Mn掺杂ZnO稀磁半导体的化学合成及磁性研究 被引量：6

1

作者 程兴旺 李祥 +1 位作者 于宙 龙雪 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期70-73,共4页

采用化学方法制备了名义组分为Zn0.993Mn0.007O的Mn掺杂ZnO稀磁半导体材料,并研究了退火温度(Ts=400,600,800℃)对其结构和磁性的影响。结果表明:在退火温度低于600℃条件下,合成的样品为单一纤锌矿结构的ZnO颗粒材料;当退火温度为800℃... 采用化学方法制备了名义组分为Zn0.993Mn0.007O的Mn掺杂ZnO稀磁半导体材料,并研究了退火温度(Ts=400,600,800℃)对其结构和磁性的影响。结果表明:在退火温度低于600℃条件下,合成的样品为单一纤锌矿结构的ZnO颗粒材料;当退火温度为800℃时,合成的样品中除了纤锌矿结构ZnO外还观察到ZnMnO3第二相的存在。磁性研究表明:经过600℃退火后的样品,其室温铁磁性最强,而经过800℃退火后的样品,其铁磁性几乎消失,并表现为增强的顺磁性。结合对样品的Raman光谱和紫外-可见吸收光谱的分析,表明Mn元素进入了ZnO晶格中并替代了ZnO中的Zn离子。样品的室温铁磁性是源于(Zn,Mn)O的本征特性,并排除了样品中第二相导致其具有室温铁磁性的可能性。 展开更多

关键词 zno 掺杂 稀磁

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过渡金属掺杂ZnO稀磁半导体的发光特性 被引量：3

2

作者 徐明 胡志刚 +3 位作者 吴艳南 周海平 徐禄祥 周勋 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第19期27-33,48,共8页

ZnO是一种宽带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体,具有良好的光电耦合特性和稳定性,在光、电、磁功能集成等新型器件方面可获得重要应用。近来的研究表明,过渡金属掺杂的ZnO基半导体有望成为实现高居里温度稀磁半导体的候选材料,是目前研究的热点。总结... ZnO是一种宽带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体,具有良好的光电耦合特性和稳定性,在光、电、磁功能集成等新型器件方面可获得重要应用。近来的研究表明,过渡金属掺杂的ZnO基半导体有望成为实现高居里温度稀磁半导体的候选材料,是目前研究的热点。总结了近几年人们在Fe、Co、Ni、Cu、Mn等过渡金属掺杂的ZnO基稀磁半导体的发光特性研究结果,讨论了过渡金属掺杂后ZnO中观察到的可见发光机制,分析认为过渡金属掺杂ZnO的可见光发射主要与这些发光过渡金属引入后所产生的缺陷有关,而紫外发光峰的变化则与过渡金属掺入后ZnO晶体质量与禁带宽度的改变相关。 展开更多

关键词 zno 稀磁半导体 过渡金属 掺杂 发光

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过渡金属掺杂ZnO稀磁半导体铁磁特性研究进展 被引量：5

3

作者 王爱华 张丽伟 +1 位作者 张兵临 姚宁 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期114-123,共10页

ZnO基稀磁半导体是目前研究的热门课题,关于3d过渡金属掺杂(transition-m etal-doped)ZnO的室温铁磁性有很多报道。本文对不同方法和不同条件制备的过渡金属掺杂的ZnO基稀磁半导体的磁性和相应机理进行了综述。

关键词 自旋电子学 稀磁半导体 zno 过渡金属掺杂 室温铁磁性

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非磁性元素掺杂ZnO稀磁半导体研究进展 被引量：3

4

作者 卓世异 刘学超 +3 位作者 熊泽 陈之战 杨建华 施尔畏 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期1048-1052,共5页

ZnO基稀磁半导体的磁性来源和机理一直是研究的热点和难点。传统的磁性3d过渡族元素掺杂ZnO容易形成铁磁性的第二相,而非磁性元素掺杂可以很好的避免这一弊端,是研究稀磁半导体磁性来源和机理的理想体系。而且理论计算和实验方面已经报... ZnO基稀磁半导体的磁性来源和机理一直是研究的热点和难点。传统的磁性3d过渡族元素掺杂ZnO容易形成铁磁性的第二相,而非磁性元素掺杂可以很好的避免这一弊端,是研究稀磁半导体磁性来源和机理的理想体系。而且理论计算和实验方面已经报道了室温以上的铁磁性。本文从实验上和理论上综述了非磁性元素掺杂ZnO基稀磁半导体最近的研究进展。 展开更多

