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微机绘图在四极滤质器离子运动轨迹研究中的应用
被引量：
1
1
作者
张海波
李涛
《计算机应用》
CSCD
1990年第5期7-10,共4页
本文利用 IBM-PC 的屏幕绘图功能绘制了四极滤质器中离子运动轨迹。讨论了仪器工作参数及边缘场电长度对仪器性能的影响。
关键词
微机
滤质器
离子运动轨迹
绘图
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职称材料
离子阱中3种软件程序的离子运动轨迹数值模拟对比
被引量：
5
2
作者
王伟民
徐锐峰
+3 位作者
江游
张谛
徐福兴
丁传凡
《质谱学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第4期495-503,I0005,共10页
质谱仪器研发周期长、应用成本高,使得数值模拟成为仪器研发、性能优化、实验方案设计的理想选择。目前,离子轨迹模拟软件SIMION、Comsol和Axsim已广泛用于质谱数值模拟和理论研究,对比分析这3种软件对于质量分析器的设计具有重要意义...
质谱仪器研发周期长、应用成本高,使得数值模拟成为仪器研发、性能优化、实验方案设计的理想选择。目前,离子轨迹模拟软件SIMION、Comsol和Axsim已广泛用于质谱数值模拟和理论研究,对比分析这3种软件对于质量分析器的设计具有重要意义。本研究以矩形离子阱质量分析器为研究对象,从图形用户界面和运行平台、电极建模和电场计算、条件定义和程序加载、离子轨迹计算和时间步长选取等方面入手,比较这3种软件的模拟过程和结果。结果表明:3种软件模拟的离子运动轨迹存在偏差,且主要位于离子运动方向转变时,Comsol与SIMION的模拟轨迹偏差最大,Axsim和SIMION模拟的频谱图中谱峰位置差异小于0.1%。SIMION软件适用于复杂质谱装置中离子运动轨迹的理论模拟,但对使用者的物理和编程水平要求较高;Comsol具有最精致的图形用户界面,以及详细的数值模拟模块,但是不具备离子运动轨迹的频谱分析、相位分析等特殊模块,而且封闭的软件程序无法根据具体情况灵活调整,所以只适用于一些简单结构的质谱数值模拟;Axsim具有最专业的质谱中离子运动轨迹分析程序,可以对离子运动的频谱、相位、空间发散、动能发散等参数进行直接分析,能够直观地指导质谱质量分析器的设计,但不具备建模和电场计算模块。本研究有助于加速质谱研究中数值模拟进程,为开发具有自主知识产权的国产质谱数值模拟软件提供参考。
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关键词
离子
阱质谱
数值模拟
离子运动轨迹
软件
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职称材料
等离子体刻蚀中边缘离子轨迹的控制与优化
被引量：
1
3
作者
李国荣
赵馗
+4 位作者
严利均
Hiroshi Iizuka
刘身健
倪图强
张兴
《北京大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第6期1002-1006,共5页
由于常规等离子体刻蚀系统在晶圆边缘处的阻抗与晶圆中心处的阻抗不一致,使离子在晶圆边缘处的运动轨迹发生偏移,很难满足越来越高的刻蚀工艺均匀性及深宽比的要求。本文提出一种通过调整晶圆边缘阻抗进行边缘离子运动方向优化的方法,...
