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离子束辅助沉积技术制备氮掺杂CeO_(2)薄膜及其光催化性能
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作者 李荣辉 《无机化学学报》 北大核心 2025年第6期1123-1130,共8页
采用离子束辅助沉积(IBAD)技术制备氮掺杂CeO_(2)薄膜并对其光催化性能进行了研究。采用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见吸收光谱(UV-Vis)对制备的薄膜进行了表征。实验结果表明,通过IBAD技术制... 采用离子束辅助沉积(IBAD)技术制备氮掺杂CeO_(2)薄膜并对其光催化性能进行了研究。采用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见吸收光谱(UV-Vis)对制备的薄膜进行了表征。实验结果表明,通过IBAD技术制备氮掺杂CeO_(2)薄膜的方法可以实现体相均匀氮掺杂,且掺氮量远高于传统氮掺杂方法。SEM结果表明,氮离子束轰击作用并没有改变CeO_(2)的晶体结构,但是会改变CeO_(2)的结晶度和晶格参数,同时,样品表面变得更光滑、粒径更小。另外,该方法使CeO_(2)薄膜的可见光吸收边从370 nm红移到480 nm,增加了其可见光吸收性能。光催化降解亚甲蓝测试结果显示,在可见光下催化120 min时,溶液中的亚甲蓝降解率已经高于90%,并在6次循环稳定性测试后降解率保持在86%左右,显示出良好的光催化稳定性。 展开更多
关键词 CeO_(2) 氮掺杂 离子辅助沉积 光催化
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离子束辅助沉积薄膜工艺 被引量:22
2
作者 王利 程鑫彬 +2 位作者 王占山 唐骐 范滨 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第6期896-898,共3页
阐述了离子源在离子束清洗和离子束辅助薄膜沉积(IAD)中的应用;根据热力学原理及离子碰撞过程分析,研究了离子束辅助沉积过程中的能量传递过程,建立了薄膜折射率与离子辅助沉积过程中各物理量之间的关系模型;探讨了各种工艺条件对离子... 阐述了离子源在离子束清洗和离子束辅助薄膜沉积(IAD)中的应用;根据热力学原理及离子碰撞过程分析,研究了离子束辅助沉积过程中的能量传递过程,建立了薄膜折射率与离子辅助沉积过程中各物理量之间的关系模型;探讨了各种工艺条件对离子束辅助沉积薄膜特性的影响,给出了薄膜材料无结晶条件下离子束辅助沉积薄膜工艺选择的相应准则。 展开更多
关键词 离子束清洗 离子辅助沉积 离子能量传递
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钛合金表面离子束辅助沉积 CuNiIn 固体润滑膜和 Cr-N 硬质膜 被引量:9
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作者 刘道新 张必强 +1 位作者 唐宾 何家文 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期38-41,共4页
在钛合金表面利用离子束辅助沉积(IBAD)技术沉积CuNiIn固体润滑膜和CrN硬质膜层,分析、测定了膜层的组织结构、成分分布、形貌特征及摩擦磨损性能。结果表明,IBADCuNiIn在室温和500℃均可为TC4合金... 在钛合金表面利用离子束辅助沉积(IBAD)技术沉积CuNiIn固体润滑膜和CrN硬质膜层,分析、测定了膜层的组织结构、成分分布、形貌特征及摩擦磨损性能。结果表明,IBADCuNiIn在室温和500℃均可为TC4合金表面产生良好的固体润滑效果,各项性能显著优于传统电镀Ag方法。IBADCrN膜为CrN和Cr双相组织,在室温和500℃可有效地改善TC4合金表面的耐磨性能。 展开更多
关键词 离子辅助沉积 钛合金 固体润滑 摩擦 磨损
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离子束辅助沉积和真空退火对硫化锌薄膜应力的影响 被引量:8