关键词 稀磁半导体 zno 非磁性元素掺杂 室温铁磁性

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Fe掺杂ZnO稀磁半导体的结构与磁性 被引量：2

5

作者 刘惠莲 张永军 +2 位作者 王雅新 魏茂斌 杨景海 《吉林大学学报（理学版）》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1282-1286,共5页

以Fe(NO3)3.9H2O与Zn(NO3)2.6H2O为原料,与适量的柠檬酸配制成溶液,采用溶胶-凝胶(sol-gel)法合成干凝胶前驱体,将前驱体在空气及氩气气氛中烧结得到Zn1-xFexO样品,并用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子能谱(XPS)和振... 以Fe(NO3)3.9H2O与Zn(NO3)2.6H2O为原料,与适量的柠檬酸配制成溶液,采用溶胶-凝胶(sol-gel)法合成干凝胶前驱体,将前驱体在空气及氩气气氛中烧结得到Zn1-xFexO样品,并用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子能谱(XPS)和振动样品磁强计(VSM)对所制备样品的结构和磁性进行研究.结果表明,在氩气中烧结时,Fe在ZnO中的掺杂摩尔分数小于4%,在空气中烧结时,Fe在ZnO中的掺杂摩尔分数约为10%,在两种气氛下制备相同掺杂摩尔分数样品的磁性不同,是由于Fe在样品中所处的价态不同,从而影响了样品的结构及磁性. 展开更多

关键词 稀磁半导体 Fe掺杂zno 溶胶-凝胶法

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过渡金属(Mn^(2+)、Ni^(2+)、Fe^(3+)、Cu^(2+))掺杂ZnO基稀磁半导体的制备及性质 被引量：1

6

作者 夏川茴 周木 +1 位作者 韩向宇 殷鹏飞 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第14期11-15,23,共6页

利用溶液腐蚀法制备了Mn2+、Ni2+、Fe3+、Cu2+离子掺杂的ZnO基稀磁半导体。XRD表明掺杂后的ZnO仍然保持单一的纤锌矿结构,没有任何杂质相产生。由紫外-可见光反射谱可知掺杂后吸收边发生了红移。掺杂前ZnO的带隙为3.20eV,对样品分别掺... 利用溶液腐蚀法制备了Mn2+、Ni2+、Fe3+、Cu2+离子掺杂的ZnO基稀磁半导体。XRD表明掺杂后的ZnO仍然保持单一的纤锌矿结构,没有任何杂质相产生。由紫外-可见光反射谱可知掺杂后吸收边发生了红移。掺杂前ZnO的带隙为3.20eV,对样品分别掺入Mn、Ni、Fe和Cu后的带隙分别为3.19eV、3.15eV、3.08eV和3.17eV。掺杂后样品的室温PL谱除了紫外发射峰外,对于Mn掺杂的样品还在蓝光区域出现了2个分别位于424nm和443nm的发射峰,Fe掺杂的样品出现了一个位于468nm的微弱发射峰,Cu掺杂的样品出现了位于469nm及535nm的很宽的发射峰。室温磁滞回线显示掺杂后样品有明显的铁磁性,掺入Mn、Ni、Fe和Cu样品的剩余磁化强度(Ms)分别为0.3902×10-3emu/cm3、0.454emu/cm3、0.372emu/cm3和0.962×10-3emu/cm3,矫顽力分别为47Oe、115.92Oe、99.33Oe和23Oe。经分析室温铁磁性来源于缺陷调制的Mn2+-Mn2+长程铁磁交换相互作用。 展开更多

关键词 zno基稀磁半导体 溶液腐蚀法 光学性质 磁性

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溶胶-凝胶法制备Fe掺杂ZnO基稀磁半导体的结构与磁性 被引量：5

7

作者 赵青 顾浩 +1 位作者 罗伟 严密 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1780-1782,共3页

