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嵌入式P端口SRAM的端口间故障测试
1
作者
单河坤
陈则王
+1 位作者
崔江
王友任
《计算机辅助设计与图形学学报》
EI
CSCD
北大核心
2011年第3期471-479,共9页
为了有效地测试嵌入式P端口静态随机存取存储器(SRAM)端口间的故障,提高电子系统的安全性,提出一种基于结构故障模型的故障测试算法.首先对March C-算法扩展得到w-r算法,即让一个端口执行March C-算法的同时另一个端口于偏移量为±...
为了有效地测试嵌入式P端口静态随机存取存储器(SRAM)端口间的故障,提高电子系统的安全性,提出一种基于结构故障模型的故障测试算法.首先对March C-算法扩展得到w-r算法,即让一个端口执行March C-算法的同时另一个端口于偏移量为±2的地址并行执行伪读操作,并考虑存储器的规则结构给出了其简化算法;然后提出w-w算法,通过2个端口向存储器单元并行写(不同的地址),可有效地激发2个写端口之间的各种故障,使之适用于不同物理布局的存储器,在保证时间复杂度合理的前提下提高了端口间的故障覆盖率.将故障注入64×8位的双端口SRAM中进行仿真实验,得出了故障检测表,验证了其时间复杂度低,表明文中算法具有100%的端口间故障覆盖率.
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关键词
P
端口
SRAM
结构
故障
模型
内建自测试
端口间故障
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职称材料
题名
嵌入式P端口SRAM的端口间故障测试
1
作者
单河坤
陈则王
崔江
王友任
机构
南京航空航天大学自动化学院
出处
《计算机辅助设计与图形学学报》
EI
CSCD
北大核心
2011年第3期471-479,共9页
基金
国家自然科学基金(90505013
60871009)
南京航空航天大学专项科研基金(NS2010063)
文摘
为了有效地测试嵌入式P端口静态随机存取存储器(SRAM)端口间的故障,提高电子系统的安全性,提出一种基于结构故障模型的故障测试算法.首先对March C-算法扩展得到w-r算法,即让一个端口执行March C-算法的同时另一个端口于偏移量为±2的地址并行执行伪读操作,并考虑存储器的规则结构给出了其简化算法;然后提出w-w算法,通过2个端口向存储器单元并行写(不同的地址),可有效地激发2个写端口之间的各种故障,使之适用于不同物理布局的存储器,在保证时间复杂度合理的前提下提高了端口间的故障覆盖率.将故障注入64×8位的双端口SRAM中进行仿真实验,得出了故障检测表,验证了其时间复杂度低,表明文中算法具有100%的端口间故障覆盖率.
关键词
P
端口
SRAM
结构
故障
模型
内建自测试
端口间故障
Keywords
P-port
SRAM
structural fault model
built in self test （BIST）
inter-port faults
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
嵌入式P端口SRAM的端口间故障测试
单河坤
陈则王
崔江
王友任
《计算机辅助设计与图形学学报》
EI
CSCD
北大核心
2011
0
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