离子敏场效应晶体管 被引量：4

1

作者 丁辛芳 牛蒙年 《传感器技术》 CSCD 1995年第4期1-6,共6页

近年来对基于ＭＯＳ技术制造的离子散场效应晶体管（ＩＳＦＥＴ）的特性研究做了大量的工作。综述了ＩＳＦＥＴ器件（尤其是ｐＨ－ＩＳＦＥＴ）在敏感机理、集成化、封装和应用等方面的研究状况与新进展。

关键词 ISFET器件 敏感机理 离子敏 场效应晶体管

在线阅读 下载PDF 职称材料

氢离子敏场效应晶体管微机温度补偿技术的研究 被引量：1

2

作者 王贵华 虞惇 张玉良 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第3期304-309,共6页

本文介绍了氢离子敏场效应晶体管的温度特性,分析了敏感膜-溶液间的界面电势差及其温度系数,并采用线性近似法提出了反映溶液pH 值与输出电压、温度和器件常数之间关系的表达式。介绍了一种可以测量pH 值与温度的微机温度补偿系统。采... 本文介绍了氢离子敏场效应晶体管的温度特性,分析了敏感膜-溶液间的界面电势差及其温度系数,并采用线性近似法提出了反映溶液pH 值与输出电压、温度和器件常数之间关系的表达式。介绍了一种可以测量pH 值与温度的微机温度补偿系统。采用温度特性已知的标准缓冲液标定常数后,就可对待测液进行测量。标定与测量均可自动进行。研究表明该系统可以在pH 值很宽的范围进行补偿。在pH4.00、6.86与9.20标准缓冲液中,温度由5℃变至45℃过程中,温度造成的误差仅为未补偿时的1/40,相当于0.001PH/℃。 展开更多

关键词 场效应晶体管 氢离子 温度补偿

在线阅读 下载PDF 职称材料

氯离子敏感场效应晶体管电极的研制

3

作者 廖永忠 郑忠 李翠荣 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1993年第1期78-82,共5页

本文采用两个场效应管并联的芯片,在其中一个的栅区以聚酰亚胺膜作为参比膜,另一个的栅区以氯化银膜作为氯离子敏感膜,制成氯离子敏感场效应晶体管(Cl^--ISFET)。采用差分测试法对氯离子进行测试,其线性响应范围是1.0～1.0×10^(-5)... 本文采用两个场效应管并联的芯片,在其中一个的栅区以聚酰亚胺膜作为参比膜,另一个的栅区以氯化银膜作为氯离子敏感膜,制成氯离子敏感场效应晶体管(Cl^--ISFET)。采用差分测试法对氯离子进行测试,其线性响应范围是1.0～1.0×10^(-5)mol·L^(-1),响应时间小于5秒,24小时漂移小于1mv/hr,连续使用寿命75天。 展开更多

关键词 氯离子 场效应晶体管 电极

在线阅读 下载PDF 职称材料

应用溶胶-凝胶技术制备的硅钨酸修饰离子敏感场效应晶体管传感器的电化学行为

4

作者 李先文 冯亚非 《理化检验（化学分册）》 CAS CSCD 北大核心 2007年第10期821-822,826,共3页

将Keggin型硅钨酸-阿托品缔和物掺杂到溶胶-凝胶中，滴涂在离子敏感场效应晶体管的栅极表面，制备成传感器。并对传感器的电化学行为，包括pH值的影响和传感器的稳定性进行了研究。结果表明：此传感器既保持了离子敏感场效应晶体管的特... 将Keggin型硅钨酸-阿托品缔和物掺杂到溶胶-凝胶中，滴涂在离子敏感场效应晶体管的栅极表面，制备成传感器。并对传感器的电化学行为，包括pH值的影响和传感器的稳定性进行了研究。结果表明：此传感器既保持了离子敏感场效应晶体管的特点，又具有良好的稳定性和灵敏度。传感器对阿托品响应的线性范围为1.0×10^-3～5．0×10^-6mol·L^-1，响应灵敏度为59．0mV／pc，传感器适宜的pH为3．0～8．0。用所制传感器测定阿托品注射液的含量，结果和药典方法相一致。 展开更多

