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二极管空间电荷限制电流修正 被引量:17
1
作者 刘国治 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期375-378,共4页
采用理论分析和粒子模拟的方法研究了阴极发射电子初始能量和二维效应对二极管空间电荷限制流的修正。得到了阴极发射电子具有初始能量时的空间电荷限制电流公式 ,并与 PIC数值模拟结果进行了比较 ,结果表明本文理论分析与数值模拟相符... 采用理论分析和粒子模拟的方法研究了阴极发射电子初始能量和二维效应对二极管空间电荷限制流的修正。得到了阴极发射电子具有初始能量时的空间电荷限制电流公式 ,并与 PIC数值模拟结果进行了比较 ,结果表明本文理论分析与数值模拟相符合。用 PIC粒子模拟方法对二极管的二维效应进行了研究 ,得到了二维修正因子。此结果可以直接应用于二极管的实验结果分析和设计。 展开更多
关键词 二极管 电子束 空间电荷限制电流 修正因子
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BiFe_(0.95)Mn_(0.05)O_3薄膜阻变效应的空间电荷限制电流机理分析
2
作者 罗劲明 徐初东 陈书汉 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期80-83,共4页
研究了BiFe0.95Mn0.05O3薄膜器件的双极性阻变效应。通过对薄膜器件的电流电压曲线进行电导机制的拟合分析,发现在低阻态时其电流电压关系遵循欧姆定律,而在高阻态时则满足指数分布陷阱控制的空间电荷限制电流规律。同时,还研究了限制... 研究了BiFe0.95Mn0.05O3薄膜器件的双极性阻变效应。通过对薄膜器件的电流电压曲线进行电导机制的拟合分析,发现在低阻态时其电流电压关系遵循欧姆定律,而在高阻态时则满足指数分布陷阱控制的空间电荷限制电流规律。同时,还研究了限制电流对双极性阻变效应的影响,结果表明通过调节限制电流值,可以改变薄膜内形成的导电丝粗细,从而得到不同的低阻态,实现薄膜器件的多态存储功能。在导电丝理论的基础上,利用指数分布陷阱控制的空间电荷限制电流机理对这一现象进行了详尽的阐述。 展开更多
关键词 BiFe0 95Mn0 05O3 阻变效应 空间电荷限制电流 BiFe0 95 Mn0 05O3
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电子初始能量对双向流二极管空间电荷限制流密度的影响 被引量:1
3
作者 石磊 张嘉生 +1 位作者 邱爱慈 何小平 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期357-359,共3页
从理论上研究了阴极发射电子初始能量对一维平面非相对论性双向流二极管内空间电荷限制电子、离子流密度的影响 ,并与阴极发射电子初始能量为 0情况下的空间电荷限制电子。
关键词 空间电荷限制电流 二极管 双向流 电子初始能量
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基于单极性输运模型的聚乙烯空间电荷输运特性研究 被引量:1
4
作者 蔡新景 庞丹 +3 位作者 庞伶琦 毛雷 于建立 鲁志伟 《智慧电力》 北大核心 2019年第11期86-91,共6页
采用单极性载流子输运模型仿真了聚乙烯短路后的空间电荷的输运特性,比较了不同对流项离散格式数值解的准确性,并研究了放电电流的影响因素。研究结果表明,电子连续性方程为对流占优的对流扩散方程,应采用三阶迎风格式离散对流项。采用... 采用单极性载流子输运模型仿真了聚乙烯短路后的空间电荷的输运特性,比较了不同对流项离散格式数值解的准确性,并研究了放电电流的影响因素。研究结果表明,电子连续性方程为对流占优的对流扩散方程,应采用三阶迎风格式离散对流项。采用欧姆电极时,空间电荷消散所引起的放电电流衰减比阻塞电极快。随着电子迁移率和初始电荷密度的增加,相同时刻的放电电流密度越大。随着温度的增加,放电电流密度减小。该结果可为深刻认识等温松弛电流法和热刺激电流法实验结果提供理论基础。 展开更多
