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溶胶-凝胶法制备ZnO基稀释磁性半导体薄膜被引量：14: 1; 作者修向前张荣 +4 位作者徐晓峰俞慧强陈丽星施毅郑有炓《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2003年第3期64-66,共3页; 用溶胶凝胶法制备了具有良好光学性质和C轴取向的ZnO∶Fe薄膜。ZnO∶Fe薄膜具有尖锐的带边发光 ,禁带宽度约为 3 3eV ,半高宽 13nm。磁性测量表明 ,ZnO∶Fe薄膜在室温下具有铁磁性 ,饱和磁化强度约为 10 - 3emu量级 ,矫顽力为 30奥斯特(... 展开更多; 关键词 ZNO 稀释磁性半导体薄膜溶胶-凝胶法氧化锌制备方法; 在线阅读下载PDF 职称材料

稀释磁性半导体Pb0.954Mn0.046Se纳米晶体的合成和XANES测试: 2; 作者嵇天浩徐惠斌 +4 位作者郭林齐兴义邓元杨青林 Charles O'Connor 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期643-644,共2页; 采用高温溶剂合成法制备了稀释磁性半导体(DMS)Pb0.954Mn0.046Se纳米晶体(NCs).使用TEM和XANES测试手段对此DMS纳米晶体进行了表征.测试结果表明,纳米晶体尺寸分布较均匀,而且掺杂在PbSe中的Mn离子仍是+2价的,同时也证实了Mn离子的掺杂... 展开更多; 关键词稀释磁性半导体纳米晶体 XANES; 在线阅读下载PDF 职称材料

稀释磁性半导体Zn_(1-x)Co_xO纳米晶的合成被引量：1: 3; 作者尤逢永毕红周小丽《安徽大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2006年第6期75-79,共5页; 采用化学共沉淀法合成了稀释磁性半导体Zn1-xCoxO（z=0．01～0．42）纳米晶，X-射线衍射和红外光谱显示钴离子掺杂到氧化锌晶格中并替代了部分锌离子的占位，用振动样品磁强计研究了Zn1-xCoxO系列样品的磁性能，发现当x≤0．12时，样品... 展开更多; 关键词稀释磁性半导体钴掺杂氧化锌化学共沉淀法; 在线阅读下载PDF 职称材料

稀磁半导体CdMnTe单晶的制备新技术: 4; 作者马国立郭喜平介万奇《材料科学与工程》 CSCD 1999年第3期31-34,共4页; ＣｄＭｎＴｅ是近年来出现的一种新型半导体材料，由于材料中含有磁性Ｍｎ２＋离子，所以又称之为稀释磁性半导体。它具有独特的磁学、光学、电学性质，同时也可用作红外探测器制备中的衬底材料，但是，受材料本身特性的限制，采用传统... 展开更多; 关键词 ACRT-B 半导体稀释磁性半导体镉锰碲单晶; 在线阅读下载PDF 职称材料

Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶体生长研究被引量：1: 5; 作者常永勤安卫军 +1 位作者郭喜平介万奇《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期193-194,197,共3页; 采用Bridgman法生长四元稀磁化合物半导体Mn0 .2 2Cd0 .78In2 Te4晶体。当晶体生长到预定长度时 ,淬火得到固液界面。采用光学显微镜、扫描电镜、X射线衍射仪、ISIS能谱仪以及Leica定量金相分析仪研究了晶体中出现的界面形态、相的形貌... 展开更多; 关键词晶体生长相变界面 Β相 X射线衍射图谱稀释磁性半导体; 在线阅读下载PDF 职称材料

垂直布里奇曼法生长的Cd_(0.8)Mn_(0.2)Te单晶体中Te沉淀相分析被引量：1: 6; 作者栾丽君介万奇《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期57-61,共5页; Cd1-xMnxTe(CdMnTe,CMT)是制备光学隔离器、太阳能电池、x射线和γ射线探测器的优选材料。本实验采用垂直布里奇曼(VB)法成功地生长出Cd0.8Mn0.2Te单晶体。用JEM-3010型高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察了CMT晶体中的纳米级Te沉淀。选... 展开更多; 关键词垂直布里奇曼(VB)法稀释磁性半导体 Cd0.8Mn0.2Te Te沉淀; 在线阅读下载PDF 职称材料

Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶体生长及其性能研究: 7; 作者常永勤安卫军 +1 位作者郭喜平介万奇《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2002年第4期360-363,共4页; 采用ACRT B法生长了四元稀磁半导体化合物Mn0 .1Cd0 .9In2 Te4 晶体。采用扫描电镜、X射线衍射仪、ISIS能谱仪、Leica定量金相分析仪以及傅里叶变换红外光谱仪研究了晶体中相的结构、形貌、成分及晶片的红外透射光谱。发现晶体生长初始... 展开更多; 关键词 MnxCd1-xIn2Te4 Β相 β1相红外透射光谱 Α相稀释磁性半导体; 在线阅读下载PDF 职称材料

纳米Zn_(1-x)Fe_xSe薄膜的制备和结构研究: 8; 作者张林张连生《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期357-358,361,共3页; 采用双源热蒸发方法制备了纳米 Zn1-xFexSe稀释磁性半导体薄膜,根据 X 射线衍射谱和Raman散射谱研究了薄膜的晶体结构和声子谱特征。结果表明:Zn1-xFexSe薄膜中纳米晶粒的晶格常数随Fe含量增加而增大;通过 Raman 散射光谱观察到明显的... 展开更多; 关键词纳米晶薄膜稀释磁性半导体晶体结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名溶胶-凝胶法制备ZnO基稀释磁性半导体薄膜被引量：14: 1; 作者修向前张荣徐晓峰俞慧强陈丽星施毅郑有炓; 机构南京大学物理系; 出处《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2003年第3期64-66,共3页; 基金 86 3计划 ( 2 0 0 1AA311110 ) 973规划 (G2 0 0 0 0 6 830 5 )资助项目。; 文摘用溶胶凝胶法制备了具有良好光学性质和C轴取向的ZnO∶Fe薄膜。ZnO∶Fe薄膜具有尖锐的带边发光 ,禁带宽度约为 3 3eV ,半高宽 13nm。磁性测量表明 ,ZnO∶Fe薄膜在室温下具有铁磁性 ,饱和磁化强度约为 10 - 3emu量级 ,矫顽力为 30奥斯特(Oe)。; 关键词 ZNO 稀释磁性半导体薄膜溶胶-凝胶法氧化锌制备方法; Keywords Sol-Gel method, Zinc oxide, Diluted magnetic semiconductors; 分类号 TN304.055 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名稀释磁性半导体Pb0.954Mn0.046Se纳米晶体的合成和XANES测试: 2; 作者嵇天浩徐惠斌郭林齐兴义邓元杨青林 Charles O'Connor; 机构北京航空航天大学 Advanced Material Research Institute; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期643-644,共2页; 基金北京航空航天大学材料与工程学院青年教师基金资助项目; 文摘采用高温溶剂合成法制备了稀释磁性半导体(DMS)Pb0.954Mn0.046Se纳米晶体(NCs).使用TEM和XANES测试手段对此DMS纳米晶体进行了表征.测试结果表明,纳米晶体尺寸分布较均匀,而且掺杂在PbSe中的Mn离子仍是+2价的,同时也证实了Mn离子的掺杂导致了DMSNCs的晶格发生了少许的改变.; 关键词稀释磁性半导体纳米晶体 XANES; 分类号 TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名稀释磁性半导体Zn_(1-x)Co_xO纳米晶的合成被引量：1: 3; 作者尤逢永毕红周小丽; 机构安徽大学化学化工学院; 出处《安徽大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2006年第6期75-79,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(20401001) 安徽省科技厅重点科研基金资助项目(04022075); 文摘采用化学共沉淀法合成了稀释磁性半导体Zn1-xCoxO（z=0．01～0．42）纳米晶，X-射线衍射和红外光谱显示钴离子掺杂到氧化锌晶格中并替代了部分锌离子的占位，用振动样品磁强计研究了Zn1-xCoxO系列样品的磁性能，发现当x≤0．12时，样品呈现明显的室温铁磁性．此外，研究了合成过程中反应液的pH值、钴的掺入量和产生的沉淀等因素对Zn1-xCoxO磁性能的影响，并初步探讨了反应机理．; 关键词稀释磁性半导体钴掺杂氧化锌化学共沉淀法; Keywords diluted magnetic semiconductors Co- doped ZnO chemical co -deposition technique; 分类号 TN304.7 [电子电信—物理电子学] TN305.