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C/C复合材料表面原位生长SiC_w的工艺
被引量：
2
1
作者
李军
谭周建
+2 位作者
廖寄乔
张翔
李丙菊
《中国有色金属学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第2期427-433,共7页
以三氯甲基硅烷(CH3SiCl3,MTS)为先驱体原料,采用化学气相沉积法在C/C复合材料基体上原位生长碳化硅晶须,研究稀释气体流量、催化剂以及沉积温度对碳化硅晶须生长的影响。结果表明:有催化剂存在时可以制备具有较高长径比的SiCw,无催化...
以三氯甲基硅烷(CH3SiCl3,MTS)为先驱体原料,采用化学气相沉积法在C/C复合材料基体上原位生长碳化硅晶须,研究稀释气体流量、催化剂以及沉积温度对碳化硅晶须生长的影响。结果表明:有催化剂存在时可以制备具有较高长径比的SiCw,无催化剂制备的SiC主要以短棒状或球状SiC为主;随着稀释气体流量或者沉积温度的增加,SiCw的产率是先增加、后减少,在1 100℃、载气和稀释气体流量均为100 mL/min时,制备的碳化硅晶须的产率最高,晶须质量最好。
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关键词
碳化硅晶须
C/C复合材料
稀释气体流量
催化剂
沉积温度
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职称材料
题名
C/C复合材料表面原位生长SiC_w的工艺
被引量：
2
1
作者
李军
谭周建
廖寄乔
张翔
李丙菊
机构
中南大学粉末冶金国家重点实验室
湖南金博复合材料科技有限公司
出处
《中国有色金属学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第2期427-433,共7页
基金
国家高技术研究发展计划资助项目(2012AA03A207)
国家重点基础研究发展计划资助项目(2011CB605800)
国家自然科学基金委员会创新研究群体科学基金资助项目(51021063)
文摘
以三氯甲基硅烷(CH3SiCl3,MTS)为先驱体原料,采用化学气相沉积法在C/C复合材料基体上原位生长碳化硅晶须,研究稀释气体流量、催化剂以及沉积温度对碳化硅晶须生长的影响。结果表明:有催化剂存在时可以制备具有较高长径比的SiCw,无催化剂制备的SiC主要以短棒状或球状SiC为主;随着稀释气体流量或者沉积温度的增加,SiCw的产率是先增加、后减少,在1 100℃、载气和稀释气体流量均为100 mL/min时,制备的碳化硅晶须的产率最高,晶须质量最好。
关键词
碳化硅晶须
C/C复合材料
稀释气体流量
催化剂
沉积温度
Keywords
SiC whiskers
C/C composites
dilute gas flow
catalyst
deposition temperature
分类号
TB332 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
C/C复合材料表面原位生长SiC_w的工艺
李军
谭周建
廖寄乔
张翔
李丙菊
《中国有色金属学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
2
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