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砂磨制备纳米立方碳化硅及表面特性 被引量:2
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作者 邓丽荣 王晓刚 +3 位作者 华小虎 陆树河 王嘉博 王行博 《西安科技大学学报》 CAS 北大核心 2021年第6期1076-1082,共7页
为探讨机械粉碎法批量制备立方碳化硅纳米粉体的可行性,以平均粒径Dv(50)为2.49μm立方碳化硅为原料,采用具有一定实验体量的30 L型砂磨机对250 kg浆料进行砂磨实验研究。通过对砂磨产物的粒度、微观形貌、表面结构、Zeta电位等测试,分... 为探讨机械粉碎法批量制备立方碳化硅纳米粉体的可行性,以平均粒径Dv(50)为2.49μm立方碳化硅为原料,采用具有一定实验体量的30 L型砂磨机对250 kg浆料进行砂磨实验研究。通过对砂磨产物的粒度、微观形貌、表面结构、Zeta电位等测试,分析了纳米碳化硅的粉碎机理及其表面特性。结果表明:砂磨过程中产物的粒径下降速率会发生数量级的变化,可将其划分为快速粉碎、慢速粉碎和均化、整形3个阶段。采用0.3~0.4 mm的碳化硅介质球,经砂磨40 h粒径可批量制备Dv(50)在100 nm,单颗粒粒径在30~50 nm的纳米颗粒,且粒度均匀,球形度良好。砂磨制得的纳米立方碳化硅,表面含有大量的羟基和二氧化硅,具有很好的亲水性,其表面特性与纳米二氧化硅相近。在pH≥7下分散稳定性良好,尤其在pH为9时Zeta电位绝对值最高可达60 mV以上,粒径达到最小值103 nm,分散稳定性最好。表明砂磨制备的纳米立方碳化硅在中性和碱性条件下具有良好的分散稳定性,可用于机械抛光、陶瓷湿法成型、涂层等工业应用领域。 展开更多
关键词 立方碳化硅 纳米颗粒 砂磨 粉碎机理 表面特性
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高性能立方碳化硅导热填料的制备与性能研究 被引量:2
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作者 张亚丽 王晓刚 +1 位作者 张蕾 段晓波 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2020年第3期937-941,共5页
以化学有机改性对立方碳化硅(β-SiC)导热填料进行表面修饰,通过红外光谱对处理后β-SiC粉体表征。以硅烷偶联剂、硬脂酸以及二者的结合为改性剂,研究不同改性剂对β-SiC粉体固含量、吸油值及导热系数的影响。实验结果表明,在硅烷偶联剂... 以化学有机改性对立方碳化硅(β-SiC)导热填料进行表面修饰,通过红外光谱对处理后β-SiC粉体表征。以硅烷偶联剂、硬脂酸以及二者的结合为改性剂,研究不同改性剂对β-SiC粉体固含量、吸油值及导热系数的影响。实验结果表明,在硅烷偶联剂中KH564的改性效果较为明显;通过对硬脂酸以及两种表面改性剂结合使用的研究,结果表明改性效果相比单一改性剂进一步提升,硬脂酸和KH564的效果较好,导热系数达到1.46 W/(m·K),相比未改性的β-SiC提高了53.68%,比使用单一KH564改性提高了20.25%。 展开更多
关键词 立方碳化硅 硅烷偶联剂 硬脂酸 导热系数
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立方碳化硅弹性磨块制备工艺、性能与应用 被引量:1
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作者 冯先杰 王晓刚 +2 位作者 樊子民 陆树河 赵凯 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2019年第3期752-755,761,共5页
应用立方碳化硅新材料做主磨料,采用热压工艺制备新型立方碳化硅弹性磨块,用静水力学天平、巴氏硬度计、XRD、SEM等测试材料的组织、结构及性能,并在应用现场进行了工业实验。研究结果表明:磨块中立方碳化硅的质量分数为8.5%,热压机上... 应用立方碳化硅新材料做主磨料,采用热压工艺制备新型立方碳化硅弹性磨块,用静水力学天平、巴氏硬度计、XRD、SEM等测试材料的组织、结构及性能,并在应用现场进行了工业实验。研究结果表明:磨块中立方碳化硅的质量分数为8.5%,热压机上板温度160℃、下板温度为163℃、压力450 kN时弹性磨块巴氏硬度达到最大值55 Hba,气孔率及吸水率为最小值。工业实验中磨抛全抛釉瓷砖,其表面光泽度达到70 GU之上,明显高于行业水平。 展开更多
关键词 立方碳化硅 磨抛加工 建筑陶瓷 光泽度
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“立方碳化硅微粉及晶须产业化项目”落户西安航空基地