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名稀磁半导体CdMnTe单晶的制备新技术: 4; 作者马国立郭喜平介万奇; 机构西北工业大学凝固技术国家重点实验室; 出处《材料科学与工程》 CSCD 1999年第3期31-34,共4页; 基金航空基金资助; 文摘ＣｄＭｎＴｅ是近年来出现的一种新型半导体材料，由于材料中含有磁性Ｍｎ２＋离子，所以又称之为稀释磁性半导体。它具有独特的磁学、光学、电学性质，同时也可用作红外探测器制备中的衬底材料，但是，受材料本身特性的限制，采用传统的长晶工艺制备这种材料存在有较大的困难。本文采用ＡＣＲＴ—Ｂ技术来进行晶体生长，使混料和长晶一次完成。; 关键词 ACRT-B 半导体稀释磁性半导体镉锰碲单晶; Keywords Cd M n Te A C R T B diluted m agnetic sem iconductors; 分类号 TN304.7 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶体生长研究被引量：1: 5; 作者常永勤安卫军郭喜平介万奇; 机构西北工业大学凝固技术国家重点实验室; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期193-194,197,共3页; 基金国家自然科学基金资助项目 (59872 0 2 7) 航空科学基金资助项目(98G530 99); 文摘采用Bridgman法生长四元稀磁化合物半导体Mn0 .2 2Cd0 .78In2 Te4晶体。当晶体生长到预定长度时 ,淬火得到固液界面。采用光学显微镜、扫描电镜、X射线衍射仪、ISIS能谱仪以及Leica定量金相分析仪研究了晶体中出现的界面形态、相的形貌和数量以及沿生长方向的相析出规律 ,并进行了相成分分析。研究发现 ,淬火得到的Mn0 .2 2 Cd0 .78In2 Te4晶体中存在两个界面 ,其中一个为固液相变界面 ,另一个为由α + β两相区发展到单相 β区时的转变界面 ,二者相对于生长初始端均为凹形 ;α+ β两相区中 ,β相以条状、花状和近似圆片状形式存在 ,其中条状 β相多分布在晶界处 ;越接近生长初始端 ,花状和近似圆片状β相越小 ,条状 β相越细 ,它们的含量越少 ;X射线衍射图谱表明 ,β相为黄铜矿结构 ,α相为面心立方结构。; 关键词晶体生长相变界面 Β相 X射线衍射图谱稀释磁性半导体; Keywords Mn x Cd 1- x In 2Te 4 transformation interface β phase X ray spectra; 分类号 TN304.7 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名垂直布里奇曼法生长的Cd_(0.8)Mn_(0.2)Te单晶体中Te沉淀相分析被引量：1: 6; 作者栾丽君介万奇; 机构西北工业大学材料学院; 出处《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期57-61,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(No.50336040)~~; 文摘 Cd1-xMnxTe(CdMnTe,CMT)是制备光学隔离器、太阳能电池、x射线和γ射线探测器的优选材料。本实验采用垂直布里奇曼(VB)法成功地生长出Cd0.8Mn0.2Te单晶体。用JEM-3010型高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察了CMT晶体中的纳米级Te沉淀。选区电子衍射得到了Te沉淀与CMT基体两相的合成电子衍射图。计算出单斜Te沉淀的晶胞参数为:a=0.31nm,b=0.79nm,c=0.47nm,β=92.71°。确定了Te沉淀和CMT基体的取向关系为(0■1)Te//(■02)CMT,[100]Te//[111]CMT。最后,对Te沉淀(缺陷)的形成原因进行了分析。; 关键词垂直布里奇曼(VB)法稀释磁性半导体 Cd0.8Mn0.2Te Te沉淀; Keywords Vertical Bridgman （VB） method semi-magnetic semiconductor Cd_ 0.8 Mn_ 0.2 Te Te precipitates; 分类号 O782.9 [理学—晶体学] TN304.7 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶体生长及其性能研究: 7; 作者常永勤安卫军郭喜平介万奇; 机构西北工业大学凝固技术国家重点实验室; 出处《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2002年第4期360-363,共4页; 基金国家自然科学基金项目 (59872 0 2 7) 航空科学基金项目 (98G530 99); 文摘采用ACRT B法生长了四元稀磁半导体化合物Mn0 .1Cd0 .9In2 Te4 晶体。