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Doppler程序对金红石型TiO_2的空位缺陷研究 被引量:1
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作者 李瑞琴 李东翔 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期175-178,共4页
金红石型Ti O2是一种非常好的稀磁半导体材料,其自身的本征缺陷与室温铁磁性起源密切相关.本文利用Doppler程序在广义梯度理论(GGA)的基础上,计算了正电子在金红石型Ti O2块材中不同缺陷处的湮没寿命.主要包括自由态正电子的湮没寿命,... 金红石型Ti O2是一种非常好的稀磁半导体材料,其自身的本征缺陷与室温铁磁性起源密切相关.本文利用Doppler程序在广义梯度理论(GGA)的基础上,计算了正电子在金红石型Ti O2块材中不同缺陷处的湮没寿命.主要包括自由态正电子的湮没寿命,单空位和双空位处束缚态正电子的湮没寿命.并从理论上给出了含有空位缺陷时金红石型Ti O2的符合多普勒展宽能谱. 展开更多
关键词 Doppler程序 湮没寿命 符合多普勒展宽能谱
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Doppler程序对C、N掺杂金红石型TiO_2的理论研究
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作者 李瑞琴 李东翔 +2 位作者 喻琴 覃信茂 闫万珺 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2018年第1期127-131,共5页
本文在密度泛函理论和广义梯度近似(GGA)的基础上,应用Doppler程序计算了C掺杂、N掺杂、C-N共掺杂TiO_2体系的正电子湮没寿命,并且从理论上给出TiO_2体系不同缺陷处的符合多普勒展宽能谱.
关键词 Doppler程序 湮没寿命 符合多普勒展宽能谱
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