关键词 离子敏感场效应晶体管 硅钨酸 溶胶-凝胶技术 阿托品

在线阅读 下载PDF 职称材料

氟离子场效应晶体管的研究

5

作者 方培生 《传感技术学报》 CAS CSCD 1989年第2期31-34,共4页

本文研究了用氟化镧单晶为敏感膜的氟离子场效应晶体管,简称为F_--ISET。经实验测定,其线性响应范围为10_0～10_(-4)mol,氟化钠,在25℃时响应斜率为56±1mV/pF,对氯离子具有很好抗干扰能力,国内尚未见报道。本文提出LaF_3单晶与待... 本文研究了用氟化镧单晶为敏感膜的氟离子场效应晶体管,简称为F_--ISET。经实验测定,其线性响应范围为10_0～10_(-4)mol,氟化钠,在25℃时响应斜率为56±1mV/pF,对氯离子具有很好抗干扰能力,国内尚未见报道。本文提出LaF_3单晶与待测溶液交界面是一种非极性界面模型及等效电路,理论分析与实验结果相符。 展开更多

关键词 氟离子场效应晶体管

在线阅读 下载PDF 职称材料

离子敏场效应晶体管(ISFET)的研究进展 被引量：3

6

作者 张彩霞 马小芬 +3 位作者 申霖 邓家春 华玉林 印寿根 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期9-12,共4页

以ISFET为基础的生物传感器目前已经得到了广泛应用。综述了ISFET的优势、制造技术、工作原理及其分类;重点介绍了近年来国际上ISFET在各领域的应用;针对ISFET存在的问题,提出了一些解决方案,展望了ISFET的未来,指出它将朝着复合多功能... 以ISFET为基础的生物传感器目前已经得到了广泛应用。综述了ISFET的优势、制造技术、工作原理及其分类;重点介绍了近年来国际上ISFET在各领域的应用;针对ISFET存在的问题,提出了一些解决方案,展望了ISFET的未来,指出它将朝着复合多功能的方向发展。 展开更多

关键词 离子敏场效应晶体管 生物传感器 敏感膜

在线阅读 下载PDF 职称材料

离子敏场效应晶体管宏模型的建立与仿真 被引量：1

7

作者 杨振 颜永红 +2 位作者 代建玮 刘继周 齐良颉 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2005年第1期43-44,47,共3页

根据电化学表面基模型理论,提出了一种简单有效的能够描述离子敏场效应晶体管(ISFET)静态特性的仿真模型,借助此模型,对器件的电学行为进行了模拟,仿真结果与实验数据基本相符。

关键词 离子敏场效应晶体管 表面基 器件模型

在线阅读 下载PDF 职称材料

氟离子敏感场效应晶体管的研究 被引量：1

8

作者 何杏君 《电子科学学刊》 EI CSCD 1991年第4期440-444,共5页

本文叙述了氟离子敏感场效应晶体管的原理,测试及其结果。这种对氟离子敏感的器件是用溅射的方法,在场效应晶体管的栅极上淀积一层很薄的氟化镧膜制成的。测试结果表明,这种器件灵敏度高,响应快,线性好。本文还从实验出发,对影响器件的... 本文叙述了氟离子敏感场效应晶体管的原理,测试及其结果。这种对氟离子敏感的器件是用溅射的方法,在场效应晶体管的栅极上淀积一层很薄的氟化镧膜制成的。测试结果表明,这种器件灵敏度高,响应快,线性好。本文还从实验出发,对影响器件的稳定性和重复性的原因做了推测。 展开更多

关键词 场效应晶体管 氟离子 测量

在线阅读 下载PDF 职称材料

全离子注入NPN型偶载场效应晶体管的离子注入工艺研究

9

作者 于理科 郭慧民 +2 位作者 任永玲 李国辉 姬成周 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期320-324,共5页

通过trim软件和高斯模型对离子注入后快速退火载流子分布进行设计 ,初步构造出离子注入的分布图像 ,通过与实验结果比较 ,进一步完善模型 .选用高斯与半高斯混合模型 ,得到了与实验结果更吻合的模拟方案 .从而找到了研制NPN型偶载场效... 通过trim软件和高斯模型对离子注入后快速退火载流子分布进行设计 ,初步构造出离子注入的分布图像 ,通过与实验结果比较 ,进一步完善模型 .选用高斯与半高斯混合模型 ,得到了与实验结果更吻合的模拟方案 .从而找到了研制NPN型偶载场效应晶体管 (VDCFET)离子注入的最佳条件 ,并研制了性能良好的VDCFET . 展开更多