采用扫描电镜、X射线衍射仪、ISIS能谱仪、Leica定量金相分析仪以及傅里叶变换红外光谱仪研究了晶体中相的结构、形貌、成分及晶片的红外透射光谱。发现晶体生长初始端由于溶质再分配而引起成分偏离配料比 ,结果出现三种相 :α相、β相和 β1相 ,其中α相和 β相是在晶体生长过程中形成的 ,随温度降低 ,从α相中又析出β1相。当晶体生长到稳定段 ,完全形成 β相。Mn0 .1Cd0 .9In2 Te4 晶体从生长初始端到接近稳态区 ,β1相由规则排列的片状向不规则排列的近似圆片状发展。禁带宽度为 1.2eV的Mn0 .1Cd0 .9In2 Te4 在 10 0 0 0～ 4 0 0 0cm- 1的近红外波数范围内 ,其透过率最高达 83% ,在 4 0 0 0～5 0 0cm- 1的中红外波数范围内透过率为 5 9%～ 6 5 %。; 关键词 MnxCd1-xIn2Te4 Β相 β1相红外透射光谱 Α相稀释磁性半导体; Keywords Mn_ x Cd_ 1- x In_2Te_4 \ β phase \ β_1 phase \ Infrared transmission spectra; 分类号 TN304.7 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名纳米Zn_(1-x)Fe_xSe薄膜的制备和结构研究: 8; 作者张林张连生; 机构山东大学物理与微电子学院; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期357-358,361,共3页; 基金国家自然科学基金资助项目(59571016); 文摘采用双源热蒸发方法制备了纳米 Zn1-xFexSe稀释磁性半导体薄膜,根据 X 射线衍射谱和Raman散射谱研究了薄膜的晶体结构和声子谱特征。结果表明:Zn1-xFexSe薄膜中纳米晶粒的晶格常数随Fe含量增加而增大;通过 Raman 散射光谱观察到明显的声子限域效应,与 ZnSe体材料相比,Zn1-xFexSe薄膜同光学声子模对应的 Raman 散射峰表现出宽化和红移;纳米晶粒的晶格膨胀导致 Raman散射峰红移随Fe含量增多而相应加大。; 关键词纳米晶薄膜稀释磁性半导体晶体结构; Keywords Crystal structure Magnetic properties Nanostructured materials Semiconducting films Semiconducting selenium compounds Semiconducting zinc compounds; 分类号 TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	溶胶-凝胶法制备ZnO基稀释磁性半导体薄膜	修向前张荣徐晓峰俞慧强陈丽星施毅郑有炓	《高技术通讯》 EI CAS CSCD	2003	14	在线阅读下载PDF 职称材料
2	稀释磁性半导体Pb0.954Mn0.046Se纳米晶体的合成和XANES测试	嵇天浩徐惠斌郭林齐兴义邓元杨青林 Charles O'Connor	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2004	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	稀释磁性半导体Zn_(1-x)Co_xO纳米晶的合成	尤逢永毕红周小丽	《安徽大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心	2006	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	稀磁半导体CdMnTe单晶的制备新技术	马国立郭喜平介万奇	《材料科学与工程》 CSCD	1999	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶体生长研究	常永勤安卫军郭喜平介万奇	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2002	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	垂直布里奇曼法生长的Cd_(0.8)Mn_(0.2)Te单晶体中Te沉淀相分析	栾丽君介万奇	《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心	2009	1	在线阅读下载PDF 职称材料
7	Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶体生长及其性能研究	常永勤安卫军郭喜平介万奇	《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心	2002	0	在线阅读下载PDF 职称材料
8	纳米Zn_(1-x)Fe_xSe薄膜的制备和结构研究	张林张连生	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2005	0	在线阅读下载PDF 职称材料