关键词 聚乙烯 空间电荷 输运 流体模型 放电电流密度 电子迁移率
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空间电荷引起的油纸绝缘低频弛豫现象研究 被引量:21
5
作者 胡一卓 董明 +5 位作者 谢佳成 庄添鑫 任明 何文林 汪可 李金忠 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2020年第6期2026-2037,共12页
介电响应技术是电介质材料状态检测和性能表征的有效手段之一,在聚合物、油纸以及陶瓷材料等领域得到了广泛的应用。但在油纸绝缘领域,目前频谱解释的研究还不够完善,对频谱表现形式对应的微观机制的解释较为缺乏,因此频域介电响应技术... 介电响应技术是电介质材料状态检测和性能表征的有效手段之一,在聚合物、油纸以及陶瓷材料等领域得到了广泛的应用。但在油纸绝缘领域,目前频谱解释的研究还不够完善,对频谱表现形式对应的微观机制的解释较为缺乏,因此频域介电响应技术的进一步发展和应用受到了限制。以油纸绝缘低频弛豫为研究对象,首先在Debye模型的基础上提出弛豫分量和电导分量的区分方法;测量不同温度下的频域介电谱,并得到低频弛豫分量曲线;然后,利用双势阱模型对温度的影响机理进行分析,拟合得到低频弛豫过程的势垒高度;最后,结合热激励去极化电流的测试结果对低频弛豫的来源进行讨论。研究表明,油纸绝缘频谱曲线的低频区域由弛豫分量和电导分量叠加构成,其中弛豫分量的贡献是不可忽略的;结合激励去极化电流的测试结果分析得知,该低频弛豫过程是由空间电荷引起的。 展开更多
关键词 油纸绝缘 低频弛豫 双势阱模型 热激励去极化电流 空间电荷
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基于拓扑建模法的故障电流限制器(FCL)模型研究 被引量:1
6
作者 李尚儒 高常宝 张志刚 《电测与仪表》 北大核心 2010年第5期63-67,共5页
运用拓扑建模法对一种典型的故障电流限制器(FCL)进行建模研究,分析了带FCL系统的短路电流的各个分量。借助编程语言对所建模型进行模型仿真。结果表明:所建模型精确地描述了FCL的动态过程。本文所提出的建模方法对于其他二工位形式的FC... 运用拓扑建模法对一种典型的故障电流限制器(FCL)进行建模研究,分析了带FCL系统的短路电流的各个分量。借助编程语言对所建模型进行模型仿真。结果表明:所建模型精确地描述了FCL的动态过程。本文所提出的建模方法对于其他二工位形式的FCL的建模具有通用性。 展开更多
关键词 拓扑建模法 故障电流限制器(FCL) 模型仿真
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非线性变压器理论在高压直流故障电流限制器中的应用研究 被引量:4
7
作者 谢飞 屈鲁 金环 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2019年第9期57-63,共7页
高压直流故障电流限制器(fault current limiter,FCL)是先进超导托卡马克装置系统中用于抑制短路电流,保护中性束注入系统的一种类变压器装置。文中从变压器铁心叠片的涡流损耗特性出发,采用分段线性插值的方法对FCL非线性磁滞回线模型... 高压直流故障电流限制器(fault current limiter,FCL)是先进超导托卡马克装置系统中用于抑制短路电流,保护中性束注入系统的一种类变压器装置。文中从变压器铁心叠片的涡流损耗特性出发,采用分段线性插值的方法对FCL非线性磁滞回线模型进行优化,推导出非线性激磁电阻与电感的并联模型。通过仿真及实验的对比分析,结果表明优化磁滞回线模型仿真波形与试验结果吻合度高,短路电流抑制效果良好。 展开更多
关键词 先进实验超导托卡马克 故障电流限制 平行四边形磁滞模型 铁心叠片 变压器非线性模型