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作者 陈焘 罗崇泰 +3 位作者 王多书 刘宏开 王济洲 马锋 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第S1期55-58,共4页
在硅基底上用电子束蒸发方法制备了硫化锌薄膜。通过XRD和薄膜应力测试仪研究了离子束辅助沉积和真空退火对硫化锌薄膜应力的影响规律。结果表明,未采用离子辅助技术制备的硫化锌薄膜为压应力,平均应力值为110.6 MPa,当采用离子束辅助... 在硅基底上用电子束蒸发方法制备了硫化锌薄膜。通过XRD和薄膜应力测试仪研究了离子束辅助沉积和真空退火对硫化锌薄膜应力的影响规律。结果表明,未采用离子辅助技术制备的硫化锌薄膜为压应力,平均应力值为110.6 MPa,当采用离子束辅助工艺时硫化锌薄膜的压应力增加了62.3MPa。真空退火使硫化锌薄膜的平均应力大约降低了二分之一。硫化锌薄膜的微观结构变化是影响薄膜应力的主要因素。 展开更多
关键词 硫化锌薄膜 离子辅助沉积 真空退火 应力
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离子束辅助薄膜沉积 被引量:13
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作者 张宇峰 张溪文 +1 位作者 任兆杏 韩高荣 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第11期40-43,共4页
离子束辅助沉积(IBAD)是在气相沉积的同时辅以离子束轰击的薄膜制备方法,可在低温下合成致密、均匀的薄膜。介绍了IBAD技术的概况,列举了具体应用领域,描述了射频ICP离子源辅助电子束蒸发,最后对IBAD的前景加以评论。
关键词 离子辅助薄膜沉积 IBAD 薄膜制备 离子 光学性能
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单源低能离子束辅助沉积类金刚石薄膜摩擦性能的研究 被引量:12
6
作者 朱宏 柳襄怀 +3 位作者 任琮欣 邹世昌 刘惠文 张绪寿 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第2期118-125,共8页
目前,制各类金刚石薄膜的方法很多,然而其中的多数在沉积过程中都需要基体具有比较高的温度,这就不可避免地会对耐温性能较差的材料造成损伤,或使机械零部件发生变形和尺寸变化.因此,利用单源低能离子束辅助沉积法制备了非晶碳薄... 目前,制各类金刚石薄膜的方法很多,然而其中的多数在沉积过程中都需要基体具有比较高的温度,这就不可避免地会对耐温性能较差的材料造成损伤,或使机械零部件发生变形和尺寸变化.因此,利用单源低能离子束辅助沉积法制备了非晶碳薄膜,并且利用喇曼光谱和俄歇电子能谱研究了薄膜的结构,发现其为无定形的类金刚石薄膜,薄膜中的碳原子成键主要是sp2杂化键.研究表明,随着离子能量和束流的增大,薄膜的显微硬度、摩擦系数和寿命都增大.由于这种方法制备的类金刚石薄膜的含氢量较少,膜中sp2杂化键较多,性能更接近于石墨,故其摩擦性能较好.研究结果对深入认识类金刚石簿膜结构和在改进磁盘表面耐磨保护涂层等薄膜润滑性能方面,都具有重要的指导意义和实用价值。 展开更多
关键词 离子辅助沉积 类金刚石薄膜 摩擦性能
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用离子束辅助沉积(IBAD)工艺制备TiC_xN_y膜的研究 被引量:5
7
作者 刘仲阳 王培录 +2 位作者 孙官清 廖小东 郑思孝 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期54-59,共6页
用离子束辅助沉积(IBAD) 工艺在9Cr18 、GCr15 钢基体上形成了TiCxNy 膜。TEM 观察发现膜均呈多晶结构,都具有(111) 、(200) 和(220) 择优取向。AES 和XPS分析进一步证实,TiCxNy... 用离子束辅助沉积(IBAD) 工艺在9Cr18 、GCr15 钢基体上形成了TiCxNy 膜。TEM 观察发现膜均呈多晶结构,都具有(111) 、(200) 和(220) 择优取向。AES 和XPS分析进一步证实,TiCxNy 膜呈含氧配置。干摩擦表明膜的抗氧化性能优良,其存在能有效抑制基体在摩擦过程中氧化膜的形成。又由于膜的硬度高,润滑性良好,每种基体的磨损特性都得到了显著地改善。但随着基体不同,膜的力学和机械性能随N 的注入量变化又表现出不同的变化规律。膜的硬度和摩擦特性与N 含量有关,总的趋势是过高的N含量对其硬度与摩擦特性造成不利影响。 展开更多
