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退火温度对Co掺杂CeO_2稀磁氧化物薄膜的结构和铁磁性能的影响
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作者 阳生红 张曰理 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期398-403,共6页
采用溶胶-凝胶法,在Si(100)和石英玻璃衬底上制备了3%Co掺杂CeO_2稀磁氧化物薄膜,研究了不同退火温度(500℃,600℃和700℃)对薄膜结构和铁磁性能的影响。XRD和拉曼光谱结果表明,随着退火温度的升高,薄膜晶化度明显提高。不同退火温度下... 采用溶胶-凝胶法,在Si(100)和石英玻璃衬底上制备了3%Co掺杂CeO_2稀磁氧化物薄膜,研究了不同退火温度(500℃,600℃和700℃)对薄膜结构和铁磁性能的影响。XRD和拉曼光谱结果表明,随着退火温度的升高,薄膜晶化度明显提高。不同退火温度下的3%Co掺杂CeO_2薄膜为多晶薄膜,且未破坏CeO_2原有的结构。随着退火温度的升高,晶粒尺寸逐渐增大。另外,3%Co掺杂CeO_2薄膜在可见光范围内都有很好的透射率,其室温下的光学带隙Eg随退火温度增加而减小。超导量子干涉磁强计(SQUID)测量表明所有样品都表现出室温铁磁性,随着退火温度的升高,饱和磁化强度和矫顽力增大,700℃退火的薄膜具有最大的饱和磁化强度和最大的矫顽力。不同退火温度导致样品的磁性有了明显的变化,这源于磁性产生的不同机理。可见薄膜的结构最终影响了其铁磁性能。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 Ce0.97Co0.03O2 稀磁半导体薄膜
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