关键词 NPN型偶载场效应晶体管 离子注入工艺 VDCFET 离子注入射程分布理论 高斯模型 混合模型

在线阅读 下载PDF 职称材料

用于离子敏场效应晶体管的生化参比电极研究进展

10

作者 张敬维 许明 +2 位作者 赵丹 曾瑞雪 吴东平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期401-410,共10页

近20年来,基于半导体离子敏场效应晶体管(ISFET)的生化传感器研究越来越引起人们的关注,目前利用ISFET能够实现对p H、金属离子、血糖、基因和蛋白质等的检测。为了使检测结果准确,在检测过程中需要参比电极保持试液电势稳定。综述了IS... 近20年来,基于半导体离子敏场效应晶体管(ISFET)的生化传感器研究越来越引起人们的关注,目前利用ISFET能够实现对p H、金属离子、血糖、基因和蛋白质等的检测。为了使检测结果准确,在检测过程中需要参比电极保持试液电势稳定。综述了ISFET和传统参比电极的工作原理,分析了参比电极对ISFET检测系统的必要性和传统参比电极的可靠性。介绍了多种易于在芯片上集成的微型化参比电极和参比电极系统并探讨了他们的特点。对ISFET电路模型进行了分析并提出了一种基于微流控技术的金属参比电极系统,结合仿真结果认为微流型金属参比电极系统的尺寸可以控制在毫米量级,具有良好的应用前景。 展开更多

关键词 离子敏场效应晶体管(ISFET) 生化传感器 参比电极 微型化 微流控

在线阅读 下载PDF 职称材料

葡萄糖离子敏场效应晶体管

11

作者 高芳明 杜萍 +1 位作者 宋杰 崔志武 《沈阳工业大学学报》 EI CAS 1990年第1期87-91,共5页

由固体技术和酶固定化方法制造葡萄糖酶微型传感元件。这些元件是固化酶膜的场效应晶体管和化学薄膜电极。通过测定,给出微型传感元件的某些特性。实验指出,在36℃、pH为7的0.01M磷酸盐缓冲液中,对葡萄糖的测定范围是100～750mg/L,灵敏... 由固体技术和酶固定化方法制造葡萄糖酶微型传感元件。这些元件是固化酶膜的场效应晶体管和化学薄膜电极。通过测定,给出微型传感元件的某些特性。实验指出,在36℃、pH为7的0.01M磷酸盐缓冲液中,对葡萄糖的测定范围是100～750mg/L,灵敏度为8mv/pk。 展开更多

关键词 葡萄糖 离子 敏感度 场效应晶体管

在线阅读 下载PDF 职称材料

DNA场效应晶体管的研制

12

作者 顾丽波 韩泾鸿 张虹 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2003年第9期19-21,共3页

研究了基于场效应晶体管的DNA传感器。分析了DNA场效应晶体管的工作原理、测试电路、芯片加工和生物膜固定化方法,并用此种传感器对寡聚合苷酸序列进行了测试,得到了可行性的实验结果。同时讨论了测试中面临的问题和解决的方法,以及有... 研究了基于场效应晶体管的DNA传感器。分析了DNA场效应晶体管的工作原理、测试电路、芯片加工和生物膜固定化方法,并用此种传感器对寡聚合苷酸序列进行了测试,得到了可行性的实验结果。同时讨论了测试中面临的问题和解决的方法,以及有待进一步研究的问题。 展开更多

关键词 DNA 场效应晶体管 脱氧核糖核酸 离子敏场效应晶体管 杂交反应 传感器

在线阅读 下载PDF 职称材料

药物敏感场效应晶体管的研究 Ⅲ磷钨酸-麻黄碱敏感场效应晶体管的研制与应用 被引量：1

13

作者 李先文 黄西潮 黄强 《分析科学学报》 CAS CSCD 1998年第4期322-325,共4页

将离子敏感场效应晶体管（ＩＳＦＥＴ）与药物敏感膜相结合，研制成一种对麻黄碱有良好响应的药物敏感场效应晶体管传感器（ＤｒｕｇＦＥＴ）．该器件具有全固态化、体积小、易微型化、集成化和多功能化等优点．采用磷钨酸作电活性物质... 将离子敏感场效应晶体管（ＩＳＦＥＴ）与药物敏感膜相结合，研制成一种对麻黄碱有良好响应的药物敏感场效应晶体管传感器（ＤｒｕｇＦＥＴ）．该器件具有全固态化、体积小、易微型化、集成化和多功能化等优点．采用磷钨酸作电活性物质，制成ＰＶＣ膜ＩＳＦＥＴ，对麻黄碱的线性响应范围为３．０×１０－６～１．０×１０－１ｍｏｌ／Ｌ，检出限为１．０×１０－６ｍｏｌ／Ｌ，传感器适宜的ｐＨ范围为３．０～８．０．用该传感器分析麻黄碱片剂的含量，结果和药典方法吻合． 展开更多

