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直流辉光放电氮原子离子的Monte Carlo模拟研究
1
作者
张连珠
何琪
《吉林大学学报（理学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期77-80,共4页
采用氮直流辉光放电等离子体中快电子和离子(N+2,N+)混合的蒙特卡罗模型,模拟研究了e-+N2N++N+2e和N+2+N2N++N+N2过程离子N+的产生率轴向分布随放电参数的变化规律及其轰击阴极的能量分布.结果表明,两种离解过程中氮原子离子(N+)的产生...
采用氮直流辉光放电等离子体中快电子和离子(N+2,N+)混合的蒙特卡罗模型,模拟研究了e-+N2N++N+2e和N+2+N2N++N+N2过程离子N+的产生率轴向分布随放电参数的变化规律及其轰击阴极的能量分布.结果表明,两种离解过程中氮原子离子(N+)的产生率均随气压和电压的增加而增大,随放电气体温度的升高而降低;但N+2-N2离解碰撞主要发生在阴极附近.在电压较高时,阴极处的N+主要由N+2-N2离解过程产生;在电压较低时,N+2-N2离解过程可忽略.
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关键词
氮直流辉光放电
氮原子离子
MONTECARLO模拟
蒙特卡罗模拟方法
离解碰撞
等离子体
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职称材料
HL-1M装置真空室硅化的研究
被引量：
4
2
作者
严东海
王恩耀
+5 位作者
崔成和
梁雁
许正华
张炜
刘建宏
黄永康
《核聚变与等离子体物理》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第4期245-252,共8页
GDC(He +SiH4 )是为HL 1M装置研制的一种常规壁处理技术。在He辉光等离子体条件下 ,通过气相中的电子碰撞离解、电离、离子 分子反应和在壁面上的He+ 诱导脱H2 过程 ,在清洁的真空壁表面沉积一层无定形、半透明、致密的氢化硅 (α Si...
GDC(He +SiH4 )是为HL 1M装置研制的一种常规壁处理技术。在He辉光等离子体条件下 ,通过气相中的电子碰撞离解、电离、离子 分子反应和在壁面上的He+ 诱导脱H2 过程 ,在清洁的真空壁表面沉积一层无定形、半透明、致密的氢化硅 (α Si∶H)薄膜。氢化硅具有良好的H(D)捕获、H2 (D2 )释放 ,能显著地降低再循环系数 ,有效地控制杂质水平 ,大大拓宽了HL 1M装置的运行范围 ,为HL 1M装置的LHCD、ICRH、ECRH、NBI、PI和MBI实验提供了良好的真空壁条件。
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关键词
硅化
再循环
真空壁条件
HL-1M装置
电子
碰撞
离解
真空室
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职称材料
题名
直流辉光放电氮原子离子的Monte Carlo模拟研究
1
作者
张连珠
何琪
机构
河北师范大学物理系
出处
《吉林大学学报（理学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期77-80,共4页
基金
河北省自然科学基金(批准号:100064).
文摘
采用氮直流辉光放电等离子体中快电子和离子(N+2,N+)混合的蒙特卡罗模型,模拟研究了e-+N2N++N+2e和N+2+N2N++N+N2过程离子N+的产生率轴向分布随放电参数的变化规律及其轰击阴极的能量分布.结果表明,两种离解过程中氮原子离子(N+)的产生率均随气压和电压的增加而增大,随放电气体温度的升高而降低;但N+2-N2离解碰撞主要发生在阴极附近.在电压较高时,阴极处的N+主要由N+2-N2离解过程产生;在电压较低时,N+2-N2离解过程可忽略.
关键词
氮直流辉光放电
氮原子离子
MONTECARLO模拟
蒙特卡罗模拟方法
离解碰撞
等离子体
Keywords
nitrogen direct current glow discharge
Monte Carlo simulation
nitrogen atomic ion
dissociation collision
分类号
O461.21 [理学—电子物理学]
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职称材料
题名
HL-1M装置真空室硅化的研究
被引量：
4
2
作者
严东海
王恩耀
崔成和
梁雁
许正华
张炜
刘建宏
黄永康
机构
核工业西南物理研究院
出处
《核聚变与等离子体物理》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第4期245-252,共8页
文摘
GDC(He +SiH4 )是为HL 1M装置研制的一种常规壁处理技术。在He辉光等离子体条件下 ,通过气相中的电子碰撞离解、电离、离子 分子反应和在壁面上的He+ 诱导脱H2 过程 ,在清洁的真空壁表面沉积一层无定形、半透明、致密的氢化硅 (α Si∶H)薄膜。氢化硅具有良好的H(D)捕获、H2 (D2 )释放 ,能显著地降低再循环系数 ,有效地控制杂质水平 ,大大拓宽了HL 1M装置的运行范围 ,为HL 1M装置的LHCD、ICRH、ECRH、NBI、PI和MBI实验提供了良好的真空壁条件。
关键词
硅化
再循环
真空壁条件
HL-1M装置
电子
碰撞
离解
真空室
Keywords
Siliconization
Recycle
Vacuum wall conditions
分类号
TL631.24 [核科学技术—核技术及应用]
TL628 [核科学技术—核技术及应用]
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职称材料
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出处
发文年
被引量
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1
直流辉光放电氮原子离子的Monte Carlo模拟研究
张连珠
何琪
《吉林大学学报（理学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2003
0
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职称材料
2
HL-1M装置真空室硅化的研究
严东海
王恩耀
崔成和
梁雁
许正华
张炜
刘建宏
黄永康
《核聚变与等离子体物理》
CAS
CSCD
北大核心
2001
4
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职称材料
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