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基于离子注入制备的InGaN横向Micro-LED阵列
被引量：
1
1
作者
谭毅
庄永漳
+5 位作者
卢子元
张晓东
赵德胜
蔡勇
曾中明
张宝顺
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第2期215-222,共8页
采用离子注入工艺在InGaN/GaN量子阱蓝光LED结构的p-GaN层形成高阻态隔离区域,实现了最小4μm超小尺寸高光效Micro-LED阵列的制备,并系统研究了氟离子注入隔离工艺制备的横向结构Micro-LED阵列的电学和光学性能。实验结果表明,在采用的...
采用离子注入工艺在InGaN/GaN量子阱蓝光LED结构的p-GaN层形成高阻态隔离区域,实现了最小4μm超小尺寸高光效Micro-LED阵列的制备,并系统研究了氟离子注入隔离工艺制备的横向结构Micro-LED阵列的电学和光学性能。实验结果表明,在采用的离子注入能量范围内,氟离子在p-GaN层中的注入深度越深,对应器件的电学和光学隔离效果越好。当离子注入能量为60 keV时,Micro-LED阵列具有相对最佳的光电效果,同时基于该离子注入能量制备的4μm超小尺寸Micro-LED阵列的光功率密度高达200 W/cm2,展现了离子注入工艺在新一代Micro-LED微显示芯片中的应用潜力。
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关键词
蓝光Micro-LED
离子注入隔离
氮化镓
横向结构
高光功率密度
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职称材料
提高SiC MESFET栅金属平坦性的方法
被引量：
2
2
作者
霍玉柱
商庆杰
+1 位作者
杨霏
潘宏菽
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期221-224,共4页
SiC金属-半导体场效应晶体管的工艺研制中,通常需要有源区之间的隔离。现常用刻蚀隔离的方法,但这一方法存在细栅条跨越隔离台阶的问题,若隔离台阶太陡,则栅金属在台阶处连续性较差,易产生电迁徙,器件工作时首先在此处烧毁,使器件失效...
SiC金属-半导体场效应晶体管的工艺研制中,通常需要有源区之间的隔离。现常用刻蚀隔离的方法,但这一方法存在细栅条跨越隔离台阶的问题,若隔离台阶太陡,则栅金属在台阶处连续性较差,易产生电迁徙,器件工作时首先在此处烧毁,使器件失效。设计了几种提高栅金属平坦性的方法:通过优化台上掩模层台阶倾斜角以及调整刻蚀ICP,RIE功率可以实现18°左右倾斜台阶;通过"类平坦化"技术可以将绝缘介质淀积到台下区,基本实现无台阶;利用"离子注入隔离"取代"刻蚀隔离"则可以真正实现无台阶。实验验证以上方法可以有效提高栅金属的平坦性。
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关键词
金属-半导体场效应晶体管
栅金属:平坦性
隔离
台阶
电迁徙
离子注入隔离
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职称材料
背面多孔硅对SIMOX中铜杂质的吸除作用
3
作者
竺士炀
黄宜平
包宗明
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第4期420-424,共5页
在SIMOX材料的背面成功地制备了多孔硅层,再在正面故意注入1×1015cm-2剂量的铜杂质。经900℃退火,二次离子质谱（SIMS）测试表明钢杂质能穿过理层SiO2并在背面多孔硅处富集。用剖面投射电子显微镜（XTEM）分析了埋层SiO2和背面多...