关键词 离子辅助沉积 氮碳化钛 摩擦 磨损 薄膜
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离子束辅助沉积制备高功率激光薄膜的研究 被引量:9
8
作者 张大伟 贺洪波 +1 位作者 邵建达 范正修 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期57-60,共4页
综述了离子束辅助沉积技术在高功率激光薄膜制备中的应用研究进展。指出该技术在制备高激光损伤阈值的薄膜中存在的问题,即出现过高的堆积密度,会给薄膜带来杂质缺陷、化学计量比缺陷、损伤缺陷、晶界缺陷,制备薄膜的残余应力存在着压... 综述了离子束辅助沉积技术在高功率激光薄膜制备中的应用研究进展。指出该技术在制备高激光损伤阈值的薄膜中存在的问题,即出现过高的堆积密度,会给薄膜带来杂质缺陷、化学计量比缺陷、损伤缺陷、晶界缺陷,制备薄膜的残余应力存在着压应力增加的趋势,会改变薄膜的晶体结构等。并指出了该研究领域的研究方向。 展开更多
关键词 薄膜 离子辅助沉积 高功率激光薄膜 激光损伤阈值
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离子束辅助沉积技术及其进展 被引量:17
9
作者 傅永庆 朱晓东 +1 位作者 徐可为 何家文 《材料科学与工程》 CAS CSCD 1996年第3期22-32,共11页
本文介绍了离子束辅助沉积技术的基本原理,主要工作特点,设备及主要影响因素。综述了利用该技术在制备各种新型膜层方面研究的新进展。并指出该技术的不足及未来发展方向。
关键词 离子辅助沉积 薄膜
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离子束辅助沉积制备TaN薄膜的X射线衍射分析 被引量:6
10
作者 梅显秀 张庆瑜 +2 位作者 马腾才 王煜明 滕凤恩 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期405-408,共4页
利用离子束辅助沉积技术制备TaN薄膜,并对其进行X射线衍射分析。掠入射的X射线衍射分析得出:离子束辅助沉积制备的TaN薄膜是面心立方结构,晶格常数a为0.4405nm。根据X射线衍射分析,用屈服强度表征的TaN薄膜的显微硬度为16~20GPa... 利用离子束辅助沉积技术制备TaN薄膜,并对其进行X射线衍射分析。掠入射的X射线衍射分析得出:离子束辅助沉积制备的TaN薄膜是面心立方结构,晶格常数a为0.4405nm。根据X射线衍射分析,用屈服强度表征的TaN薄膜的显微硬度为16~20GPa,与文献上报道的显微硬度值接近。离子束辅助沉积制备的TaN薄膜宏观内应力较小,且都为压应力。晶粒尺寸大约在10nm左右,随着注入离子能量的增加,薄膜晶粒尺寸有长大的趋势。 展开更多
关键词 离子辅助沉积 氮化钽 薄膜 X射线衍射分析
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脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积TiN和TiCN薄膜摩擦磨损特性研究 被引量:24
11
作者 马胜利 马大衍 +2 位作者 王昕 徐可为 介万奇 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期179-182,共4页
