稀土Er离子注入GaAs:Er光学性质的研究

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作者 黄钟英 王飞武 +2 位作者 王小军 周必忠 王南钦 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1993年第S2期102-104,共3页

用离子注入法掺Er,制成发光材料GaAs:Er.探索了离子注入和退火最佳条件,通过对GaAs:Er样品的光致发光谱和吸收光谱的测量,分析、探讨发光中心Er的光激发和能量传输机制.

关键词 离子注入gaas:er 光致发光谱 吸收光谱 光激发机制

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离子注入SI-GaAs做激光器被动调Q元件的研究

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作者 李朝阳 王勇刚 黄骝 《应用光学》 CAS CSCD 2004年第4期59-62,共4页

　本文从半导体材料GaAs的能级结构出发,探讨了GaAs做固体激光器被动调Q器件的可行性,对离子注入半绝缘GaAs用做Nd:YAG激光器中被动调Q元件的机理进行了实验研究,实验中腔型选择直腔式平平腔,Nd:YAG采用脉冲氙灯抽运,在腔型1Hz下获得了... 　本文从半导体材料GaAs的能级结构出发,探讨了GaAs做固体激光器被动调Q器件的可行性,对离子注入半绝缘GaAs用做Nd:YAG激光器中被动调Q元件的机理进行了实验研究,实验中腔型选择直腔式平平腔,Nd:YAG采用脉冲氙灯抽运,在腔型1Hz下获得了单脉冲宽度为62ns的调Q波形输出。 展开更多

关键词 gaas 被动调Q 离子注入 ND:YAG激光器

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短沟道离子注入GaAs MESFET解析模型

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作者 黄庆安 吕世骥 童勤义 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1992年第6期23-29,共7页

本文提出了一种新的离子注入短沟道GaAsMESFET直流解析模型,并将解析模型与实验数据进行了比较。结果表明,本文提出的解析模型可以同时描述高、中和低夹断电压的短沟道离子注入GaAs MESFET直流特性.

关键词 离子注入 晶体管模型 MESFET gaas

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Si^+/As^+双离子注入SI-GaAs对注入层电激活均匀性改善的研究

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作者 鲁光沅 刘福润 +2 位作者 刘明成 赵杰 王永晨 《天津师大学报（自然科学版）》 2000年第3期22-27,共6页

研究了单 (Si+ )双 (Si+ / As+ )离子注入半绝缘砷化镓 (SI-Ga As)电激活的均匀性 .结果表明 ,L ECSi-Ga As衬底中深电子陷阱能级 (EL 2 )均匀性分布好坏 ,对注入层电激活性有一定影响 .当 SI-Ga As中碳含量小于 5× 1 0 15cm- 3时 ... 研究了单 (Si+ )双 (Si+ / As+ )离子注入半绝缘砷化镓 (SI-Ga As)电激活的均匀性 .结果表明 ,L ECSi-Ga As衬底中深电子陷阱能级 (EL 2 )均匀性分布好坏 ,对注入层电激活性有一定影响 .当 SI-Ga As中碳含量小于 5× 1 0 15cm- 3时 ,对注入层电激活影响不大 .采用多重能量 Si+注入 ,可改善栽流子纵向分布的均匀性 ,采用 Si+ / As+ 双离子注入可改善 L EC SI-Ga As衬底中 EL 2横向不均匀分布对电激活均匀性的影响 ,可获得注入层横向的电激活 . 展开更多

关键词 离子注入 gaas 电激活均匀性 半导体

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In（Ga）As／GaAs量子点的生长、表面局域电流及离子注入改性研究通过验收

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《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期213-213,共1页

