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立方C_3N_4陶瓷第一性原理的计算
被引量:
2
1
作者
马秋花
田军辉
+1 位作者
王改民
侯永改
《陶瓷学报》
CAS
北大核心
2011年第3期461-464,共4页
本文采用第一性原理的密度泛函理论平面波赝势法,通过广义梯度近似电子结构计算对立方C3N4进行了研究,结果表明立方C3N4属于间接能隙的半导体,带宽为2.92eV,C和N的电荷分别为0.44和-0.33,键长为0.14771nm,此外,吸收长波限值为147nm,静...
本文采用第一性原理的密度泛函理论平面波赝势法,通过广义梯度近似电子结构计算对立方C3N4进行了研究,结果表明立方C3N4属于间接能隙的半导体,带宽为2.92eV,C和N的电荷分别为0.44和-0.33,键长为0.14771nm,此外,吸收长波限值为147nm,静态介电常数为4.6。通过计算揭示了立方C3N4不仅有较高的硬度、良好的化学稳定性,而且具有较强的红外线穿透性,对材料在耐磨方面及光学领域的应用具有一定的指导意义。
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关键词
立方c3n4
电子结构
高温耐磨
红外穿透性
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职称材料
立方尖晶石C_3N_4硬度的理论研究
被引量:
1
2
作者
林琳
陈洪
《西南大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第5期9-12,共4页
基于密度泛函理论的第一性原理,在广义梯度近似和局域密度近似下,计算了立方尖晶石C3N4的体变模量,切变模量和维氏硬度.结果表明:维氏硬度相对于体变模量和切变模量能更好地描述立方尖晶石C3N4的硬度,C3N4的维氏硬度约为72GPa,且有较高...
基于密度泛函理论的第一性原理,在广义梯度近似和局域密度近似下,计算了立方尖晶石C3N4的体变模量,切变模量和维氏硬度.结果表明:维氏硬度相对于体变模量和切变模量能更好地描述立方尖晶石C3N4的硬度,C3N4的维氏硬度约为72GPa,且有较高的电子密度,较短的键长和较大的共价性.
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关键词
立方
尖晶石
c
3
n
4
硬度
密度泛函理论
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职称材料
题名
立方C_3N_4陶瓷第一性原理的计算
被引量:
2
1
作者
马秋花
田军辉
王改民
侯永改
机构
河南工业大学材料科学与工程学院
河南工业大学理学院
出处
《陶瓷学报》
CAS
北大核心
2011年第3期461-464,共4页
基金
郑州市科技攻关(编号:5-82)
文摘
本文采用第一性原理的密度泛函理论平面波赝势法,通过广义梯度近似电子结构计算对立方C3N4进行了研究,结果表明立方C3N4属于间接能隙的半导体,带宽为2.92eV,C和N的电荷分别为0.44和-0.33,键长为0.14771nm,此外,吸收长波限值为147nm,静态介电常数为4.6。通过计算揭示了立方C3N4不仅有较高的硬度、良好的化学稳定性,而且具有较强的红外线穿透性,对材料在耐磨方面及光学领域的应用具有一定的指导意义。
关键词
立方c3n4
电子结构
高温耐磨
红外穿透性
Keywords
c
ubi
c
c
3
n
4
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c
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n
i
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stru
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tures
high temperature wear resista
n
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n
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n
g
分类号
TQ174.75 [化学工程—陶瓷工业]
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职称材料
题名
立方尖晶石C_3N_4硬度的理论研究
被引量:
1
2
作者
林琳
陈洪
机构
西南大学物理科学与技术学院
出处
《西南大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第5期9-12,共4页
文摘
基于密度泛函理论的第一性原理,在广义梯度近似和局域密度近似下,计算了立方尖晶石C3N4的体变模量,切变模量和维氏硬度.结果表明:维氏硬度相对于体变模量和切变模量能更好地描述立方尖晶石C3N4的硬度,C3N4的维氏硬度约为72GPa,且有较高的电子密度,较短的键长和较大的共价性.
关键词
立方
尖晶石
c
3
n
4
硬度
密度泛函理论
Keywords
spi
n
el-
c
3
n
4
hard
n
ess
de
n
sity-fu
n
c
tio
n
al theory
分类号
O471.1 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
立方C_3N_4陶瓷第一性原理的计算
马秋花
田军辉
王改民
侯永改
《陶瓷学报》
CAS
北大核心
2011
2
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职称材料
2
立方尖晶石C_3N_4硬度的理论研究
林琳
陈洪
《西南大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2007
1
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