对比研究了脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积TiN和TiCN薄膜的摩擦磨损特性,用扫描电子显微镜、X射线衍射仪及销-盘摩擦磨损试验机分析薄膜形貌和结合力,考察了不同沉积条件下2种薄膜的摩擦磨损过程及其影响因素.结果表明,TiCN薄膜具有... 对比研究了脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积TiN和TiCN薄膜的摩擦磨损特性,用扫描电子显微镜、X射线衍射仪及销-盘摩擦磨损试验机分析薄膜形貌和结合力,考察了不同沉积条件下2种薄膜的摩擦磨损过程及其影响因素.结果表明,TiCN薄膜具有较高硬度、良好的膜基结合力,相对于TiN薄膜而言表现出更低的摩擦系数和更好的耐磨性能.在实际使用中应注重成分和结构优化设计,以保证薄膜具有良优良的减摩性能. 展开更多
关键词 硬质薄膜 PCVD 结合力 摩擦磨损性能 脉冲直流等离子辅助化学气相沉积 TIN薄膜 TiCN薄膜
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离子辅助沉积对TiO_2薄膜应力的影响 被引量:4
12
作者 赵永江 黄腾超 +2 位作者 沈伟东 顾培夫 刘旭 《浙江大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期1816-1818,1832,共4页
对在离子辅助沉积(IAD)和常规工艺条件下镀制的TiO2薄膜的应力进行了试验研究,并探讨了利用台阶仪测量镀膜前后基板表面曲率的方法.结果表明,当基板温度低于100℃时,在离子辅助沉积工艺条件下镀制的TiO2薄膜的应力略大于在常规工艺条件... 对在离子辅助沉积(IAD)和常规工艺条件下镀制的TiO2薄膜的应力进行了试验研究,并探讨了利用台阶仪测量镀膜前后基板表面曲率的方法.结果表明,当基板温度低于100℃时,在离子辅助沉积工艺条件下镀制的TiO2薄膜的应力略大于在常规工艺条件下镀制的薄膜的应力;随着薄膜厚度的增加,TiO2薄膜应力逐渐减小,从125 nm的392 MPa下降到488 nm的30 MPa;离子源阳极电压对薄膜应力影响较大,在100 V时薄膜应力为164MPa,当电压升高到190 V时,应力下降到75 MPa. 展开更多
关键词 TIO2薄膜 离子辅助沉积 应力
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离子束辅助沉积铪薄膜晶粒的择优取向 被引量:4
13
作者 江炳尧 任琮欣 +5 位作者 郑志宏 柳襄怀 樊会明 姚刘聪 李玉涛 苏小保 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期1414-1419,共6页
采用离子束辅助沉积方法 (IBAD)在Si(111)衬底上沉积了铪薄膜。实验发现 :在铪膜生长时 ,轰击铪膜的Ar+ 离子的能量、入射角度和束流密度对薄膜的晶粒取向有很大的影响。当Ar+ 离子的能量为 5 0 0eV、入射角为 75°、束流密度为 0 .... 采用离子束辅助沉积方法 (IBAD)在Si(111)衬底上沉积了铪薄膜。实验发现 :在铪膜生长时 ,轰击铪膜的Ar+ 离子的能量、入射角度和束流密度对薄膜的晶粒取向有很大的影响。当Ar+ 离子的能量为 5 0 0eV、入射角为 75°、束流密度为 0 .9A/m2 时 ,铪膜为 (110 )择优取向。当束流密度大于 1.2A/m2 时 ,铪膜以 (0 0 2 )、(10 0 )混合晶向为主 ,而与Ar+ 离子的入射角度无关。讨论了铪膜晶粒取向的转变机制 ,认为铪膜晶粒的择优取向 ,不是单纯地取决于基于沟道效应的溅射机制 ,或取决于基于能量极小原理的表面能最小或表面应力最小的面生长较快的机制 ,而是影响薄膜生长的各种因素互相竞争、共同作用 ,在非平衡态条件下表面能极小化的结果。 展开更多
关键词 铪薄膜 晶粒 择优取向 离子辅助沉积 IBAD
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离子束辅助沉积碳膜抑制栅电子发射研究 被引量:5
14
作者 柳襄怀 任琮欣 +3 位作者 江炳尧 朱宏 刘炎源 刘静贤 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期661-663,共3页
本文利用离子束辅助沉积方法在钼栅极的表面镀上一层碳膜 ,采用模拟二极管的方法测量阴极活性物质Ba、BaO蒸发沉积在镀碳钼栅与纯钼栅表面后的电子发射性能 .测量结果表明 ,镀碳钼栅的电子发射量显著减少 .依据XPS、电子探针对钼栅极表... 本文利用离子束辅助沉积方法在钼栅极的表面镀上一层碳膜 ,采用模拟二极管的方法测量阴极活性物质Ba、BaO蒸发沉积在镀碳钼栅与纯钼栅表面后的电子发射性能 .测量结果表明 ,镀碳钼栅的电子发射量显著减少 .依据XPS、电子探针对钼栅极表面阴极发射物的分析结果 。 展开更多
