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在c面蓝宝石上生长的InN外延薄膜中位错与极性的TEM研究被引量：3: 1; 作者卢朝靖李金华段晓峰《电子显微学报》 CAS CSCD 2006年第B08期95-96,共2页; 关键词分子束外延生长外延薄膜穿透位错 INN TEM 蓝宝石极性 GAN薄膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

半导体光电子材料中的缺陷: 2; 作者康俊勇黄启圣《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期267-276,共10页; 介绍近年来在族氮化物和 - V化合物缺陷等方面的一些研究进展 .并着重展示对族氮化物中黄色发光带、纳米管、穿透位错、龟裂和沉积物 ,以及 - V化合物中 Fe杂质和 DX中心能级精细结构等研究的结果 .; 关键词缺陷 Ⅲ氮化物 Ⅲ-Ⅴ化合物半导体电子材料黄色发光带纳米管穿透位错; 在线阅读下载PDF 职称材料

西电郝跃院士团队研制出柔性高亮度紫光LED: 3; 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第4期116-116,共1页; 西安电子科技大学微电子学院郝跃院士团队揭示了可剥离衬底上氮化物的成核机制,创新性开发出柔性高亮度紫光发光二极管。由于大尺寸的氮化物衬底成本高昂,氮化物薄膜通常是基于蓝宝石、硅等异质材料衬底进行外延生长的。而晶体衬底与氮... 展开更多; 关键词外延生长紫光LED GAN薄膜氮化物薄膜穿透位错 LED器件发光效率异质材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	在c面蓝宝石上生长的InN外延薄膜中位错与极性的TEM研究	卢朝靖李金华段晓峰	《电子显微学报》 CAS CSCD	2006	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	半导体光电子材料中的缺陷	康俊勇黄启圣	《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心	2001	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	西电郝跃院士团队研制出柔性高亮度紫光LED		《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2020	0	在线阅读下载PDF 职称材料