采用了添加抗坏血酸作为还原剂的改良溶胶-凝胶法制备了单相的稀磁半导体Zn1-xFexO(x=0.01、0.05、0.07、0.10)粉末。X射线衍射谱(XRD)显示所有Zn1-xFexO样品在室温下都呈现出P63mc的六角晶格结构,同时单位晶胞体积呈现出随着Fe离子掺... 采用了添加抗坏血酸作为还原剂的改良溶胶-凝胶法制备了单相的稀磁半导体Zn1-xFexO(x=0.01、0.05、0.07、0.10)粉末。X射线衍射谱(XRD)显示所有Zn1-xFexO样品在室温下都呈现出P63mc的六角晶格结构,同时单位晶胞体积呈现出随着Fe离子掺杂量的提高而增大的趋势。X射线光电子能谱(XPS)证明在Zn1-xFexO晶格中的掺杂元素Fe主要以Fe2+的方式存在。比饱和磁化强度(sσ)随Fe掺杂量的增加而提高,并在样品Zn0.90Fe0.10O中获得最大值0.43Am2/kg,定性地解释了铁磁性的来源。 展开更多

关键词 稀磁半导体 溶胶-凝胶法 zno

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质子辐照对Yb掺杂ZnO稀磁半导体薄膜缺陷与磁性的影响 被引量：1

8

作者 陈卫宾 刘学超 +2 位作者 卓世异 柴骏 施尔畏 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第8期903-908,共6页

采用电感耦合等离子体增强物理气相沉积法制备了Yb掺杂ZnO薄膜,并采用不同剂量质子对薄膜进行了辐照实验,重点采用X射线衍射、光电子能谱、正电子湮灭图谱和磁测量系统对Zn_(0.985)Yb_(0.015)O薄膜的缺陷和磁性能进行了研究。磁性测试... 采用电感耦合等离子体增强物理气相沉积法制备了Yb掺杂ZnO薄膜,并采用不同剂量质子对薄膜进行了辐照实验,重点采用X射线衍射、光电子能谱、正电子湮灭图谱和磁测量系统对Zn_(0.985)Yb_(0.015)O薄膜的缺陷和磁性能进行了研究。磁性测试结果表明:Zn_(0.985)Yb_(0.015)O薄膜经质子辐照后其饱和磁化强度随辐照剂量的增加逐渐增大,当辐照剂量为6×10^(15) ions/cm^2时,其饱和磁化强度达到最大,随着辐照剂量的进一步增加,其饱和磁化强度反而变小。正电子湮灭图谱结果显示薄膜中主要存在锌空位相关的缺陷,并且锌空位相关的缺陷随辐照剂量的变化与饱和磁化强度随辐照剂量的变化相一致。本研究从实验上揭示了在含有各种缺陷的Yb掺杂ZnO薄膜中,锌空位缺陷是影响质子辐照Zn_(0.985)Yb_(0.015)O薄膜磁性的主要原因。 展开更多

关键词 Yb掺杂zno 质子辐照 稀磁半导体 铁磁性

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ZnO基稀磁半导体磁性机理研究进展 被引量：9

9

作者 刘学超 陈之战 +1 位作者 施尔畏 宋力昕 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期1-7,共7页

稀磁半导体是指在非磁性化合物半导体中通过掺杂引入部分磁性离子所形成的一类新型功能材料.目前,稀磁半导体的磁性来源和机理一直是该领域的研究热点,掺杂的磁性离子通过怎样的交换方式实现铁磁性一直存有争议.本文对近几年来ZnO基稀... 稀磁半导体是指在非磁性化合物半导体中通过掺杂引入部分磁性离子所形成的一类新型功能材料.目前,稀磁半导体的磁性来源和机理一直是该领域的研究热点,掺杂的磁性离子通过怎样的交换方式实现铁磁性一直存有争议.本文对近几年来ZnO基稀磁半导体磁性机理研究进展作一综述,着重阐述了代表性的RRKY理论、平均场理论、双交换理论和磁极子理论,对实验和理论方面的热点和存在问题作一评价,对磁性理论的研究提出了新思路. 展开更多

关键词 zno 稀磁半导体 磁性机理

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ZnO基稀磁半导体薄膜材料研究进展 被引量：7

10

作者 刘学超 施尔畏 +2 位作者 张华伟 宋力昕 陈之战 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期513-520,共8页

稀磁半导体(DMSs)材料同时利用了电子的电荷和自旋属性,具有优异的磁、磁光、磁电等性能,在材料科学和未来自旋电子器件领域具有广阔的应用前景．本文对近几年来ZnO 基稀磁半导体薄膜材料研究进展作一综述,对研究热点和存在问题作一评价... 稀磁半导体(DMSs)材料同时利用了电子的电荷和自旋属性,具有优异的磁、磁光、磁电等性能,在材料科学和未来自旋电子器件领域具有广阔的应用前景．本文对近几年来ZnO 基稀磁半导体薄膜材料研究进展作一综述,对研究热点和存在问题作一评价,提出解决的思路,最后对DMSs器件的潜在应用作简单介绍． 展开更多