关键词 碳膜抑制栅 电子发射 钼栅极 离子辅助沉积 行波管
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离子束辅助沉积制备氮化钽薄膜 被引量:3
15
作者 梅显秀 张庆瑜 +4 位作者 马腾才 杨大智 陈遐 王煜明 滕凤恩 《大连理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1995年第5期623-627,共5页
利用离子束辅助沉积(IBAD)技术制备TaN薄膜;掠入射的X射线衍射和透射电镜观察结果显示,薄膜晶粒细小、结构致密,是面心立方结构。俄歇深度分析表明,薄膜由均匀层和混合过渡层两个区域组成,XPS得出薄膜主要以TaN形... 利用离子束辅助沉积(IBAD)技术制备TaN薄膜;掠入射的X射线衍射和透射电镜观察结果显示,薄膜晶粒细小、结构致密,是面心立方结构。俄歇深度分析表明,薄膜由均匀层和混合过渡层两个区域组成,XPS得出薄膜主要以TaN形式存在;薄膜电阻稳定,不随温度变化。膜基结合性能好,膜内应力小;25keV能量离子轰击制得薄膜内应力最小,结合最好。 展开更多
关键词 薄膜 氮化钽薄膜 离子辅助沉积 制备
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不同能量离子束辅助沉积对形成氮化钛薄膜性能的影响 被引量:13
16
作者 李立 赵杰 +1 位作者 李德军 顾汉卿 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期520-523,526,共5页
 用不同能量离子束辅助沉积方法在医用不锈钢317L和Si(100)基底上沉积TiN薄膜。通过X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)和俄歇电子能谱(AES)分析研究了薄膜的结构特征;测试了薄膜与基底的附着力和耐磨性;用电化学腐蚀的方法检测了...  用不同能量离子束辅助沉积方法在医用不锈钢317L和Si(100)基底上沉积TiN薄膜。通过X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)和俄歇电子能谱(AES)分析研究了薄膜的结构特征;测试了薄膜与基底的附着力和耐磨性;用电化学腐蚀的方法检测了薄膜在Hank′s模拟体液中的耐腐蚀性能;最后采用成纤维细胞、骨髓细胞体外培养试验考察了生长于不同薄膜表面的细胞粘附、增殖、展布情况及细胞的形态。研究结果表明:用高、低能氮离子兼用的IBAD方法制备的TiN多晶薄膜比只用高能或低能沉积的薄膜具有更强的附着力和耐磨性,在Hank′s模拟体液中显示出更强的抗腐蚀能力,并在细胞体外培养中显示出良好的细胞相容性。 展开更多
关键词 离子辅助沉积(IBAD) 氮化钛(TiN) 附着力 耐腐蚀 细胞体外培养
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离子辅助沉积法制备SiO_2介质薄膜的应力研究 被引量:5
17
作者 张金胜 张金龙 宁永强 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第12期1304-1308,共5页
在高功率垂直腔面发射激光器制作工艺中,生长出低应力、高质量、高稳定性的SiO2介质层非常关键。我们使用高效率LaB6离子源辅助,在低放电电流条件下,在GaAs衬底上沉积了SiO2,并对退火的应力影响进行了测试。在有离子辅助沉积时,对不同... 在高功率垂直腔面发射激光器制作工艺中,生长出低应力、高质量、高稳定性的SiO2介质层非常关键。我们使用高效率LaB6离子源辅助,在低放电电流条件下,在GaAs衬底上沉积了SiO2,并对退火的应力影响进行了测试。在有离子辅助沉积时,对不同生长速率、不同厚度的应力影响进行了研究,对沉积过程进行了分析。结果表明:离子辅助沉积的SiO2薄膜的应力远小于常规工艺条件下沉积的薄膜的应力,且退火后应力变化小。 展开更多
关键词 离子辅助沉积 SIO2薄膜 应力 退火
