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基于第一性原理的掺杂单层WS 2的光电效应
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作者 袁秋明 陈妍 +2 位作者 徐中辉 罗兵 陈圳 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第3期497-503,共7页
基于非平衡态格林函数-密度泛函理论,采用第一性原理方法,计算了VA族元素(N、P、As或Sb)掺杂单层WS 2的光电效应,并解释了掺杂提高光电效应的微观机理。结果表明:在线性极化光照射下,单层WS 2中可以产生光电流。由于掺杂降低了单层WS 2... 基于非平衡态格林函数-密度泛函理论,采用第一性原理方法,计算了VA族元素(N、P、As或Sb)掺杂单层WS 2的光电效应,并解释了掺杂提高光电效应的微观机理。结果表明:在线性极化光照射下,单层WS 2中可以产生光电流。由于掺杂降低了单层WS 2的空间反演对称性,导致N、P、As或Sb分别掺杂的单层WS 2的光照中心区产生的光电流明显提升。其中N掺杂的效果最好,掺杂后的单层WS 2在光子能量3.1 eV时获得最大光电流(1.75),并且偏振灵敏度达到最大(18.1),P、As、Sb分别掺杂的单层WS 2在光子能量3.9 eV时取得较大的光电流,并且有较高的偏振灵敏度。研究结果表明通过掺杂能够有效增强光电效应,获得更高的偏振灵敏度,揭示了掺杂单层WS 2在光电子器件领域潜在的应用前景。 展开更多
关键词 第一性原理 掺杂 WS 2 光电效应 偏振灵敏度 空间反演对称性
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磁调控对硅烯器件光电输运性质的影响
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作者 商晓菲 曹如凤 +2 位作者 薛俊 李月君 周艳红 《江西师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2023年第5期477-482,共6页
基于第一性原理方法,该文研究了硅烯器件对外部磁场的响应及其光电输运性质.根据左右电极自旋磁构型特点,构建了2种硅器件结构:左右电极磁矩方向平行的P构型和磁矩方向反平行的AP构型.研究发现:通过调节磁场,器件电子透射率可以在导电... 基于第一性原理方法,该文研究了硅烯器件对外部磁场的响应及其光电输运性质.根据左右电极自旋磁构型特点,构建了2种硅器件结构:左右电极磁矩方向平行的P构型和磁矩方向反平行的AP构型.研究发现:通过调节磁场,器件电子透射率可以在导电态和绝缘态之间切换.此外,这2种器件在光学伽伐尼效应下获得了不同的光电流.在AP构型中,纯自旋流既不依赖于光子的能量,也不受入射光偏振角影响,而P构型则不是.通过调整轨道对称性实现电导切换以及通过磁场调制产生纯自旋流的方法可以用于硅烯电子器件的设计. 展开更多
关键词 光学伽伐尼效应 空间反演对称性 轨道对称性 自旋密度
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