关键词 zno 稀磁半导体 过渡金属 自旋电子器件

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ZnO基稀磁半导体材料研究进展 被引量：3

11

作者 周勋 沈益斌 +2 位作者 段满益 徐明 令狐荣锋 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期106-109,共4页

随着铁磁性半导体(如Mn掺杂InAs和GaAs)的发现,稀磁半导体(DMS)近来吸引了众多研究者的目光。传统半导体不具有磁性,而稀磁半导体可以在不改变传统半导体其它性质的情况下引入磁性,具有良好的物理化学性能。从实验和理论计算两个方面总... 随着铁磁性半导体(如Mn掺杂InAs和GaAs)的发现,稀磁半导体(DMS)近来吸引了众多研究者的目光。传统半导体不具有磁性,而稀磁半导体可以在不改变传统半导体其它性质的情况下引入磁性,具有良好的物理化学性能。从实验和理论计算两个方面总结了ZnO基DMS的国内外研究现状,讨论了各种生长方法、基底选择、生长温度对材料磁性的影响,总结了如何通过改变实验条件来增大饱和磁化强度及提高Curie温度。 展开更多

关键词 zno 稀磁半导体 铁磁序 反铁磁序 电子结构

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ZnO基稀磁半导体材料的最新研究进展 被引量：4

12

作者 姬晓旭 王爱华 张萍 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期1762-1768,共7页

ZnO基稀磁半导体是目前最有应用前景的自旋电子器件候选材料之一。室温铁磁性材料的可控制备及其磁性起源是目前自旋电子学急待解决的两个基本问题。本文围绕这两个问题对目前国内外关于ZnO基稀磁半导体材料的实验和理论最新研究进行了... ZnO基稀磁半导体是目前最有应用前景的自旋电子器件候选材料之一。室温铁磁性材料的可控制备及其磁性起源是目前自旋电子学急待解决的两个基本问题。本文围绕这两个问题对目前国内外关于ZnO基稀磁半导体材料的实验和理论最新研究进行了综述。 展开更多

关键词 自旋电子学 zno 稀磁半导体 室温铁磁性

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Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料制备和特性研究 被引量：1

13

作者 谢自力 张荣 +11 位作者 崔旭高 陶志阔 修向前 刘斌 李弋 傅德颐 张曾 宋黎红 崔影超 韩平 施毅 郑有炓 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期150-153,共4页

利用金属有机物化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长了Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料。原子力显微镜研究表明,少量的Mn在样品表面起到活性作用。X射线衍射和喇曼散射研究表明,当Mn的掺杂浓度很低(<2.7%)时并没有观察到第二相的出现,当Mn... 利用金属有机物化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长了Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料。原子力显微镜研究表明,少量的Mn在样品表面起到活性作用。X射线衍射和喇曼散射研究表明,当Mn的掺杂浓度很低(<2.7%)时并没有观察到第二相的出现,当Mn的掺杂浓度达到3.9%时观察到了第二相。采用光学测试得到了由于Mn杂质引入杂质能级和缺陷而产生一个很宽的发射和吸收谱。 展开更多

关键词 金属有机物化学气相沉积 稀磁半导体 锰掺杂 X射线衍射

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自燃烧法合成的ZnO基稀磁半导体纳米颗粒研究进展

14

作者 段利兵 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第9期16-20,共5页

稀磁半导体制备方法与磁性起源的研究是当前凝聚态物理的一项热门课题。首先介绍了自燃烧合成法的原理和优点,然后以Co和Mn掺杂ZnO为重点,总结了国内外采用自燃烧法合成的ZnO基稀磁半导体纳米颗粒晶体结构、磁性能相关的研究进展,讨论... 稀磁半导体制备方法与磁性起源的研究是当前凝聚态物理的一项热门课题。首先介绍了自燃烧合成法的原理和优点,然后以Co和Mn掺杂ZnO为重点,总结了国内外采用自燃烧法合成的ZnO基稀磁半导体纳米颗粒晶体结构、磁性能相关的研究进展,讨论了所得纳米颗粒磁性能的内在物理机制。通过对自燃烧法合成的更宽掺杂范围ZnO基稀磁半导体纳米颗粒的研究,使我们能够更加系统地了解过渡金属掺杂ZnO材料的结构与磁性能,并探讨所得实验现象的内在物理机制。 展开更多