近日，由中科院上海技物所李天信博士后负责承担的上海市纳米专项“In（Ga）As／GaAs量子点的生长、表面局域电流及离子注入改性研究”通过专家组验收。项目组通过对异质外延的量子点生长动力学和摸索和掌握，应用分子束外延方法在GaAs... 近日，由中科院上海技物所李天信博士后负责承担的上海市纳米专项“In（Ga）As／GaAs量子点的生长、表面局域电流及离子注入改性研究”通过专家组验收。项目组通过对异质外延的量子点生长动力学和摸索和掌握，应用分子束外延方法在GaAs衬底上生长了InAs表面量子点和In（Ga）As5—10层嵌埋量子点。获得了高密度、尺寸相对均匀的量子点样品。通过在原子力显微镜上加装电流模块，选择使用导电微悬背，对In（Ga）As／GaAs量子点的局域电导特性进行了系统研究。得到了生长在不同掺杂特性（n型、p型）缓冲层上的表面量子点的扫描电流像。 展开更多

关键词 gaas衬底 生长动力学 扫描电流 量子点 离子注入 表面 通过验收 局域

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用拉曼光谱测量离子注入引起的晶格应变 被引量：1

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作者 英敏菊 董西亮 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期671-674,共4页

对于10个周期的A1As／GaAs超晶格和25个周期的GaAs／Ga0.92In0．08As超晶格，在室温下进行0．28MeV的Zn^＋注入，注入剂量为5×10^13～5×10^14cm^-2。通过拉曼光谱测量，定量地分析了由于离子注入所引起的晶格内应变。实验结... 对于10个周期的A1As／GaAs超晶格和25个周期的GaAs／Ga0.92In0．08As超晶格，在室温下进行0．28MeV的Zn^＋注入，注入剂量为5×10^13～5×10^14cm^-2。通过拉曼光谱测量，定量地分析了由于离子注入所引起的晶格内应变。实验结果表明：在所选用的注入剂量下，由于离子注入引起的应变小于体材料GaAs的最大非驰豫应变值0．038，说明该注入条件下，注入区的结晶态仍然保持得比较好。在较高注入剂量下应变达到饱和，说明缺陷的产生和复合达到了平衡，从而形成了均衡的应变场分布。 展开更多

关键词 离子注入 gaas 超晶格 晶格应变 拉曼光谱

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稀土(Er)与氧(O)共掺GaAs(Er,O)的红外吸收谱研究 被引量：1

7

作者 雷红兵 周必忠 +1 位作者 陈张海 唐文国 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期56-60,共5页

用傅里叶变换红外吸收谱和透射谱（ＦＴＩＲ），在７７Ｋ和３００Ｋ温度下测量研究用双离子注入法配合优化热退火处理制成的ＧａＡｓＥｒ，Ｏ发光材料的光吸收特性及杂质缺陷行为，观测到该材料中存在３种吸收峰并作了指认，分析了这些... 用傅里叶变换红外吸收谱和透射谱（ＦＴＩＲ），在７７Ｋ和３００Ｋ温度下测量研究用双离子注入法配合优化热退火处理制成的ＧａＡｓＥｒ，Ｏ发光材料的光吸收特性及杂质缺陷行为，观测到该材料中存在３种吸收峰并作了指认，分析了这些吸收峰与材料的离子注入及退火的关系，给出杂质和缺陷对材料ＧａＡｓ（Ｅｒ。 展开更多

关键词 砷化镓 红外吸收光谱 红外透射光谱

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Si^+和S^+注入SI-GaAs白光快速退火特性

8

作者 李国辉 朱德华 +2 位作者 张通和 罗晏 韩德俊 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1990年第4期23-27,共5页

研究了 Si^+和 S^+注入 SI-GaAs 经白光瞬态退火后的电特性,得出最佳的退火条件为930～960℃,5s.在适当的注入和退火条件下,得到了陡峭的载流子剖面分布没有拖长的尾巴.发现Si^+注入白光快速退火样品比常规热退火样品有较好的电特性.使... 研究了 Si^+和 S^+注入 SI-GaAs 经白光瞬态退火后的电特性,得出最佳的退火条件为930～960℃,5s.在适当的注入和退火条件下,得到了陡峭的载流子剖面分布没有拖长的尾巴.发现Si^+注入白光快速退火样品比常规热退火样品有较好的电特性.使用 Si^+注入白光快速退火制作出了性能良好的全离子注入平面型 MESFET. 展开更多

