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卤素原子的引入对二苯甲基自由基光稳定性、光物理性质及电致发光器件性能的影响被引量：1: 1; 作者吴春晓艾心 +2 位作者陈英鑫崔志远李峰《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第5期972-980,共9页; 通过在\%N\%-咔唑基-二(2,4,6-三氯苯)甲基自由基(CzBTM)的咔唑基团的3和6位引入卤素原子,合成了3个新的自由基分子(3,6-二氟-N-咔唑基)二(2,4,6-三氯苯)甲基自由基(F 2CzBTM)、(3,6-二氯-N-咔唑基)二(2,4,6-三氯苯)甲基自由基(Cl 2CzB... 展开更多; 关键词二苯甲基自由基光稳定性双线态激子有机电致发光器件; 在线阅读下载PDF 职称材料

Si基光电子集成器件研究进展: 2; 作者李廷洪《黑龙江科技信息》 2004年第6期75-75,共1页; Si 基光电子集成已成为十分引人注目的研究课题,其工艺与 CMOS 工艺完全兼容,可以实现低成本的 Si 基光电子集成器件。本文综述近几年来 Si 基光电子集成器件的发展以及一些最新的研究进展,并对器件研制、发光机理和应用前景等方面做了... 展开更多; 关键词 si基光电子集成器件发光强度硅制备; 在线阅读下载PDF 职称材料

Si基光电子学的研究与展望被引量：10: 3; 作者彭英才 ZHAO X W +1 位作者傅广生王英龙《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期273-285,共13页; Si基光电子学是为顺应二十一世纪以现代光通信和光电子计算机为主的信息科学技术发展需要,在全世界范围内迅速兴起的一个极为活跃的研究前沿。其最终目标之一是为了实现人们所期盼的全Si光电子集成电路。本文尝试性地评论了这一集Si材... 展开更多; 关键词光电子学直接带隙si基低维材料晶粒有序si基纳米材料稳定高效si基发光器件全si 光电子集成; 在线阅读下载PDF 职称材料