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美国研制出一种强化功率集成的新型固态电流限制器
8
《中国电力》 CSCD 北大核心 2007年第5期22-22,共1页
美国电力研究院(EPRI)在2006年底已经完成一种新型固态电流限制器(SSCL)的试验模型设计并成功通过测试。这种新装置主要用于限制新增电源侧或者输电系统侧的故障电流和减小开关浪涌,能有效提高输配电系统的可靠性。
关键词 美国电力研究院 电流限制 功率集成 固态 强化 输配电系统 通过测试 模型设计
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向内发射同轴型二极管电流电压关系二维修正 被引量:9
9
作者 邵浩 刘国治 +3 位作者 宋志敏 黄文华 胡咏梅 宁辉 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期631-636,共6页
给出了对同轴型强流电子束二极管的电流电压关系进行的部分理论推导与介绍 ,同时利用 PIC数值模拟以及实验研究得到的二维效应修正关系曲线。在研究中首先给出了对向内发射同轴型二极管在不同电压等级下的电流电压关系 ,然后用 PIC数值... 给出了对同轴型强流电子束二极管的电流电压关系进行的部分理论推导与介绍 ,同时利用 PIC数值模拟以及实验研究得到的二维效应修正关系曲线。在研究中首先给出了对向内发射同轴型二极管在不同电压等级下的电流电压关系 ,然后用 PIC数值模拟方法进行验证。对数值模拟的结果也给出了理论推导公式在不同状态下的二维效应修正因子与电子束流运动的特点。在研究中得到的电流电压关系理论公式基本上反映了不同条件下同轴型二极管的束流特性 ,所以此研究结果可以直接应用于包含同轴型二极管结构的脉冲功率器件的设计与实验结果的分析中 。 展开更多
关键词 强流电子束 二极管 脉冲功率 电流电压关系 空间电荷限制电流 PIC数值模拟
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非晶硅薄膜晶体管中不饱和输出电流的数值仿真 被引量:5
10
作者 刘远 姚若河 李斌 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期15-18,33,共5页
针对氢化非晶硅薄膜晶体管中的输出电流不饱和现象,采用半导体器件模拟软件对非晶硅薄膜晶体管的输出特性进行了数值仿真,并探讨了不饱和输出电流的产生机理.仿真结果表明:在长沟道器件中,随着漏源电压的增加,体电流的传输机制将转变为... 针对氢化非晶硅薄膜晶体管中的输出电流不饱和现象,采用半导体器件模拟软件对非晶硅薄膜晶体管的输出特性进行了数值仿真,并探讨了不饱和输出电流的产生机理.仿真结果表明:在长沟道器件中,随着漏源电压的增加,体电流的传输机制将转变为空间电荷限制传导,此即为器件中产生不饱和输出电流的主要原因;而在短沟道器件中,还需要同时考虑漏致势垒降低效应的影响. 展开更多
关键词 非晶硅 薄膜晶体管 不饱和输出电流 数值仿真 空间电荷限制传导 漏致势垒降低
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相间功率控制器简化模型的适用性分析 被引量:1
11
作者 申旭辉 印永华 +1 位作者 卜广全 郭强 《电力系统自动化》 EI CSCD 北大核心 2012年第2期64-69,共6页
针对相间功率控制器在限制短路电流方面的应用,描述了其原理结构,介绍了其2种简化模型———串联模型和电流源模型,并基于电流源模型研究了相间功率控制器限制短路电流的机理和影响此项技术应用的主要因素。结合IEEE 5节点系统将这2种... 针对相间功率控制器在限制短路电流方面的应用,描述了其原理结构,介绍了其2种简化模型———串联模型和电流源模型,并基于电流源模型研究了相间功率控制器限制短路电流的机理和影响此项技术应用的主要因素。结合IEEE 5节点系统将这2种模型与原始模型进行了对比仿真,以确定其在相间功率控制器限制短路电流应用研究中的作用。结果表明:电网中相间功率控制器限制短路电流的特性受到系统参数、负载情况和自身设备参数3个因素的影响;相间功率控制器的串联模型可用于系统的潮流计算和设备设计参数的合理性校核;相间功率控制器的电流源模型可用于系统的短路电流计算和机电暂态研究。 展开更多