关键词 稀磁半导体 zno 晶体结构 室温铁磁性

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ZnO基稀磁半导体磁性起源的探索 被引量：3

15

作者 居健 吴雪梅 诸葛兰剑 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期110-114,共5页

对掺杂过渡金属(TM)制备得到的ZnO基稀磁半导体的磁性起源作了理论和实验两方面知识的调研,在理论方面主要介绍了几种磁性交换的模型:直接超交换和间接超交换、载流子媒介交换和跃迁磁极子。在实验方面分析众多国内外相关文献,发现选择... 对掺杂过渡金属(TM)制备得到的ZnO基稀磁半导体的磁性起源作了理论和实验两方面知识的调研,在理论方面主要介绍了几种磁性交换的模型:直接超交换和间接超交换、载流子媒介交换和跃迁磁极子。在实验方面分析众多国内外相关文献,发现选择正确的生长条件对于成功获得稀磁半导体至关重要,低生长温度、高氧偏压和较少的TM离子掺杂浓度能促使TM掺杂物的均一分布,并能削弱反铁磁性(AFM)交换进而增进铁磁性(FM)交换。同时据文献报道发现很多样品的磁性并不是固有的,载流子尤其空穴的存在对于铁磁交换作用起着至关重要的作用。 展开更多

关键词 磁性起源 稀磁半导体 交换作用 TM掺杂 铁磁性

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锰掺杂氧化铜稀磁半导体薄膜的微结构和磁性 被引量：1

16

作者 赵凡 张亚萍 +4 位作者 潘礼庆 HAO Zhu 邱红梅 赵雪丹 John Q．Xiao 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期115-117,共3页

采用射频磁控溅射制备Mn掺杂CuO薄膜样品。X射线衍射结果说明薄膜样品为单相结构且沿(111)取向生长。通过样品的XRD精修得到样品的结构和晶格参数,掺杂后薄膜晶体结构有微小畸变。薄膜的高分辨透射电镜研究证明了对结构和晶粒大小等的... 采用射频磁控溅射制备Mn掺杂CuO薄膜样品。X射线衍射结果说明薄膜样品为单相结构且沿(111)取向生长。通过样品的XRD精修得到样品的结构和晶格参数,掺杂后薄膜晶体结构有微小畸变。薄膜的高分辨透射电镜研究证明了对结构和晶粒大小等的精修结果,且同时说明Mn以替代Cu的形式掺入了CuO晶格中。通过对样品M-T曲线的分析,得到样品的居里温度为96.5K,近邻Mn离子之间的耦合为铁磁性,并由居里外斯拟合得到Mn离子的有效磁矩为3.1_(μB)。这说明磁性不是来自于团聚的Mn原子或铜锰的其它氧化物,而很可能来自于替住的锰离子所形成的Mn-O-Cu-O-Mn之间的铁磁性耦合。 展开更多

关键词 氧化铜 稀磁半导体 铁磁性机理 掺杂

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H掺杂对ZnCoO稀磁半导体薄膜结构及磁性能的影响

17

作者 叶展通 朱德亮 +4 位作者 马晓翠 吕有明 柳文军 曹培江 贾芳 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期417-421,共5页

利用磁控溅射法,采用亚分子分层掺杂技术交替溅射Co靶和ZnO靶,在Si衬底上制备了不同氢氩流量比的H∶ZCO薄膜样品,研究了氢氩流量比对薄膜结构特性和磁学性能的影响。所制备的薄膜样品具有c轴择优取向。由于H对表面和界面处悬挂键的钝化... 利用磁控溅射法,采用亚分子分层掺杂技术交替溅射Co靶和ZnO靶,在Si衬底上制备了不同氢氩流量比的H∶ZCO薄膜样品,研究了氢氩流量比对薄膜结构特性和磁学性能的影响。所制备的薄膜样品具有c轴择优取向。由于H对表面和界面处悬挂键的钝化作用,随H2流量比的增加,薄膜的择优取向变差。磁性测量结果显示,薄膜样品的铁磁性随着氢氩流量比的增大而增强。XPS结果表明,随着H含量的增大,金属态Co团簇的相对含量逐渐增加,而氧化态Co离子的相对含量逐渐减小。H∶ZCO样品中的铁磁性可能来源于Co金属团簇,H的掺入促使ZnO中的Co离子还原成Co金属团簇,从而增强了薄膜样品的室温铁磁性。 展开更多

