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抑制亚微米NMOS穿通效应的Taurus WorkBench——TCAD优化
1
作者
李静
李惠军
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第9期12-14,29,共4页
Taurus WorkBench是用于超深亚微米层次下的TCAD一体化仿真优化平台。在介绍了TWB的主要功能及实施要点之后,以亚微米NMOSFET器件的阈值电压及源漏穿通电压为响应变量,采用DOE方法进行仿真,并以仿真结果阐述了注入剂量及注入能量对阈值...
Taurus WorkBench是用于超深亚微米层次下的TCAD一体化仿真优化平台。在介绍了TWB的主要功能及实施要点之后,以亚微米NMOSFET器件的阈值电压及源漏穿通电压为响应变量,采用DOE方法进行仿真,并以仿真结果阐述了注入剂量及注入能量对阈值电压V和源漏穿通电压V的影响。
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关键词
TAURUS
WORKBENCH
超深亚微米
TCAD
NMOSFET
阈值电压
穿通效应
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职称材料
用于OLED的a-Si TFT有源驱动阵列保护电路的分析
被引量:
1
2
作者
张彤
王丽杰
+3 位作者
许武
郭小军
赵毅
刘式墉
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2004年第4期286-292,共7页
在模拟与仿真的基础上,根据MOS器件的源漏击穿特性,分析了用于a SiTFT有源驱动阵列的外围保护电路的工作原理;同时根据所采用的有源OLED单元像素驱动电路的特点,确定了电源线、数据线、信号线上的相应保护电路形式。该保护电路可应用于O...
在模拟与仿真的基础上,根据MOS器件的源漏击穿特性,分析了用于a SiTFT有源驱动阵列的外围保护电路的工作原理;同时根据所采用的有源OLED单元像素驱动电路的特点,确定了电源线、数据线、信号线上的相应保护电路形式。该保护电路可应用于OLED的有源驱动TFT阵列。
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关键词
OLED
A-SI
TFT
有源驱动
穿通效应
布图设计
仿真模拟
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职称材料
题名
抑制亚微米NMOS穿通效应的Taurus WorkBench——TCAD优化
1
作者
李静
李惠军
机构
山东大学信息科学与工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第9期12-14,29,共4页
文摘
Taurus WorkBench是用于超深亚微米层次下的TCAD一体化仿真优化平台。在介绍了TWB的主要功能及实施要点之后,以亚微米NMOSFET器件的阈值电压及源漏穿通电压为响应变量,采用DOE方法进行仿真,并以仿真结果阐述了注入剂量及注入能量对阈值电压V和源漏穿通电压V的影响。
关键词
TAURUS
WORKBENCH
超深亚微米
TCAD
NMOSFET
阈值电压
穿通效应
Keywords
integrated circuit
TCAD
VDSM
NMOS
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
用于OLED的a-Si TFT有源驱动阵列保护电路的分析
被引量:
1
2
作者
张彤
王丽杰
许武
郭小军
赵毅
刘式墉
机构
吉林大学集成光电子国家重点实验室
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2004年第4期286-292,共7页
基金
国家"973"资助项目(No.2003CB314703)
吉林省科技厅重点项目(No.20010301)
文摘
在模拟与仿真的基础上,根据MOS器件的源漏击穿特性,分析了用于a SiTFT有源驱动阵列的外围保护电路的工作原理;同时根据所采用的有源OLED单元像素驱动电路的特点,确定了电源线、数据线、信号线上的相应保护电路形式。该保护电路可应用于OLED的有源驱动TFT阵列。
关键词
OLED
A-SI
TFT
有源驱动
穿通效应
布图设计
仿真模拟
Keywords
organic light emitting display
amorphous silicon thin film transistor(a-Si TFT)
active matrix driving
puncture effect
layout design
simulation
分类号
TN27 [电子电信—物理电子学]
TN44 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
抑制亚微米NMOS穿通效应的Taurus WorkBench——TCAD优化
李静
李惠军
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004
0
在线阅读
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职称材料
2
用于OLED的a-Si TFT有源驱动阵列保护电路的分析
张彤
王丽杰
许武
郭小军
赵毅
刘式墉
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2004
1
在线阅读
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职称材料
已选择
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引用分析
参考文献
引证文献
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