关键词 短路电流限制 相间功率控制器 串联模型 电流模型
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BST薄膜漏电流温度特性研究 被引量:1
12
作者 卢肖 吴传贵 +1 位作者 张万里 李言荣 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期57-59,共3页
采用射频溅射制备Ba0.8Sr0.2TiO3(BST)薄膜,研究了测试温度(295~375K)对BST薄膜J-V(电流密度-电压)特性的影响。实验发现:J∝V^m在低场下(V〈1.8V)m≈1,高场下(V〉1.8V)m≈8。随着测试温度升高,在低场下电流密度增... 采用射频溅射制备Ba0.8Sr0.2TiO3(BST)薄膜,研究了测试温度(295~375K)对BST薄膜J-V(电流密度-电压)特性的影响。实验发现:J∝V^m在低场下(V〈1.8V)m≈1,高场下(V〉1.8V)m≈8。随着测试温度升高,在低场下电流密度增大,指数优值保持不变;而在高场下电流密度减小,指数优值减小。通过进一步分析发现:电流密度和温度的关系在低场下满足InJ∝-1/T,在高场下满足logJ∝1/t。 展开更多
关键词 BST薄膜 电流 温度特性 空间电荷限制电流
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退火时间对溶液法制备Tips-Pentacene电流传输特性的影响 被引量:1
13
作者 滕支刚 冷华星 +1 位作者 张玲珑 钟传杰 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期219-223,共5页
通过测量p+Si/PEDOT∶PSS/Tips-PEN/Ag器件的J-V特性,研究了退火时间对溶液法制备Tips-PEN薄膜电流传输特性的影响。实验结果表明,在退火时间为2h和5h的条件下,随偏置电压的增加,双对数J-V曲线存在斜率依次为2,大于3以及2的不同区域,而... 通过测量p+Si/PEDOT∶PSS/Tips-PEN/Ag器件的J-V特性,研究了退火时间对溶液法制备Tips-PEN薄膜电流传输特性的影响。实验结果表明,在退火时间为2h和5h的条件下,随偏置电压的增加,双对数J-V曲线存在斜率依次为2,大于3以及2的不同区域,而在退火时间达到10h后,低电压下斜率为2的区域消失。根据空间电荷限制电流模型,分析了不同区域的电流传输机理,并提取了陷阱密度和空穴的迁移率。在退火时间为10h时,材料有最低的陷阱密度5.70×1018/cm3和最大的空穴迁移率1.68×10-4 cm2/(V·s),其在低偏置下传输特征的改变表明与溶剂残留有关的单一能级陷阱极大减小。 展开更多
关键词 Tips-Pentacene 空间电荷限制电流 退火时间 溶剂残留
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Pt/(Ba_(0.65)Sr_(0.35))TiO_3/Pt漏电流特性研究
14
作者 何小祥 吴传贵 张万里 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期1298-1301,1305,共5页
