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卤素原子的引入对二苯甲基自由基光稳定性、光物理性质及电致发光器件性能的影响
被引量：
1
1
作者
吴春晓
艾心
+2 位作者
陈英鑫
崔志远
李峰
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第5期972-980,共9页
通过在\%N\%-咔唑基-二(2,4,6-三氯苯)甲基自由基(CzBTM)的咔唑基团的3和6位引入卤素原子,合成了3个新的自由基分子(3,6-二氟-N-咔唑基)二(2,4,6-三氯苯)甲基自由基(F 2CzBTM)、(3,6-二氯-N-咔唑基)二(2,4,6-三氯苯)甲基自由基(Cl 2CzB...
通过在\%N\%-咔唑基-二(2,4,6-三氯苯)甲基自由基(CzBTM)的咔唑基团的3和6位引入卤素原子,合成了3个新的自由基分子(3,6-二氟-N-咔唑基)二(2,4,6-三氯苯)甲基自由基(F 2CzBTM)、(3,6-二氯-N-咔唑基)二(2,4,6-三氯苯)甲基自由基(Cl 2CzBTM)及(3,6-二溴-N-咔唑基)二(2,4,6-三氯苯)甲基自由基(Br 2CzTM).通过对比3个自由基分子与CzBTM的理论计算结果、电化学性质、光物理性质以及光稳定性,发现对于电子给-受体型的发光自由基,其光物理性质是外围取代基团的电负性和分子空间构型共同作用的结果.Cl 2CzBTM和Br 2CzTM具有较高的光致发光荧光量子效率,而F 2CzBTM在光照下具有最长的光致发光半衰期.与以CzBTM为发光层制备的电致发光器件相比,以Cl 2CzBTM和Br 2CzTM为发光层制备的有机电致发光器件的光谱均发生了蓝移,器件的最大外量子效率均有所提高,分别是其1.8倍和2.5倍.
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关键词
二苯甲
基
自由
基
光
稳定
性
双线态激子
有机电致
发光
器件
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职称材料
Si基光电子学的研究与展望
被引量：
10
2
作者
彭英才
ZHAO X W
+1 位作者
傅广生
王英龙
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期273-285,共13页
Si基光电子学是为顺应二十一世纪以现代光通信和光电子计算机为主的信息科学技术发展需要,在全世界范围内迅速兴起的一个极为活跃的研究前沿。其最终目标之一是为了实现人们所期盼的全Si光电子集成电路。本文尝试性地评论了这一集Si材...
Si基光电子学是为顺应二十一世纪以现代光通信和光电子计算机为主的信息科学技术发展需要,在全世界范围内迅速兴起的一个极为活跃的研究前沿。其最终目标之一是为了实现人们所期盼的全Si光电子集成电路。本文尝试性地评论了这一集Si材料技术、纳米技术、微电子技术以及光电子技术为一体的新型交叉学科,近年来在直接带隙Si基低维材料的设计、晶粒有序Si基纳米材料的制备与稳定高效Si基发光器件的探索等方面所取得的若干重要研究进展,并预测了全Si光电子集成技术的未来发展趋势。
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关键词
光电子学
直接带隙
si
基
低维材料
晶粒有序
si
基
纳米材料
稳定高效si基发光器件
全
si
光电子集成
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职称材料
题名
卤素原子的引入对二苯甲基自由基光稳定性、光物理性质及电致发光器件性能的影响
被引量：
1
1
作者
吴春晓
艾心
陈英鑫
崔志远
李峰
机构
吉林大学化学学院
出处
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第5期972-980,共9页
基金
国家自然科学基金(批准号:51925303,51673080,91833304)资助.
文摘
通过在\%N\%-咔唑基-二(2,4,6-三氯苯)甲基自由基(CzBTM)的咔唑基团的3和6位引入卤素原子,合成了3个新的自由基分子(3,6-二氟-N-咔唑基)二(2,4,6-三氯苯)甲基自由基(F 2CzBTM)、(3,6-二氯-N-咔唑基)二(2,4,6-三氯苯)甲基自由基(Cl 2CzBTM)及(3,6-二溴-N-咔唑基)二(2,4,6-三氯苯)甲基自由基(Br 2CzTM).通过对比3个自由基分子与CzBTM的理论计算结果、电化学性质、光物理性质以及光稳定性,发现对于电子给-受体型的发光自由基,其光物理性质是外围取代基团的电负性和分子空间构型共同作用的结果.Cl 2CzBTM和Br 2CzTM具有较高的光致发光荧光量子效率,而F 2CzBTM在光照下具有最长的光致发光半衰期.与以CzBTM为发光层制备的电致发光器件相比,以Cl 2CzBTM和Br 2CzTM为发光层制备的有机电致发光器件的光谱均发生了蓝移,器件的最大外量子效率均有所提高,分别是其1.8倍和2.5倍.
关键词
二苯甲
基
自由
基
光
稳定
性
双线态激子
有机电致
发光
器件
Keywords
Biphenylmethyl radical
Photostability
Doublet exciton
Organic light-emitting didoes(OLEDs)
分类号
O644 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
Si基光电子学的研究与展望
被引量：
10
2
作者
彭英才
ZHAO X W
傅广生
王英龙
机构
河北大学电子信息工程学院
中国科学院半导体研究所
Department of Physics
中国科学院微电子研究中心
河北大学物理科学与技术学院
出处
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期273-285,共13页
基金
河北省自然科学基金(503125和500084)
中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室和中国科学院微电子研究所资助项目
文摘
Si基光电子学是为顺应二十一世纪以现代光通信和光电子计算机为主的信息科学技术发展需要,在全世界范围内迅速兴起的一个极为活跃的研究前沿。其最终目标之一是为了实现人们所期盼的全Si光电子集成电路。本文尝试性地评论了这一集Si材料技术、纳米技术、微电子技术以及光电子技术为一体的新型交叉学科,近年来在直接带隙Si基低维材料的设计、晶粒有序Si基纳米材料的制备与稳定高效Si基发光器件的探索等方面所取得的若干重要研究进展,并预测了全Si光电子集成技术的未来发展趋势。
关键词
光电子学
直接带隙
si
基
低维材料
晶粒有序
si
基
纳米材料
稳定高效si基发光器件
全
si
光电子集成
Keywords
optoelectronics
direct bandgap
si
-based low dimen
si
onal materials
ordered
si
-based nanocrystalline films
stable and high-efficient
si
-based luminescent devices
all-
si
optoelectronic integrated technology
分类号
TN20 [电子电信—物理电子学]
O471.1 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
卤素原子的引入对二苯甲基自由基光稳定性、光物理性质及电致发光器件性能的影响
吴春晓
艾心
陈英鑫
崔志远
李峰
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
Si基光电子学的研究与展望
彭英才
ZHAO X W
傅广生
王英龙
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2004
10
在线阅读
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职称材料
已选择
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