关键词 离子注入 Si^+ S^+ gaas 快速退华

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N、Zn离子注入GaAs_(1-x)P_x(x=0.39)的研究补充

9

《发光学报》 EI CAS 1979年第Z1期114-116,共3页

关于N、Zn离子注入GaAs1-xPx的阴极萤光及电特性的测量在正文中已经做了介绍。在这里我们再小结一下器件制造结果。 对于N注入GaAs1-xPx中的电致发光情况,我们做的工作不多。在这里只就最近所做二批器件的情况做一个小结。

关键词 gaas x=0.39 离子注入 离子掺杂 发光强度 光强 X x)P_x Zn

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GaAs：Er碰撞激发电致发光器件

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作者 邸建华 《发光快报》 CSCD 1994年第6期42-44,共3页

关键词 gaas:er 碰撞激发 电致发光器件

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脉冲LDA泵浦Nd:YVO_4/GaAs被动调Q锁模激光器

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作者 刘晓娟 傅汝廉 +2 位作者 卓然然 薛兵招 方涛 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期1578-1581,共4页

用脉冲激光二极管阵列(LDA)作为泵浦源、微柱透镜阵列和透镜导管作为耦合系统,以As+注入GaAs可饱和吸收片作为被动调Q锁模元件,实现了Nd∶YVO4激光器调Q锁模运转.调Q运转阶段,激光器每泵浦脉宽内输出一个调Q脉冲,调Q脉宽7ns.调Q锁模运... 用脉冲激光二极管阵列(LDA)作为泵浦源、微柱透镜阵列和透镜导管作为耦合系统,以As+注入GaAs可饱和吸收片作为被动调Q锁模元件,实现了Nd∶YVO4激光器调Q锁模运转.调Q运转阶段,激光器每泵浦脉宽内输出一个调Q脉冲,调Q脉宽7ns.调Q锁模运转阶段,初始透过率60%的GaAs晶片对调Q包络内的锁模脉冲的调制深度达到95%以上,锁模脉冲重复频率991MHz.研究了加在LDA上的电压、方波脉冲的脉宽和重复频率对调Q锁模脉冲特性的影响,并对实验结果进行了讨论. 展开更多

关键词 激光二极管阵列(LDA) As^+离子注入gaas 调Q锁模 Nd:YVO1晶体

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AlN:Er薄膜在不同退火温度下应力诱导的微观结构演变 被引量：3

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作者 阳明明 莫亚娟 +6 位作者 王晓丹 曾雄辉 刘雪华 黄俊 张纪才 王建峰 徐科 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期285-290,共6页

以透射电镜中的弱束衍衬成像和高分辨相位衬度成像为主要表征手段,辅以X射线衍射、拉曼光谱等测试方法,对Al N:Er样品在退火过程中的微观结构演变过程进行了深入分析。在透射电镜观察下,Er离子注入的Al N样品在退火前存在三个区域:区域... 以透射电镜中的弱束衍衬成像和高分辨相位衬度成像为主要表征手段,辅以X射线衍射、拉曼光谱等测试方法,对Al N:Er样品在退火过程中的微观结构演变过程进行了深入分析。在透射电镜观察下,Er离子注入的Al N样品在退火前存在三个区域:区域Ⅰ为自表面以下约30 nm深度;区域Ⅱ为区域I以下约50 nm深度;区域Ⅲ为区域Ⅱ以下的部分,其中区域Ⅱ为损伤最为严重的区域。在较低的温度(如1025℃时)退火后,区域Ⅰ消失;但1200℃退火后,又重新可以观察到区域Ⅰ。结合TEM、XRD和Raman测试结果,从损伤恢复和应力释放的角度对上述实验现象进行了理论解释:由于Er离子半径和基体原子半径的差异,在区域Ⅱ中引入较大的应力;在1025℃退火时,来自区域Ⅱ的应力作用于区域Ⅰ,导致区域I发生大的晶格扭曲,和区域II合并,用TEM观察不到;在1200℃退火时,应力在表面释放,区域I的晶格扭曲修复,从而用TEM可重新观察到。 展开更多

关键词 AlN:er 离子注入 微观结构演变

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