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金属—半导体界面附近的空位电子态
1
作者
张耀举
《郑州轻工业学院学报》
1991年第4期86-90,共5页
本文用紧束缚模型发展了金属—半导体界面附近的空位理论。研究结果发现:空位对它附近区域的态密度有一定影响;空位的生成能随空位-界面间距的变化是一个振荡函数;空位趋向于朝界面处吸引。当系统中同时存在两个空位时,由于介质极化,空...
本文用紧束缚模型发展了金属—半导体界面附近的空位理论。研究结果发现:空位对它附近区域的态密度有一定影响;空位的生成能随空位-界面间距的变化是一个振荡函数;空位趋向于朝界面处吸引。当系统中同时存在两个空位时,由于介质极化,空位之间要发生间接相互作用,其间接相互作用能随空位-空位间距的改变发生振荡。
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关键词
金属
半导体
界面
空位电子态
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职称材料
题名
金属—半导体界面附近的空位电子态
1
作者
张耀举
机构
郑州轻工业学院基础课部
出处
《郑州轻工业学院学报》
1991年第4期86-90,共5页
文摘
本文用紧束缚模型发展了金属—半导体界面附近的空位理论。研究结果发现:空位对它附近区域的态密度有一定影响;空位的生成能随空位-界面间距的变化是一个振荡函数;空位趋向于朝界面处吸引。当系统中同时存在两个空位时,由于介质极化,空位之间要发生间接相互作用,其间接相互作用能随空位-空位间距的改变发生振荡。
关键词
金属
半导体
界面
空位电子态
Keywords
tight-binding model,Green's function, local density of state,vacancy-formation ener-gy, indirect interaction energy
分类号
O472 [理学—半导体物理]
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题名
作者
出处
发文年
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1
金属—半导体界面附近的空位电子态
张耀举
《郑州轻工业学院学报》
1991
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