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超声喷雾热解法制备稀磁掺杂ZnO薄膜的研究 被引量:3
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作者 王礼慧 张灿云 +2 位作者 徐家跃 曲红旭 刘晟杰 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期659-663,共5页
近年来,基于ZnO稀磁半导体在自旋电子器件方面的潜在应用价值,过渡金属掺杂的ZnO材料被广泛研究。但由于p型ZnO材料的制备非常困难,获得具有室温以上居里温度的Mn掺杂p型ZnO基稀磁半导体仍然是个难题。在N-In共掺杂成功实现ZnO薄膜p型... 近年来,基于ZnO稀磁半导体在自旋电子器件方面的潜在应用价值,过渡金属掺杂的ZnO材料被广泛研究。但由于p型ZnO材料的制备非常困难,获得具有室温以上居里温度的Mn掺杂p型ZnO基稀磁半导体仍然是个难题。在N-In共掺杂成功实现ZnO薄膜p型掺杂的前期研究基础上,本研究采用超声喷雾热解(USP)法在Si基底上制备了Zn1-xMnxO系列薄膜样品。X射线衍射表明所有ZnO薄膜样品都具有纤锌矿结构,没有发现其他物相的衍射峰存在。薄膜形貌研究发现,样品中的颗粒分布均匀。磁性测量表明N-Mn-In掺杂的样品显示出室温铁磁性。对N-Mn共掺杂和N-Mn-In掺杂的样品进行热处理后,发现薄膜的铁磁性能与薄膜中的空穴载流子具有直接的关联,这一现象与Mn掺杂的p型ZnO会显示室温铁磁性的理论预测是一致的,并用束缚磁性极化子模型解释了ZnO薄膜的铁磁性来源。 展开更多
关键词 超声喷雾热解法 稀磁掺杂 P型ZNO薄膜
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流变相反应法合成Zn_(1-x)Co_xO室温稀磁半导体 被引量:1
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作者 王勇 曾振欧 冯春华 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期285-287,共3页
利用流变相反应法制备得到Zn1-xCoxO(x=0.02、0.04、0.06、0.08)稀磁半导体材料。X射线衍射分析,发现Co的掺杂并未改变ZnO的纤锌矿结构,并没有杂质相的生成,衍射峰的峰位随着Co掺杂向高角度移动,Co已进入ZnO晶格。电镜及吸收光谱进一步... 利用流变相反应法制备得到Zn1-xCoxO(x=0.02、0.04、0.06、0.08)稀磁半导体材料。X射线衍射分析,发现Co的掺杂并未改变ZnO的纤锌矿结构,并没有杂质相的生成,衍射峰的峰位随着Co掺杂向高角度移动,Co已进入ZnO晶格。电镜及吸收光谱进一步表明样品中没有第二相的出现,Co2+成功掺入ZnO晶格。采用超导量子干涉磁强仪测量Zn0.96Co0.04O的磁性,样品在300K存在明显的磁饱和现象和磁滞回线,表明具有室温下铁磁性,其磁性来源可以用束缚磁极化子(BMPs)模型解释。 展开更多
关键词 半导体:Co掺杂ZnO 流变相反应
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