性能,能够在降低能量损失和减小装备体积方面发挥较为明显的优势。为了进一步分析第三代半导体材料在宁波市半导体产业领域的应用,文章基于第三代半导体的材料优势以及宁波市第三代半导体的行业现状,分析了宁波市第三代半导体产业发展对双碳目标的影响。宁波市第三代半导体材料产业的发展研究对于改善我国的生态结构产业布局、促进社会产业科技的变革,支撑碳达峰、碳中和的目标实现和促进宁波市经济的发展具有重大的意义。 展开更多
关键词 双碳目标 第三代半导体材料 发展策略 产业链
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