利用射频(RF)溅射在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上沉积(Ba_(0.65)Sr_(0.35))TiO_3(BST)薄膜,制成Pt/BST/Pt平板电容,研究在正反偏压下BST薄膜漏电流的J-V和J-T特性。反偏压时,上电极Pt和BST薄膜形成肖特基接触,漏电流遵循肖特基发射机制。正偏压... 利用射频(RF)溅射在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上沉积(Ba_(0.65)Sr_(0.35))TiO_3(BST)薄膜,制成Pt/BST/Pt平板电容,研究在正反偏压下BST薄膜漏电流的J-V和J-T特性。反偏压时,上电极Pt和BST薄膜形成肖特基接触,漏电流遵循肖特基发射机制。正偏压时,BST薄膜和下电极Pt界面存在大量的界面态,使得漏电流遵循空间电荷限制电流(SCLC)机制,漏电流密度随偏压的增加而急剧增加,随测试温度的增加而减小产生了PTCR效应。利用深陷阱空间电荷限制电流模型,解释了BST薄膜的PTCR效应受ε_r(T)和V^((Tc/T)+1)的共同作用,其中ε_r(T)的作用占优。 展开更多
关键词 PTCR BST薄膜 陷阱填充限制电流 空间电荷限制电流
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量子点发光二极管功能层厚度确定方法 被引量:2
15
作者 陈雯柏 叶继兴 +1 位作者 马航 李邓化 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第8期8-14,共7页
为改善量子点发光二极管器件载流子注入平衡,提出一种量子点发光二极管各功能层厚度的确定方法.首先选定量子点发光层厚度,基于隧穿模型进行仿真分析确定电子传输层厚度;然后采用空间电荷限制电流模型进行仿真分析确定空穴传输层厚度.采... 为改善量子点发光二极管器件载流子注入平衡,提出一种量子点发光二极管各功能层厚度的确定方法.首先选定量子点发光层厚度,基于隧穿模型进行仿真分析确定电子传输层厚度;然后采用空间电荷限制电流模型进行仿真分析确定空穴传输层厚度.采用CdSe/ZnS量子点作为发光层、poly-TPD作为空穴传输层、Alq_3作为电子传输层,按照该方法仿真分析得到各功能层厚度进行旋涂-蒸镀法实物器件制备.对比实验结果表明:当poly-TPD、QDs及Alq_3厚度分别为45nm、25nm及35nm时,获得了较高的发光效率及色纯度,器件性能最好.该方法确定的各功能层厚度有助于减少载流子在发光界面积累,获得载流子的注入平衡,从而改善QLEDs发光性能. 展开更多
关键词 量子点发光二极管 载流子注入平衡 空穴传输层 发光层 电子传输层 隧穿模型 空间电荷限制电流模型
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变压器油与绝缘纸板电导特性研究 被引量:22
16
作者 周远翔 沙彦超 +4 位作者 陈维江 卢理成 聂德鑫 伍志荣 邓建钢 《电网技术》 EI CSCD 北大核心 2013年第9期2527-2533,共7页
从电导特性的角度研究了变压器油在高场强下的预击穿过程及机制,将变压器油在不同电场下的电导机制分为3个阶段:①在电场低于0.44 kV mm 1时,电导电流I与外施场强E成正的线性关系,符合欧姆定律;②电场强度在0.44 1.33 kV mm 1范围内时,l... 从电导特性的角度研究了变压器油在高场强下的预击穿过程及机制,将变压器油在不同电场下的电导机制分为3个阶段:①在电场低于0.44 kV mm 1时,电导电流I与外施场强E成正的线性关系,符合欧姆定律;②电场强度在0.44 1.33 kV mm 1范围内时,ln(I/E2)1/E成正比,满足Fowler-Nordheim场致发射方程,属于隧道效应电流阶段;③当油中电场强度E>1.33 kV mm 1,I与电压的二次方U2成正比,属于空间电荷限制电流阶段,载流子视在迁移率c约为2.93 10 3cm2/(V s),当外施电场为2 kV mm 1时,载流子流速v为0.586 m s 1,电流体力学迁移率h约为1.5 10 3cm2(V s)1。同时,对影响变压器油电导特性的温度、流体压强、油中含水等因素进行研究,试验结果表明,随着温度的升高、流体压强的减小以及油中含水量的增加,变压器油的电导电流均将明显增加。此外,对工程上关注的不同浸油程度的绝缘纸板的电导和介电特性及其影响因素进行研究,结果表明,随着浸油水平、温度和工作频率的提高,绝缘纸板的电导电流均将相应增加。 展开更多
