期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
3
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
高质量立方氮化硼薄膜的射频磁控溅射制备及其性能表征
被引量：
1
1
作者
蔡志海
杜玉萍
+5 位作者
谭俊
张平
赵军军
黄安平
许仕龙
严辉
《材料保护》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第1期9-12,共4页
运用射频磁控溅射法在硅片上制备了立方氮化硼薄膜 ,并对射频功率、气体分压比及衬底偏压等参数对膜中立方氮化硼 (c -BN)含量的影响进行了研究。采用傅立叶红外光谱 (FTIR)、拉曼光谱、X射线光电子能谱 (XPS)和原子力显微镜 (AFM )对c ...
运用射频磁控溅射法在硅片上制备了立方氮化硼薄膜 ,并对射频功率、气体分压比及衬底偏压等参数对膜中立方氮化硼 (c -BN)含量的影响进行了研究。采用傅立叶红外光谱 (FTIR)、拉曼光谱、X射线光电子能谱 (XPS)和原子力显微镜 (AFM )对c -BN薄膜进行了表征和分析。结果表明 :30 0W的射频功率是制备c -BN薄膜的最佳条件 ;当气体分压比Ar/N2 =5 1时 ,制备的薄膜中c -BN含量相对最高 ;立方氮化硼的形成存在偏压阈值 (约 80V ) ,低于此偏压c -BN很难形成。拉曼光谱分析进一步确认了BN薄膜的晶相结构。AFM和XPS分析结果表明c -BN薄膜结晶良好 ,晶粒尺寸细小 ,具有很好的化学配比 ,B原子与N原子的含量比为 1l。
展开更多
关键词
立方氮化硼薄膜
射频磁控溅射
拉曼光谱分析
在线阅读
下载PDF
职称材料
异质外延立方氮化硼薄膜的微结构研究
2
作者
张兴旺
陈诺夫
+1 位作者
OYEN H-G
ZIEMANN P
《电子显微学报》
CAS
CSCD
2005年第1期23-28,共6页
利用离子束辅助沉积技术在金刚石薄膜衬底上制备立方氮化硼薄膜,傅立叶变换红外谱的结果表明,在高度(001)织构金刚石薄膜衬底上沉积的立方氮化硼薄膜是纯的立方相,而在多晶金刚石薄膜衬底上制备的立方氮化硼薄膜中还含少量的六角氮化硼...
利用离子束辅助沉积技术在金刚石薄膜衬底上制备立方氮化硼薄膜,傅立叶变换红外谱的结果表明,在高度(001)织构金刚石薄膜衬底上沉积的立方氮化硼薄膜是纯的立方相,而在多晶金刚石薄膜衬底上制备的立方氮化硼薄膜中还含少量的六角氮化硼。高分辨透射电镜的分析表明,在金刚石晶粒上异质外延的c BN直接成核于金刚石衬底,界面没有六角氮化硼过渡层;而在含有大量缺陷的晶粒边界,存在六角氮化硼的成核与生长。
展开更多
关键词
立方氮化硼薄膜
衬底
金刚石
薄膜
成核
异质外延
高分辨透射电镜
微结构
立方
相
红外
晶粒边界
在线阅读
下载PDF
职称材料
原位Si掺杂c-BN薄膜的制备及电学性质研究
3
作者
应杰
范亚明
+1 位作者
谭海仁
施辉伟
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2010年第7期409-414,共6页
采用双离子束辅助沉积技术制备了原位Si掺杂的c-BN薄膜。系统研究了辅源轰击束流大小、辅源气体组分比以及衬底温度对制备薄膜的影响。结果表明,在掺入Si杂质后,要保持高立方相含量,必须增强辅源离子的轰击强度;随着辅源混合气体中Ar含...