在SIMOX材料的背面成功地制备了多孔硅层,再在正面故意注入1×1015cm-2剂量的铜杂质。经900℃退火,二次离子质谱（SIMS）测试表明钢杂质能穿过理层SiO2并在背面多孔硅处富集。用剖面投射电子显微镜（XTEM）分析了埋层SiO2和背面多孔硅层的微观结构,背面多孔硅层及其多孔硅层同硅衬底之间“树技状”的过渡区被认为是铜杂质有效的吸除中心。
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关键词
吸杂
多孔硅
氧
离子注入隔离
绝缘体上硅
SOI
铜
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职称材料
题名
基于离子注入制备的InGaN横向Micro-LED阵列
被引量：
1
1
作者
谭毅
庄永漳
卢子元
张晓东
赵德胜
蔡勇
曾中明
张宝顺
机构
中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所多功能材料与轻巧系统重点实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第2期215-222,共8页
基金
国家自然科学基金(U1830112)
江苏省自然科学基金(BK20191195)
微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室开放项目(6142803180407)资助。
文摘
采用离子注入工艺在InGaN/GaN量子阱蓝光LED结构的p-GaN层形成高阻态隔离区域,实现了最小4μm超小尺寸高光效Micro-LED阵列的制备,并系统研究了氟离子注入隔离工艺制备的横向结构Micro-LED阵列的电学和光学性能。实验结果表明,在采用的离子注入能量范围内,氟离子在p-GaN层中的注入深度越深,对应器件的电学和光学隔离效果越好。当离子注入能量为60 keV时,Micro-LED阵列具有相对最佳的光电效果,同时基于该离子注入能量制备的4μm超小尺寸Micro-LED阵列的光功率密度高达200 W/cm2,展现了离子注入工艺在新一代Micro-LED微显示芯片中的应用潜力。
关键词
蓝光Micro-LED
离子注入隔离
氮化镓
横向结构
高光功率密度
Keywords
blue micro-LED
ion implantation isolation
GaN
lateral structure
high optical power density
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
提高SiC MESFET栅金属平坦性的方法
被引量：
2
2
作者
霍玉柱
商庆杰
杨霏
潘宏菽
机构
专用集成电路国家级重点实验室河北半导体研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期221-224,共4页
文摘
SiC金属-半导体场效应晶体管的工艺研制中,通常需要有源区之间的隔离。现常用刻蚀隔离的方法,但这一方法存在细栅条跨越隔离台阶的问题,若隔离台阶太陡,则栅金属在台阶处连续性较差,易产生电迁徙,器件工作时首先在此处烧毁,使器件失效。设计了几种提高栅金属平坦性的方法:通过优化台上掩模层台阶倾斜角以及调整刻蚀ICP,RIE功率可以实现18°左右倾斜台阶;通过"类平坦化"技术可以将绝缘介质淀积到台下区,基本实现无台阶;利用"离子注入隔离"取代"刻蚀隔离"则可以真正实现无台阶。实验验证以上方法可以有效提高栅金属的平坦性。
关键词
金属-半导体场效应晶体管
栅金属:平坦性
隔离
台阶
电迁徙
离子注入隔离
Keywords
MESFET
gate metal
flatness
isolation mesa
electromigration
implantation isolation
分类号
TN386.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
背面多孔硅对SIMOX中铜杂质的吸除作用
3
作者
竺士炀
黄宜平
包宗明
机构
复旦大学电子工程系
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第4期420-424,共5页
基金
国防科技预研跨行业基金!项目号:94J8.4.4.JW0702
文摘
在SIMOX材料的背面成功地制备了多孔硅层,再在正面故意注入1×1015cm-2剂量的铜杂质。经900℃退火,二次离子质谱（SIMS）测试表明钢杂质能穿过理层SiO2并在背面多孔硅处富集。用剖面投射电子显微镜（XTEM）分析了埋层SiO2和背面多孔硅层的微观结构,背面多孔硅层及其多孔硅层同硅衬底之间“树技状”的过渡区被认为是铜杂质有效的吸除中心。
关键词
吸杂
多孔硅
氧
离子注入隔离
绝缘体上硅
SOI
铜
Keywords
Gettering
Porous Silicon
SIOMX
SOI
Copper
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于离子注入制备的InGaN横向Micro-LED阵列
谭毅
庄永漳
卢子元
张晓东
赵德胜
蔡勇
曾中明
张宝顺
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
提高SiC MESFET栅金属平坦性的方法
霍玉柱
商庆杰
杨霏
潘宏菽
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
背面多孔硅对SIMOX中铜杂质的吸除作用
竺士炀
黄宜平
包宗明
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1998
0
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职称材料
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