由于常规等离子体刻蚀系统在晶圆边缘处的阻抗与晶圆中心处的阻抗不一致,使离子在晶圆边缘处的运动轨迹发生偏移,很难满足越来越高的刻蚀工艺均匀性及深宽比的要求。本文提出一种通过调整晶圆边缘阻抗进行边缘离子运动方向优化的方法,可以连续实时地调整边缘离子的运动轨迹,实现对边缘离子运动方向的控制。研究结果表明,离子的运动方向可以被优化为垂直于晶圆表面,从而能获得良好的刻蚀速率均匀性及垂直的刻蚀形貌。
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关键词
等
离子
体刻蚀
3D
NAND
离子运动轨迹
边缘阻抗
刻蚀均匀性
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职称材料
题名
微机绘图在四极滤质器离子运动轨迹研究中的应用
被引量：
1
1
作者
张海波
李涛
机构
西安交通大学电子工程系
陕西胜利机械厂
出处
《计算机应用》
CSCD
1990年第5期7-10,共4页
文摘
本文利用 IBM-PC 的屏幕绘图功能绘制了四极滤质器中离子运动轨迹。讨论了仪器工作参数及边缘场电长度对仪器性能的影响。
关键词
微机
滤质器
离子运动轨迹
绘图
分类号
TH83 [机械工程—精密仪器及机械]
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职称材料
题名
离子阱中3种软件程序的离子运动轨迹数值模拟对比
被引量：
5
2
作者
王伟民
徐锐峰
江游
张谛
徐福兴
丁传凡
机构
宁波大学材料科学与化学工程学院
中国计量科学研究院
出处
《质谱学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第4期495-503,I0005,共10页
基金
科技部重大科学仪器设备开发项目(2020YFF01014603)
国家自然科学青年基金(22104067)
中国计量研究院开放课题基金(AKYKF2103)。
文摘
质谱仪器研发周期长、应用成本高,使得数值模拟成为仪器研发、性能优化、实验方案设计的理想选择。目前,离子轨迹模拟软件SIMION、Comsol和Axsim已广泛用于质谱数值模拟和理论研究,对比分析这3种软件对于质量分析器的设计具有重要意义。本研究以矩形离子阱质量分析器为研究对象,从图形用户界面和运行平台、电极建模和电场计算、条件定义和程序加载、离子轨迹计算和时间步长选取等方面入手,比较这3种软件的模拟过程和结果。结果表明:3种软件模拟的离子运动轨迹存在偏差,且主要位于离子运动方向转变时,Comsol与SIMION的模拟轨迹偏差最大,Axsim和SIMION模拟的频谱图中谱峰位置差异小于0.1%。SIMION软件适用于复杂质谱装置中离子运动轨迹的理论模拟,但对使用者的物理和编程水平要求较高;Comsol具有最精致的图形用户界面,以及详细的数值模拟模块,但是不具备离子运动轨迹的频谱分析、相位分析等特殊模块,而且封闭的软件程序无法根据具体情况灵活调整,所以只适用于一些简单结构的质谱数值模拟;Axsim具有最专业的质谱中离子运动轨迹分析程序,可以对离子运动的频谱、相位、空间发散、动能发散等参数进行直接分析,能够直观地指导质谱质量分析器的设计,但不具备建模和电场计算模块。本研究有助于加速质谱研究中数值模拟进程,为开发具有自主知识产权的国产质谱数值模拟软件提供参考。
关键词
离子
阱质谱
数值模拟
离子运动轨迹
软件
Keywords
ion trap mass spectrometry
numerical simulation
ion trajectory
software
分类号
O657.63 [理学—分析化学]
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职称材料
题名
等离子体刻蚀中边缘离子轨迹的控制与优化
被引量：
1
3
作者
李国荣
赵馗
严利均
Hiroshi Iizuka
刘身健
倪图强
张兴
机构
北京大学软件与微电子学院
中微半导体设备(上海)有限公司
出处
《北京大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第6期1002-1006,共5页
文摘
由于常规等离子体刻蚀系统在晶圆边缘处的阻抗与晶圆中心处的阻抗不一致,使离子在晶圆边缘处的运动轨迹发生偏移,很难满足越来越高的刻蚀工艺均匀性及深宽比的要求。本文提出一种通过调整晶圆边缘阻抗进行边缘离子运动方向优化的方法,可以连续实时地调整边缘离子的运动轨迹,实现对边缘离子运动方向的控制。研究结果表明,离子的运动方向可以被优化为垂直于晶圆表面,从而能获得良好的刻蚀速率均匀性及垂直的刻蚀形貌。
关键词
等
离子
体刻蚀
3D
NAND
离子运动轨迹
边缘阻抗
刻蚀均匀性
Keywords
plasma etching
3D NAND
ion movement trajectory
edge impedance
etching uniformity
分类号
N [自然科学总论]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
微机绘图在四极滤质器离子运动轨迹研究中的应用
张海波
李涛
《计算机应用》
CSCD
1990
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
离子阱中3种软件程序的离子运动轨迹数值模拟对比
王伟民
徐锐峰
江游
张谛
徐福兴
丁传凡
《质谱学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
5
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
等离子体刻蚀中边缘离子轨迹的控制与优化
李国荣
赵馗
严利均
Hiroshi Iizuka
刘身健
倪图强
张兴
《北京大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
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引证文献
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