关键词 磷钨酸 麻黄碱 离子敏感场效应 晶体管 药物分析

在线阅读 下载PDF 职称材料

氟离子敏场效应管的研制

14

作者 张虹 韩泾鸿 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2002年第9期27-28,共2页

阐述了一种氟离子敏场效应晶体管(FISFET)型传感器的结构和工作原理。它是在pH ISFET传感器的基础上用PVC方法把离子敏场效应晶体管和氟化物敏感膜相结合,制成氟离子敏场效应晶体管。该传感器具有全固态化 体积小的特点。实验表明该传... 阐述了一种氟离子敏场效应晶体管(FISFET)型传感器的结构和工作原理。它是在pH ISFET传感器的基础上用PVC方法把离子敏场效应晶体管和氟化物敏感膜相结合,制成氟离子敏场效应晶体管。该传感器具有全固态化 体积小的特点。实验表明该传感器的灵敏度为50mV/C,响应时间:小于1min,相关系数为0.9842,对氟化物的检测范围:1×10-6～1×10-1mol/L。 展开更多

关键词 离子敏场效应晶体管 氟 敏感材料

在线阅读 下载PDF 职称材料

CMOS离子敏场效应管SPICE模型 被引量：1

15

作者 刘肃 韩富强 于峰崎 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2005年第10期16-18,22,共4页

完全用CMOS工艺实现离子敏场效应型晶体管(ISFET)成为可能,这种ISFET的栅极结构是由绝缘体、多晶硅、金属层叠起来,称之为多层栅结构。从ISFET的传感机理出发,通过分析金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)阈值电压的原理,利用通用电路模拟程... 完全用CMOS工艺实现离子敏场效应型晶体管(ISFET)成为可能,这种ISFET的栅极结构是由绝缘体、多晶硅、金属层叠起来,称之为多层栅结构。从ISFET的传感机理出发,通过分析金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)阈值电压的原理,利用通用电路模拟程序(SPICE)建立了这种多层栅结构ISFET的物理模型,并对其静态输入输出特性进行仿真,仿真结果和试验数据基本相符。 展开更多

关键词 离子敏场效应晶体管 器件模型 通用电路模拟程序

在线阅读 下载PDF 职称材料

晶体膜碘离子半导体传感器的研究 被引量：2

16

作者 黄强 方培生 《传感技术学报》 CAS CSCD 1990年第3期15-19,共5页

本文报导以Si_3N_4/SiO_4为绝缘膜,用AgI-Ag_2S晶体为敏感膜的碘离子敏感半导体器件,并对其敏感机理进行了分析.测试结构表明,该器件具有良好的稳定性和重现性,对碘离子的线性响应范围为1×10^(-6)～1×10^(-1)mol·L^(-1)... 本文报导以Si_3N_4/SiO_4为绝缘膜,用AgI-Ag_2S晶体为敏感膜的碘离子敏感半导体器件,并对其敏感机理进行了分析.测试结构表明,该器件具有良好的稳定性和重现性,对碘离子的线性响应范围为1×10^(-6)～1×10^(-1)mol·L^(-1),响应斜率为54mV/pl(20℃). 展开更多

关键词 离子选择性场效应晶体管 晶体膜 传感器 碘离子

在线阅读 下载PDF 职称材料

半导体场效晶体管型pCO_2传感器研究

17

作者 张福海 牛文成 《传感技术学报》 CAS CSCD 1989年第4期22-27,共6页

本文对采用氢离子敏感场效应晶体管制作场效应晶体管型pCO_2传感器进行了初步探讨。从理论上分析了其敏感机理、稳定性、响应速度及传感器设计原则,获得了令人满意的实验结果。

关键词 氢离子敏感场效应晶体管(pH-ISFET) 场效应晶体管型溶二氧化碳传感器(FET型pCO₂传感器)