Si基纳米结构的电子性质被引量：1: 4; 作者彭英才 ZHAO Xin-wei +1 位作者王英龙马蕾《微纳电子技术》 CAS 2004年第2期1-8,共8页; 各种Si基纳米发光材料在Si基光电子器件及其全Si光电子集成技术中具有潜在的应用前景,从理论和实验上对其电子结构进行研究,有助于我们深化对其发光机制的认识与理解。本文主要从量子限制效应发光这一角度,着重介绍了Si纳米晶粒、Ge/Si... 展开更多; 关键词 si基纳米结构电子性质 si基纳米发光材料量子限制效应电子结构器件应用; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名卤素原子的引入对二苯甲基自由基光稳定性、光物理性质及电致发光器件性能的影响被引量：1: 1; 作者吴春晓艾心陈英鑫崔志远李峰; 机构吉林大学化学学院; 出处《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第5期972-980,共9页; 基金国家自然科学基金(批准号:51925303,51673080,91833304)资助.; 文摘通过在\%N\%-咔唑基-二(2,4,6-三氯苯)甲基自由基(CzBTM)的咔唑基团的3和6位引入卤素原子,合成了3个新的自由基分子(3,6-二氟-N-咔唑基)二(2,4,6-三氯苯)甲基自由基(F 2CzBTM)、(3,6-二氯-N-咔唑基)二(2,4,6-三氯苯)甲基自由基(Cl 2CzBTM)及(3,6-二溴-N-咔唑基)二(2,4,6-三氯苯)甲基自由基(Br 2CzTM).通过对比3个自由基分子与CzBTM的理论计算结果、电化学性质、光物理性质以及光稳定性,发现对于电子给-受体型的发光自由基,其光物理性质是外围取代基团的电负性和分子空间构型共同作用的结果.Cl 2CzBTM和Br 2CzTM具有较高的光致发光荧光量子效率,而F 2CzBTM在光照下具有最长的光致发光半衰期.与以CzBTM为发光层制备的电致发光器件相比,以Cl 2CzBTM和Br 2CzTM为发光层制备的有机电致发光器件的光谱均发生了蓝移,器件的最大外量子效率均有所提高,分别是其1.8倍和2.5倍.; 关键词二苯甲基自由基光稳定性双线态激子有机电致发光器件; Keywords Biphenylmethyl radical Photostability Doublet exciton Organic light-emitting didoes(OLEDs); 分类号 O644 [理学—物理化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Si基光电子集成器件研究进展: 2; 作者李廷洪; 机构广东肇庆学院电子信息工程系; 出处《黑龙江科技信息》 2004年第6期75-75,共1页; 文摘 Si 基光电子集成已成为十分引人注目的研究课题,其工艺与 CMOS 工艺完全兼容,可以实现低成本的 Si 基光电子集成器件。本文综述近几年来 Si 基光电子集成器件的发展以及一些最新的研究进展,并对器件研制、发光机理和应用前景等方面做了详细的叙述。; 关键词 si基光电子集成器件发光强度硅制备; 分类号 TN491 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Si基光电子学的研究与展望被引量：10: 3; 作者彭英才 ZHAO X W 傅广生王英龙; 机构河北大学电子信息工程学院中国科学院半导体研究所 Department of Physics 中国科学院微电子研究中心河北大学物理科学与技术学院; 出处《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期273-285,共13页; 基金河北省自然科学基金(503125和500084) 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室和中国科学院微电子研究所资助项目; 文摘 Si基光电子学是为顺应二十一世纪以现代光通信和光电子计算机为主的信息科学技术发展需要,在全世界范围内迅速兴起的一个极为活跃的研究前沿。其最终目标之一是为了实现人们所期盼的全Si光电子集成电路。本文尝试性地评论了这一集Si材料技术、纳米技术、微电子技术以及光电子技术为一体的新型交叉学科,近年来在直接带隙Si基低维材料的设计、晶粒有序Si基纳米材料的制备与稳定高效Si基发光器件的探索等方面所取得的若干重要研究进展,并预测了全Si光电子集成技术的未来发展趋势。; 关键词光电子学直接带隙si基低维材料晶粒有序si基纳米材料稳定高效si基发光器件全si 光电子集成; Keywords optoelectronics direct bandgap si-based low dimensional materials ordered si-based nanocrystalline films stable and high-efficient si-based luminescent devices all-si optoelectronic integrated technology; 分类号 TN20 [电子电信—物理电子学] O471.1 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Si基纳米结构的电子性质被引量：1: 4; 作者彭英才 ZHAO Xin-wei 王英龙马蕾; 机构河北大学电子信息工程学院 Department of Physics 河北大学物理科学与技术学院河北大学电子信息工程学院; 出处《微纳电子技术》 CAS 2004年第2期1-8,共8页; 基金河北省自然科学基金资助项目(503125 500084); 文摘各种Si基纳米发光材料在Si基光电子器件及其全Si光电子集成技术中具有潜在的应用前景,从理论和实验上对其电子结构进行研究,有助于我们深化对其发光机制的认识与理解。本文主要从量子限制效应发光这一角度,着重介绍了Si纳米晶粒、Ge/Si量子点,SiO2/Si超晶格和超小尺寸Si纳米团簇等不同Si基纳米结构的电子性质以及它们与发光特性之间的关系。还讨论了介质镶嵌和表面钝化对其电子结构的影响。; 关键词 si基纳米结构电子性质 si基纳米发光材料量子限制效应电子结构器件应用; Keywords si-based nanocrystalline luminescent materials quantum confinement effect electro-nic structure device applications; 分类号 TB383 [一般工业技术—材料科学与工程] O431.2 [机械工程—光学工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	卤素原子的引入对二苯甲基自由基光稳定性、光物理性质及电致发光器件性能的影响	吴春晓艾心陈英鑫崔志远李峰	《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2020	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	Si基光电子集成器件研究进展	李廷洪	《黑龙江科技信息》	2004	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	Si基光电子学的研究与展望	彭英才 ZHAO X W 傅广生王英龙	《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心	2004	10	在线阅读下载PDF 职称材料
4	Si基纳米结构的电子性质	彭英才 ZHAO Xin-wei 王英龙马蕾	《微纳电子技术》 CAS	2004	1	在线阅读下载PDF 职称材料