关键词 磁控溅射法 ZnCoO稀磁半导体 H掺杂 Co金属团簇

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Fe/Sn共掺杂In_2O_3稀磁半导体薄膜的磁性和输运性质

18

作者 仝瑞雪 周国伟 +1 位作者 马文睿 江凤仙 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期3159-3162,3167,共5页

采用脉冲激光沉积方法在Al_2O_3衬底上制备了Fe/Sn共掺杂的(In_(0.93)Fe_(0.05)Sn_(0.02))_2O_3薄膜,研究了沉积过程的氧气分压对薄膜结构、磁性和输运性质的影响,以揭示其铁磁性来源和机制。(In_(0.93)Fe_(0.05)Sn_(0.02))_2O_3薄膜为... 采用脉冲激光沉积方法在Al_2O_3衬底上制备了Fe/Sn共掺杂的(In_(0.93)Fe_(0.05)Sn_(0.02))_2O_3薄膜,研究了沉积过程的氧气分压对薄膜结构、磁性和输运性质的影响,以揭示其铁磁性来源和机制。(In_(0.93)Fe_(0.05)Sn_(0.02))_2O_3薄膜为单相立方In2O3结构,Fe和Sn取代了In2O3中In的位置。在不同氧气分压下制备的(In_(0.93)Fe_(0.05)Sn_(0.02))_2O_3薄膜具有明显的室温铁磁性,随着氧气分压的增加,薄膜的铁磁性减小。输运测量表明,(In_(0.93)Fe_(0.05)Sn_(0.02))_2O_3薄膜为n型半导体,载流子浓度约为1020 cm-3,在低温时具有明显的磁电阻效应。研究结果表明(In_(0.93)Fe_(0.05)Sn_(0.02))_2O_3薄膜的铁磁性是本征的,载流子浓度对薄膜的铁磁性有重要影响。 展开更多

关键词 脉冲激光沉积 稀磁半导体 In2O3薄膜 掺杂 磁性

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稀磁半导体Zn_(1-x)Ni_xO的室温铁磁性 被引量：7

19

作者 彭坤 周灵平 +1 位作者 胡爱平 唐元洪 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期35-38,共4页

利用溶胶-凝胶方法制备不同成分的Zn1?xNixO(x=0.05,0.10,0.15)稀磁半导体材料,产物由直径约70 nm的六边形颗粒组成。利用振动样品磁强计测量了样品的磁学性能,发现在室温条件下存在明显的铁磁性,且随着镍浓度的增加,样品的饱和磁化强... 利用溶胶-凝胶方法制备不同成分的Zn1?xNixO(x=0.05,0.10,0.15)稀磁半导体材料,产物由直径约70 nm的六边形颗粒组成。利用振动样品磁强计测量了样品的磁学性能,发现在室温条件下存在明显的铁磁性,且随着镍浓度的增加,样品的饱和磁化强度增加,但样品的单个镍原子的磁矩是逐渐下降的。X射线衍射分析结果表明,样品中不存在镍及镍的氧化物,且晶格常数随镍含量的增加而略有增大,并利用M—T曲线测量Zn0.9Ni0.1O居里温度为575 K左右,表明其磁性来源于稀磁半导体。 展开更多

关键词 稀磁半导体 zno 铁磁性

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稀磁半导体制备方法的研究进展 被引量：6

20

作者 侯志青 刘东州 那木拉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期294-299,共6页

稀磁半导体(DMS)是一种新型功能材料,其结合了半导体和磁性材料的电学和磁学性质,具有优异的磁、磁光和磁电等性能,在未来的光电器件、自旋电子器件和计算机等领域具有广阔的开发应用前景。简述了我国稀磁半导体的研究成果及进展,重点... 稀磁半导体(DMS)是一种新型功能材料,其结合了半导体和磁性材料的电学和磁学性质,具有优异的磁、磁光和磁电等性能,在未来的光电器件、自旋电子器件和计算机等领域具有广阔的开发应用前景。简述了我国稀磁半导体的研究成果及进展,重点讨论了稀磁半导体的制备合成方法,分析了各种制备方法的优缺点,包括分子束外延技术(MBE)、离子注入法、脉冲激光沉积(PLD)、助熔剂法、化学气相沉积(CVD)、溶胶-凝胶和水热法等。同时分析了目前稀磁半导体遇到的问题和困难,探讨了其解决方法,展望了稀磁半导体潜在的应用前景。 展开更多

关键词 稀磁半导体 制备方法 掺杂 居里温度 室温铁磁性

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