关键词 变压器油 绝缘纸板 直流电压 欧姆定律 场致发射 空间电荷限制电流
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纳米颗粒填充对LDPE/silica纳米复合介质阈值电场的影响 被引量:14
17
作者 吴建东 兰莉 +2 位作者 尹毅 李喆 李旭光 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2013年第22期201-206,29,共6页
为研究纳米颗粒填充对复合介质阈值电场特性的影响,以低密度聚乙烯(low-density polyethylene,LDPE)为基料、纳米二氧化硅(silica)为填充颗粒,制备了填充粒径分别为7和16 nm、填充浓度在0~5.0%范围的LDPE/silica纳米复合介质,并测... 为研究纳米颗粒填充对复合介质阈值电场特性的影响,以低密度聚乙烯(low-density polyethylene,LDPE)为基料、纳米二氧化硅(silica)为填充颗粒,制备了填充粒径分别为7和16 nm、填充浓度在0~5.0%范围的LDPE/silica纳米复合介质,并测试了复合介质的准稳态直流电导。研究表明:低电场下纳米颗粒对复合介质直流电导的影响不大;在高电场下,低填充密度(1.0%附近)时复合介质的电导比纯LDPE的值大,阈值电场均低于纯LDPE的值;仅当填充浓度较高时,复合介质的电导才下降,并且阈值电场高于纯LDPE的值。纳米颗粒填充粒径7和16 nm时,纳米复合介质的阈值电场特性基本一致,但在高电场下,填充粒径7 nm时的复合介质电导小于填充粒径为16 nm的值,且填充粒径7 nm时复合介质的阈值电场都高于填充粒径为16 nm时的值,表明填充粒径越小的纳米颗粒越能提升复合介质的阈值电场。另外,基于空间电荷限制电流理论(space charge limitedcurrent,SCLC)分析可知:纳米颗粒填充浓度较低时,纳米复合介质中总陷阱浓度H相对于纯LDPE都明显下降,仅当填充浓度进一步升高时,总陷阱浓度H才高于纯LDPE中的值。填充浓度在0.1%~5.0%时,纳米复合介质内部总陷阱浓度H随填充浓度的升高而升高,这主要与纳米颗粒引入颗粒/基料界面结构的增多有关。 展开更多
关键词 纳米复合介质 低密度聚乙烯 纳米二氧化硅 高场电导 空间电荷限制电流
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关于工程电介质中几个经常涉及的问题与思考 被引量:34
18
作者 雷清泉 李盛涛 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期2473-2480,共8页
随着工程电介质领域研究的发展,诸多没有得到公认解释的问题逐渐出现,为此,本文提出了几个重要的问题及思考以供相关研究工作者参考。1994年Lewis首次提出了纳米电介质,2003年至今已成为工程电介质领域的研究热点,但从20余年该领域的研... 随着工程电介质领域研究的发展,诸多没有得到公认解释的问题逐渐出现,为此,本文提出了几个重要的问题及思考以供相关研究工作者参考。1994年Lewis首次提出了纳米电介质,2003年至今已成为工程电介质领域的研究热点,但从20余年该领域的研究内容、作者的原意以及新近又提出的纳米结构电介质来看,我们认为应把名称改为纳米电介质复合物,并按照低维物理对纳米电介质作了重新定义。分析了Lewis与Tanaka界面的具体含义,提出了纳米高聚物复合物硬/软界面及其具有结构复杂性、不确定性与易变性的新概念,并剖析了硬、软表面的尺度及理化特性。提出了从A Einstein还原论、P W Anderson的层展现象与R P Feynmann的思维方法以启迪相关研究的新思维。