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低能Ar^+离子束辅助沉积择优取向Pt(111)膜 被引量:4
18
作者 江炳尧 蒋军 +5 位作者 冯涛 任琮欣 张正选 宋志棠 柳襄怀 郑里平 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期774-775,778,共3页
 采用低能Ar+离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上沉积Pt膜,离子/原子到达比分别为0.1、0.2、0.3。若Ar+离子的入射角为0°,XRD谱分析表明,沉积的Pt膜均呈(111)和(200)混合晶向;当Ar+离子的入射角为45°,沉积的Pt膜均呈很强...  采用低能Ar+离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上沉积Pt膜,离子/原子到达比分别为0.1、0.2、0.3。若Ar+离子的入射角为0°,XRD谱分析表明,沉积的Pt膜均呈(111)和(200)混合晶向;当Ar+离子的入射角为45°,沉积的Pt膜均呈很强的(111)择优取向。因此若合理控制Ar+离子束的入射角,可在Mo/Si(100)衬底上制备出具有显著择优取向的Pt(111)薄膜。本文采用MonteCarlo方法模拟低能Ar+离子注入Pt单晶所引起的原子级联碰撞过程,得出Ar+离子入射单晶铂(200)晶面时,Ar+离子的溅射率与入射角的关系,对Pt膜择优取向的机理作了初步的探讨和分析。 展开更多
关键词 离子辅助沉积 Pt膜 择优取向
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Tc4钛合金上离子束辅助沉积TiC_xN_y膜的微结构与机械性质研究 被引量:3
19
作者 王培禄 刘仲阳 +2 位作者 孙官清 廖小东 郑思孝 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期454-458,共5页
利用离子束辅助沉积技术在Tc4钛合金基体上制备了TiCxNy膜。TEM观察揭示膜呈多晶结构,具有(111),(200)和(220)择优取向,AES和XPS分析进一步证实TiCxNy膜呈含氧配置。膜的硬度和摩擦特性与N含量有关,N的含量过高,其硬度与摩... 利用离子束辅助沉积技术在Tc4钛合金基体上制备了TiCxNy膜。TEM观察揭示膜呈多晶结构,具有(111),(200)和(220)择优取向,AES和XPS分析进一步证实TiCxNy膜呈含氧配置。膜的硬度和摩擦特性与N含量有关,N的含量过高,其硬度与摩擦特性均会下降。在本实验条件下,N离子束的最佳辅助剂量为3×10(17)ions/cm2。干摩擦表明膜的抗氧化性能优良,其存在能有效抑制基体在摩擦过程中形成氧化层。又因腹的硬度高,润滑住良好,显著地改善了基体的磨损特性,特别是粘着磨损特性。 展开更多
关键词 离子辅助沉积 氮碳化钛 摩擦 磨损 薄膜
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氧离子辅助法沉积ITO透明导电膜的研究 被引量:4
20
作者 初国强 王子君 +4 位作者 赵家民 刘毅南 刘云 刘星元 王立军 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 2001年第2期169-173,共5页
论述了 ITO膜的导电及生长机理 ,讨论了离子辅助 ( IAD)电子枪蒸镀 ITO膜的方法中 ,膜的组分、氧分压、衬底温度和蒸发速率等几个参数对 ITO膜光电性能的影响 ,在选择合适的工艺条件下制备ITO膜 ,电阻率约 3× 1 0 - 4 Ω· cm... 论述了 ITO膜的导电及生长机理 ,讨论了离子辅助 ( IAD)电子枪蒸镀 ITO膜的方法中 ,膜的组分、氧分压、衬底温度和蒸发速率等几个参数对 ITO膜光电性能的影响 ,在选择合适的工艺条件下制备ITO膜 ,电阻率约 3× 1 0 - 4 Ω· cm,可见光平均透过率高于 80 %。并用原子力显微镜 ( AFM) 展开更多
关键词 离子辅助沉积 ITO膜 电子束 氧空位 原子力显微镜
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