在线阅读 下载PDF 职称材料

FinFET刻蚀中刻蚀选择比及离子损伤的控制与优化 被引量：1

18

作者 李国荣 张洁 +5 位作者 赵馗 耿振华 曹思盛 刘志强 刘身健 张兴 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第9期691-695,共5页

由于常规电感耦合等离子体刻蚀系统所产生的离子能量分布(IED)为离散的双峰且分布较宽,很难满足在鳍型场效应晶体管(FinFET)刻蚀中对高刻蚀选择比及低离子损伤的要求。利用减速场能量分析仪对比了13和60 MHz偏置射频频率对离子能量分布... 由于常规电感耦合等离子体刻蚀系统所产生的离子能量分布(IED)为离散的双峰且分布较宽,很难满足在鳍型场效应晶体管(FinFET)刻蚀中对高刻蚀选择比及低离子损伤的要求。利用减速场能量分析仪对比了13和60 MHz偏置射频频率对离子能量分布的影响,在偏置射频频率为60 MHz的条件下得到较为收敛的离子能量分布。进一步分析了13和60 MHz偏置射频频率条件下FinFET器件制造中底部抗反射层工艺的刻蚀选择比、Ar等离子体对氧化硅晶圆的刻蚀速率及刻蚀后鳍(Fin)表面氮化钛的剩余厚度。结果显示,当偏置射频频率由13 MHz提高为60 MHz时,获得了对氧化硅材料121.9的刻蚀选择比,且对氮化钛薄膜的刻蚀离子损伤降低了58.6%。 展开更多

关键词 等离子体刻蚀 鳍型场效应晶体管(FinFET) 偏置射频频率 离子能量分布(IED) 刻蚀选择比 离子损伤

在线阅读 下载PDF 职称材料

一次性铵离子ISFET的研究 被引量：1

19

作者 黄西朝 黄强 《分析科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期103-104,共2页

本文报道一种基于四苯硼钠的离子敏感场效应晶体管(ISFET)。并对器件性能的影响因素进行详尽讨论,确立了以邻苯二甲酸二丁酯(DBP)为增型塑剂,器件的性能最佳。ISFET的线性范围为1.0～7.5×10-5mol/L,检出限为6.0×10-5mol/L,斜... 本文报道一种基于四苯硼钠的离子敏感场效应晶体管(ISFET)。并对器件性能的影响因素进行详尽讨论,确立了以邻苯二甲酸二丁酯(DBP)为增型塑剂,器件的性能最佳。ISFET的线性范围为1.0～7.5×10-5mol/L,检出限为6.0×10-5mol/L,斜率为58mV/decade,适宜的pH范围为4.2～8.4。 展开更多

关键词 氯化铵 片剂 含量测定 离子敏感场效应晶体管 铵离子 ISFET 一次性使用 祛痰尿药物 四苯硼钠

在线阅读 下载PDF 职称材料

温和氢气等离子体对薄层二硫化钼的影响研究 被引量：2

20

作者 张学成 肖少庆 +3 位作者 南海燕 张秀梅 闫大为 顾晓峰 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期550-554,561,共6页

薄层二硫化钼(MoS_2)作为一种二维过渡金属硫属化合物(TMDC)具有较好的光学和电学特性,在目前的半导体光电功能器件领域中具有良好的应用前景。本文主要采用一种温和等离子体技术并在以氢气作为先驱气体的环境下对薄层二硫化钼进行处理... 薄层二硫化钼(MoS_2)作为一种二维过渡金属硫属化合物(TMDC)具有较好的光学和电学特性,在目前的半导体光电功能器件领域中具有良好的应用前景。本文主要采用一种温和等离子体技术并在以氢气作为先驱气体的环境下对薄层二硫化钼进行处理,研究处理前后以及后续退火后薄层二硫化钼的光学与电学特性的变化。研究表明,氢原子在温和等离子体的作用下会渗入薄层MoS_2,从而改变原始的晶格结构并影响MoS_2的晶格振动,导致荧光淬灭,同时使薄层MoS_2趋于本征或者p型。后续退火会引起极少数MoS_2分子与氢原子的重新键合,从而改变其带隙。 展开更多

关键词 薄层二硫化钼 温和等离子体 拉曼光谱 荧光 场效应晶体管

在线阅读 下载PDF 职称材料