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单晶薄膜体声波谐振器频率温度特性研究
被引量：
1
1
作者
简珂
帅垚
+4 位作者
田本朗
白晓园
罗文博
吴传贵
张万里
《压电与声光》
CAS
北大核心
2020年第4期448-452,共5页
采用离子注入剥离法转移制备了43°Y-切铌酸锂(LiNbO3,LN)单晶压电薄膜材料,以SiO2/Mo作为声反射结构制备了固态声反射型薄膜体声波器件。谐振器工作频率约为3 GHz,LN薄膜等效机电耦合系数达到14.15%。对谐振器的频率温度特性进行...
采用离子注入剥离法转移制备了43°Y-切铌酸锂(LiNbO3,LN)单晶压电薄膜材料,以SiO2/Mo作为声反射结构制备了固态声反射型薄膜体声波器件。谐振器工作频率约为3 GHz,LN薄膜等效机电耦合系数达到14.15%。对谐振器的频率温度特性进行了表征,结果表明,尽管LN单晶的频率温度系数为(-70^-90)×10^-6/℃,但由于声反射结构中包含有正温度系数的SiO2层,谐振器的频率温度系数降至-18×10^-6/℃,这表明固态声反射结构能够有效抑制单晶LN薄膜的温漂,获得低频率温度系数的谐振器器件。
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关键词
体声波谐振器
离子注入剥离法
铌酸锂单晶薄膜
固态声反射结构
机电耦合系数
频率温度系数
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职称材料
布喇格反射型宽带单晶薄膜体声波滤波器
被引量：
1
2
作者
王晓学
帅垚
+6 位作者
田本朗
白晓园
吕露
简珂
罗文博
吴传贵
张万里
《压电与声光》
CAS
北大核心
2020年第3期303-306,共4页
该文研究了一种新型布喇格反射型薄膜体声波(BAW)滤波器的设计方法与制备技术。BAW器件选择机电耦合系数较大的Y43°-铌酸锂(Y43°-LN)单晶薄膜作为压电层材料,并以苯并环丁烯(BCB)作为晶圆键合层,采用离子注入剥离法将亚微米...
该文研究了一种新型布喇格反射型薄膜体声波(BAW)滤波器的设计方法与制备技术。BAW器件选择机电耦合系数较大的Y43°-铌酸锂(Y43°-LN)单晶薄膜作为压电层材料,并以苯并环丁烯(BCB)作为晶圆键合层,采用离子注入剥离法将亚微米厚度的Y43°-LN单晶薄膜转移至具有布喇格反射层的衬底。BCB既作为键合层,也作为布喇格反射层的第一低声阻抗层,实现了单晶BAW滤波器的制备。设计并制备了三阶BAW滤波器,中心频率为2.93 GHz,绝对带宽和分数带宽分别为247 MHz和8.4%。结果表明,采用薄膜转移技术制备的高机电耦合系数LN单晶薄膜能够实现大带宽BAW滤波器的制备。
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关键词
BAW滤波器
离子注入剥离法
铌酸锂单晶薄膜
机电耦合系数
苯并环丁烯
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职称材料
题名
单晶薄膜体声波谐振器频率温度特性研究
被引量：
1
1
作者
简珂
帅垚
田本朗
白晓园
罗文博
吴传贵
张万里
机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
出处
《压电与声光》
CAS
北大核心
2020年第4期448-452,共5页
基金
国家重点研发计划基金资助项目(2017YFB0406402)
国家自然科学基金资助项目(51772044)。
文摘
采用离子注入剥离法转移制备了43°Y-切铌酸锂(LiNbO3,LN)单晶压电薄膜材料,以SiO2/Mo作为声反射结构制备了固态声反射型薄膜体声波器件。谐振器工作频率约为3 GHz,LN薄膜等效机电耦合系数达到14.15%。对谐振器的频率温度特性进行了表征,结果表明,尽管LN单晶的频率温度系数为(-70^-90)×10^-6/℃,但由于声反射结构中包含有正温度系数的SiO2层,谐振器的频率温度系数降至-18×10^-6/℃,这表明固态声反射结构能够有效抑制单晶LN薄膜的温漂,获得低频率温度系数的谐振器器件。
关键词
体声波谐振器
离子注入剥离法
铌酸锂单晶薄膜
固态声反射结构
机电耦合系数
频率温度系数
Keywords
bulk acoustic resonator
ion implantation stripping method
lithium niobate single crystal film
solid state acoustic reflection structure
electromechanical coupling coefficient
frequency temperature coefficient
分类号
TN384 [电子电信—物理电子学]
TM22 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
布喇格反射型宽带单晶薄膜体声波滤波器
被引量：
1
2
作者
王晓学
帅垚
田本朗
白晓园
吕露
简珂
罗文博
吴传贵
张万里
机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
出处
《压电与声光》
CAS
北大核心
2020年第3期303-306,共4页
基金
国家重点研发计划项目(2017YFB0406402)
国家自然科学基金资助项目(No.51772044)。
文摘
该文研究了一种新型布喇格反射型薄膜体声波(BAW)滤波器的设计方法与制备技术。BAW器件选择机电耦合系数较大的Y43°-铌酸锂(Y43°-LN)单晶薄膜作为压电层材料,并以苯并环丁烯(BCB)作为晶圆键合层,采用离子注入剥离法将亚微米厚度的Y43°-LN单晶薄膜转移至具有布喇格反射层的衬底。BCB既作为键合层,也作为布喇格反射层的第一低声阻抗层,实现了单晶BAW滤波器的制备。设计并制备了三阶BAW滤波器,中心频率为2.93 GHz,绝对带宽和分数带宽分别为247 MHz和8.4%。结果表明,采用薄膜转移技术制备的高机电耦合系数LN单晶薄膜能够实现大带宽BAW滤波器的制备。
关键词
BAW滤波器
离子注入剥离法
铌酸锂单晶薄膜
机电耦合系数
苯并环丁烯
Keywords
BAW filter
crystal-ion-slicing method
lithium niobate single crystal film
electromechanical coupling coefficient
benzocyclobutene
分类号
TN384 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
单晶薄膜体声波谐振器频率温度特性研究
简珂
帅垚
田本朗
白晓园
罗文博
吴传贵
张万里
《压电与声光》
CAS
北大核心
2020
1
在线阅读
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职称材料
2
布喇格反射型宽带单晶薄膜体声波滤波器
王晓学
帅垚
田本朗
白晓园
吕露
简珂
罗文博
吴传贵
张万里
《压电与声光》
CAS
北大核心
2020
1
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职称材料
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