采用双离子束辅助沉积技术制备了原位Si掺杂的c-BN薄膜。系统研究了辅源轰击束流大小、辅源气体组分比以及衬底温度对制备薄膜的影响。结果表明,在掺入Si杂质后,要保持高立方相含量,必须增强辅源离子的轰击强度;随着辅源混合气体中Ar含量的增加,立方相含量也逐步增加;中等衬底生长温度既可以保持薄膜中高立方相含量以及较好的晶体质量,又不会导致薄膜中应力过大。电学测试则显现掺杂薄膜具有明显的半导体特性和非晶态半导体的电学输运性质。
展开更多
关键词
立方氮化硼薄膜
掺杂
硅
立方
相含量
电学输运
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
高质量立方氮化硼薄膜的射频磁控溅射制备及其性能表征
被引量：
1
1
作者
蔡志海
杜玉萍
谭俊
张平
赵军军
黄安平
许仕龙
严辉
机构
装甲兵工程学院装备再制造技术国防科技重点实验室
北京工业大学
出处
《材料保护》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第1期9-12,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目 (5 99710 6 5 )
文摘
运用射频磁控溅射法在硅片上制备了立方氮化硼薄膜 ,并对射频功率、气体分压比及衬底偏压等参数对膜中立方氮化硼 (c -BN)含量的影响进行了研究。采用傅立叶红外光谱 (FTIR)、拉曼光谱、X射线光电子能谱 (XPS)和原子力显微镜 (AFM )对c -BN薄膜进行了表征和分析。结果表明 :30 0W的射频功率是制备c -BN薄膜的最佳条件 ;当气体分压比Ar/N2 =5 1时 ,制备的薄膜中c -BN含量相对最高 ;立方氮化硼的形成存在偏压阈值 (约 80V ) ,低于此偏压c -BN很难形成。拉曼光谱分析进一步确认了BN薄膜的晶相结构。AFM和XPS分析结果表明c -BN薄膜结晶良好 ,晶粒尺寸细小 ,具有很好的化学配比 ,B原子与N原子的含量比为 1l。
关键词
立方氮化硼薄膜
射频磁控溅射
拉曼光谱分析
Keywords
cubic boron nitride film
radio frequency magnetron sputtering
Raman spectroscopy analysis
分类号
TG174.4 [金属学及工艺—金属表面处理]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
异质外延立方氮化硼薄膜的微结构研究
2
作者
张兴旺
陈诺夫
OYEN H-G
ZIEMANN P
机构
中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室
Department of Solid State Physics
出处
《电子显微学报》
CAS
CSCD
2005年第1期23-28,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(No 60176001
No 60390072)
+2 种基金
中国科学院百人计划
教育部留学回国人员科研启动基金
国家重点基础研究专项经费(NoG2002CB311905)~~
文摘
利用离子束辅助沉积技术在金刚石薄膜衬底上制备立方氮化硼薄膜,傅立叶变换红外谱的结果表明,在高度(001)织构金刚石薄膜衬底上沉积的立方氮化硼薄膜是纯的立方相,而在多晶金刚石薄膜衬底上制备的立方氮化硼薄膜中还含少量的六角氮化硼。高分辨透射电镜的分析表明,在金刚石晶粒上异质外延的c BN直接成核于金刚石衬底,界面没有六角氮化硼过渡层;而在含有大量缺陷的晶粒边界,存在六角氮化硼的成核与生长。
关键词
立方氮化硼薄膜
衬底
金刚石
薄膜
成核
异质外延
高分辨透射电镜
微结构
立方
相
红外
晶粒边界
Keywords
cubic boron nitride
heteroepitaxy
diamond
transmission electron microscopy (TEM)
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
原位Si掺杂c-BN薄膜的制备及电学性质研究
3
作者
应杰
范亚明
谭海仁
施辉伟
机构
中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2010年第7期409-414,共6页
文摘
采用双离子束辅助沉积技术制备了原位Si掺杂的c-BN薄膜。系统研究了辅源轰击束流大小、辅源气体组分比以及衬底温度对制备薄膜的影响。结果表明,在掺入Si杂质后,要保持高立方相含量,必须增强辅源离子的轰击强度;随着辅源混合气体中Ar含量的增加,立方相含量也逐步增加;中等衬底生长温度既可以保持薄膜中高立方相含量以及较好的晶体质量,又不会导致薄膜中应力过大。电学测试则显现掺杂薄膜具有明显的半导体特性和非晶态半导体的电学输运性质。
关键词
立方氮化硼薄膜
掺杂
硅
立方
相含量
电学输运
Keywords
cubic boron nitride films
doping
silicon
cubic content
electrical transport
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
O472 [理学—半导体物理]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高质量立方氮化硼薄膜的射频磁控溅射制备及其性能表征
蔡志海
杜玉萍
谭俊
张平
赵军军
黄安平
许仕龙
严辉
《材料保护》
CAS
CSCD
北大核心
2005
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
异质外延立方氮化硼薄膜的微结构研究
张兴旺
陈诺夫
OYEN H-G
ZIEMANN P
《电子显微学报》
CAS
CSCD
2005
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
原位Si掺杂c-BN薄膜的制备及电学性质研究
应杰
范亚明
谭海仁
施辉伟
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2010
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