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作者 新型 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期175-175,共1页
近日,总投资1.8亿元的“立方碳化硅微粉及晶须产业化项目”正式签约落户西安航空基地。该项目的落户,为西安航空基地新材料产业集群的壮大再添新活力。立方碳化硅(pSiC)是一种战略性新材料,具有抗磨、耐高温、耐热震、耐腐蚀、耐... 近日,总投资1.8亿元的“立方碳化硅微粉及晶须产业化项目”正式签约落户西安航空基地。该项目的落户,为西安航空基地新材料产业集群的壮大再添新活力。立方碳化硅(pSiC)是一种战略性新材料,具有抗磨、耐高温、耐热震、耐腐蚀、耐辐射、良好的半导电特性等优良性能,被广泛应用于航空航天、兵器工业、精密加工、电子信息等领域。立方碳化硅粉体和晶须的深加工涉及材料、化学、物理、机械等多个学科,具有很高的技术含量,其核心技术只有日、美、法、德等少数发达国家掌握。 展开更多
关键词 立方碳化硅 产业化项目 碳化硅微粉 航空基地 西安 晶须 技术含量 碳化硅粉体
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塑料镶嵌立方碳化硅珩磨油石的研制
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作者 叶桂英 张玉岩 《磨料磨具与磨削》 1994年第1期22-24,共3页
本文采用正交试验法,就磨料与结合剂的选择对塑料镶嵌珩磨油石的使用性能进行了研究,并分析了塑料镶嵌珩磨油石抗压强度与各种因素的关系。
关键词 塑料镶嵌 珩磨 油石 立方碳化硅
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TiN/SiC纳米多层膜中的晶体互促生长 被引量:3
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作者 孔明 劳技军 +2 位作者 张慧娟 戴嘉维 李戈扬 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期324-328,共5页
研究了TiN/SiC纳米多层膜中的晶体互促生长效应,采用磁控溅射法制备了一系列不同厚度SiC和TiN的TiN/SiC纳米多层膜以及TiN、SiC单层膜.利用透射电子显微镜、X射线衍射仪、扫描电子显微镜和X射线能量色散谱仪分析了多层膜的微结构.结果表... 研究了TiN/SiC纳米多层膜中的晶体互促生长效应,采用磁控溅射法制备了一系列不同厚度SiC和TiN的TiN/SiC纳米多层膜以及TiN、SiC单层膜.利用透射电子显微镜、X射线衍射仪、扫描电子显微镜和X射线能量色散谱仪分析了多层膜的微结构.结果表明,尽管TiN和SiC的单层膜分别以纳米晶态和非晶态存在,但由TiN和SiC通过交替沉积形成的纳米多层膜却能够生长成为晶体完整性良好的柱状晶并呈现强烈的择优取向,显示了一种异质材料晶体生长的相互促进作用.纳米多层膜中的晶体互促生长效应与新沉积层原子在先沉积层表面上的移动性有重要关系. 展开更多
关键词 TiN/SiC纳米多层膜 晶体生长 共格界面 立方碳化硅
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CVD制备3C-SiC及其应用于MEMS的研究进展 被引量:2
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作者 严春雷 刘荣军 +2 位作者 曹英斌 张长瑞 张德坷 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第21期13-16,29,共5页
高温、强振、强腐蚀、高湿等恶劣环境中的监测和控制系统对MEMS(Microelectromechanical systems)提出了新的挑战。SiC具有化学惰性,高热导率及优良的力学、电学、高温性能,在MEMS技术中备受青睐,成为Si-MEMS体系极具竞争力的替代材料... 高温、强振、强腐蚀、高湿等恶劣环境中的监测和控制系统对MEMS(Microelectromechanical systems)提出了新的挑战。SiC具有化学惰性,高热导率及优良的力学、电学、高温性能,在MEMS技术中备受青睐,成为Si-MEMS体系极具竞争力的替代材料。综述了关于立方相碳化硅(3C-SiC)薄膜的化学气相沉积(CVD)制备方法,介绍了其力学、电学性能的最新研究进展,最后举例说明了3C-SiC薄膜在MEMS器件中应用的研究现状。 展开更多
关键词 立方碳化硅薄膜 化学气相沉积 力学性能 电学性能 MEMS器件
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