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等离子体辅助脉冲激光沉积和原位掺杂方法制备稀土掺杂GaN薄膜
1
作者
高昆
卢意飞
+3 位作者
施立群
孙剑
许宁
吴嘉达
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第2期155-159,共5页
利用基于双激光束双靶共烧蚀的等离子体辅助脉冲激光沉积的化合物薄膜沉积和原位掺杂方法，制备了稀土Er掺杂和Pr掺杂的GaN薄膜。基质膜层中的Ga和N化合成键形成GaN，其组织结构为六角GaN相，膜层具有良好的可见光至近红外的透光性能。...
利用基于双激光束双靶共烧蚀的等离子体辅助脉冲激光沉积的化合物薄膜沉积和原位掺杂方法，制备了稀土Er掺杂和Pr掺杂的GaN薄膜。基质膜层中的Ga和N化合成键形成GaN，其组织结构为六角GaN相，膜层具有良好的可见光至近红外的透光性能。改变两激光束的重复频率比可以获得0．2％～5％不等的Er或Pr的掺杂浓度，CaN基质的化学成键、组织结构和透光性能没有因稀土的掺入而发生明显的变化。
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关键词
稀土掺杂氮化镓
原位
掺杂
激光烧蚀
等离子体辅助脉冲激光沉积
电子回旋共振微波等离子体
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职称材料
题名
等离子体辅助脉冲激光沉积和原位掺杂方法制备稀土掺杂GaN薄膜
1
作者
高昆
卢意飞
施立群
孙剑
许宁
吴嘉达
机构
复旦大学光科学与工程系先进光子学材料与器件国家重点实验室
复旦大学现代物理研究所
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第2期155-159,共5页
基金
国家自然科学基金(No.90201029
No.10475019)
国家大学生创新训练计划资助项目
文摘
利用基于双激光束双靶共烧蚀的等离子体辅助脉冲激光沉积的化合物薄膜沉积和原位掺杂方法，制备了稀土Er掺杂和Pr掺杂的GaN薄膜。基质膜层中的Ga和N化合成键形成GaN，其组织结构为六角GaN相，膜层具有良好的可见光至近红外的透光性能。改变两激光束的重复频率比可以获得0．2％～5％不等的Er或Pr的掺杂浓度，CaN基质的化学成键、组织结构和透光性能没有因稀土的掺入而发生明显的变化。
关键词
稀土掺杂氮化镓
原位
掺杂
激光烧蚀
等离子体辅助脉冲激光沉积
电子回旋共振微波等离子体
Keywords
Rare earth doped GaN, In situ doping, Laser ablation, Plasma assisted pulsed laser deposition, Electron cyclotron resonance microwave plasma
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
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1
等离子体辅助脉冲激光沉积和原位掺杂方法制备稀土掺杂GaN薄膜
高昆
卢意飞
施立群
孙剑
许宁
吴嘉达
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
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