从空间电荷限制电流(SCLC)存在条件的约束和高聚物或其复合物中由于自身结构的多层次性、复杂界面、电极接触以及共存的电子与离子电导等因素的严重影响,提出了从欧姆区过渡到高场区(即电极注入的SCLC区)不完全是由一种与注入载流子相同的载流子决定的想法,特别是要严格审视在测量条件确定时,离子电导对低场与高场区电流的贡献。为此,列出了离子电导与电子电导的主要特征与区别方法。针对脉冲有关的测量空间电荷的方法,特别是已成为国际上测量空间电荷主流方法的脉冲电声(PEA)方法,提出了PEA的优点与不足之处,以及如何去校准测量结果的正确性、重复性,如依据高聚物结构的特征,建立压激电流(pressure stimulated current,PSC)装置,正确判断电子、离子、偶极子梯度产生的空间电荷,以弥补PEA测量的严重不足。 展开更多
关键词 工程电介质 纳米电介质复合物 硬/软界面 结构层次 空间电荷限制电流 脉冲电声法 压激电流
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氧化锌作为电子传输层的量子点发光二极管 被引量:6
19
作者 马航 李邓化 +1 位作者 陈雯柏 叶继兴 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期507-513,共7页
为降低量子点发光二极管(QLED)的开启电压,提高器件性能,利用电子传输性能良好的氧化锌(ZnO)作为电子传输层,制备了结构为ITO/PEDOT∶PSS/poly-TPD/QDs/ZnO/Al的QLED样品。在该器件结构基础上,采用隧穿注入和空间电荷限制电流模型仿真... 为降低量子点发光二极管(QLED)的开启电压,提高器件性能,利用电子传输性能良好的氧化锌(ZnO)作为电子传输层,制备了结构为ITO/PEDOT∶PSS/poly-TPD/QDs/ZnO/Al的QLED样品。在该器件结构基础上,采用隧穿注入和空间电荷限制电流模型仿真分析了载流子在量子点(QDs)层的电流密度。研究发现,当ZnO厚度为50 nm时,poly-TPD的理论最优厚度为40 nm,载流子在QDs层的注入达到相对平衡。通过测试器件的电流密度-电压-亮度-发光效率特性,研究了空穴传输层厚度对QLED器件性能的影响。实验结果表明,当空穴传输层厚度为40 nm时,器件的开启电压为1.7 V,最大发光效率为1.18 cd/A。在9 V电压下,器件最大亮度达到5 225 cd/m^2,远优于其他厚度的器件。实验结果与仿真结果基本吻合。 展开更多
关键词 量子点发光二极管 隧穿注入 空间电荷限制电流 电流密度 亮度 电流效率
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绝缘介质中载流子注入与传导的机理 被引量:6
20
作者 周力任 吴广宁 罗杨 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期102-105,155,共5页
本文分析了与绝缘介质老化、失效过程密切相关的载流子注入与传导机理,包括具有电极限制特性的肖特基效应、具有体限制特性的普尔-弗兰凯尔效应、隧穿效应、离子跳跃传导以及空间电荷限制电流。研究结果表明:由普尔-弗兰凯尔效应引起的... 本文分析了与绝缘介质老化、失效过程密切相关的载流子注入与传导机理,包括具有电极限制特性的肖特基效应、具有体限制特性的普尔-弗兰凯尔效应、隧穿效应、离子跳跃传导以及空间电荷限制电流。研究结果表明:由普尔-弗兰凯尔效应引起的势垒降低的高度是由肖特基效应降低的势垒高度的两倍。如果In(I/E2)-1/E特性关系始终是线性的,说明载流子是由隧穿效应注入介质中的。在高电场下,离子跳跃传导的J-E特性曲线是一条斜率为eλ/2kT的直线,并可由此斜率计算得到离子跳跃的距离。由空间电荷限制电流的J-V特性可以确定临界电压,即电流从陷阱限制值迅速跳高至无陷阱的空间电荷限制电流值的电压。 展开更多
关键词 肖特基效应 普尔-弗兰凯尔效应 隧穿效应 离子跳跃传导 空间电荷限制电流
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