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钛合金表面离子束辅助沉积 CuNiIn 固体润滑膜和 Cr-N 硬质膜 被引量:9
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作者 刘道新 张必强 +1 位作者 唐宾 何家文 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期38-41,共4页
在钛合金表面利用离子束辅助沉积(IBAD)技术沉积CuNiIn固体润滑膜和CrN硬质膜层,分析、测定了膜层的组织结构、成分分布、形貌特征及摩擦磨损性能。结果表明,IBADCuNiIn在室温和500℃均可为TC4合金... 在钛合金表面利用离子束辅助沉积(IBAD)技术沉积CuNiIn固体润滑膜和CrN硬质膜层,分析、测定了膜层的组织结构、成分分布、形貌特征及摩擦磨损性能。结果表明,IBADCuNiIn在室温和500℃均可为TC4合金表面产生良好的固体润滑效果,各项性能显著优于传统电镀Ag方法。IBADCrN膜为CrN和Cr双相组织,在室温和500℃可有效地改善TC4合金表面的耐磨性能。 展开更多
关键词 离子束辅助沉积 钛合金 固体润滑 摩擦 磨损
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离子束辅助沉积薄膜工艺 被引量:22
2
作者 王利 程鑫彬 +2 位作者 王占山 唐骐 范滨 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第6期896-898,共3页
阐述了离子源在离子束清洗和离子束辅助薄膜沉积(IAD)中的应用;根据热力学原理及离子碰撞过程分析,研究了离子束辅助沉积过程中的能量传递过程,建立了薄膜折射率与离子辅助沉积过程中各物理量之间的关系模型;探讨了各种工艺条件对离子... 阐述了离子源在离子束清洗和离子束辅助薄膜沉积(IAD)中的应用;根据热力学原理及离子碰撞过程分析,研究了离子束辅助沉积过程中的能量传递过程,建立了薄膜折射率与离子辅助沉积过程中各物理量之间的关系模型;探讨了各种工艺条件对离子束辅助沉积薄膜特性的影响,给出了薄膜材料无结晶条件下离子束辅助沉积薄膜工艺选择的相应准则。 展开更多
关键词 离子清洗 离子束辅助沉积 离子能量传递
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离子束辅助沉积制备高功率激光薄膜的研究 被引量:9
3
作者 张大伟 贺洪波 +1 位作者 邵建达 范正修 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期57-60,共4页
综述了离子束辅助沉积技术在高功率激光薄膜制备中的应用研究进展。指出该技术在制备高激光损伤阈值的薄膜中存在的问题,即出现过高的堆积密度,会给薄膜带来杂质缺陷、化学计量比缺陷、损伤缺陷、晶界缺陷,制备薄膜的残余应力存在着压... 综述了离子束辅助沉积技术在高功率激光薄膜制备中的应用研究进展。指出该技术在制备高激光损伤阈值的薄膜中存在的问题,即出现过高的堆积密度,会给薄膜带来杂质缺陷、化学计量比缺陷、损伤缺陷、晶界缺陷,制备薄膜的残余应力存在着压应力增加的趋势,会改变薄膜的晶体结构等。并指出了该研究领域的研究方向。 展开更多
关键词 薄膜 离子束辅助沉积 高功率激光薄膜 激光损伤阈值
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离子束辅助沉积碳膜抑制栅电子发射研究 被引量:5
4
作者 柳襄怀 任琮欣 +3 位作者 江炳尧 朱宏 刘炎源 刘静贤 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期661-663,共3页
本文利用离子束辅助沉积方法在钼栅极的表面镀上一层碳膜 ,采用模拟二极管的方法测量阴极活性物质Ba、BaO蒸发沉积在镀碳钼栅与纯钼栅表面后的电子发射性能 .测量结果表明 ,镀碳钼栅的电子发射量显著减少 .依据XPS、电子探针对钼栅极表... 本文利用离子束辅助沉积方法在钼栅极的表面镀上一层碳膜 ,采用模拟二极管的方法测量阴极活性物质Ba、BaO蒸发沉积在镀碳钼栅与纯钼栅表面后的电子发射性能 .测量结果表明 ,镀碳钼栅的电子发射量显著减少 .依据XPS、电子探针对钼栅极表面阴极发射物的分析结果 。 展开更多
关键词 碳膜抑制栅 电子发射 钼栅极 离子束辅助沉积 行波管
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用离子束辅助沉积(IBAD)工艺制备TiC_xN_y膜的研究 被引量:5
5
作者 刘仲阳 王培录 +2 位作者 孙官清 廖小东 郑思孝 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期54-59,共6页
用离子束辅助沉积(IBAD) 工艺在9Cr18 、GCr15 钢基体上形成了TiCxNy 膜。TEM 观察发现膜均呈多晶结构,都具有(111) 、(200) 和(220) 择优取向。AES 和XPS分析进一步证实,TiCxNy... 用离子束辅助沉积(IBAD) 工艺在9Cr18 、GCr15 钢基体上形成了TiCxNy 膜。TEM 观察发现膜均呈多晶结构,都具有(111) 、(200) 和(220) 择优取向。AES 和XPS分析进一步证实,TiCxNy 膜呈含氧配置。干摩擦表明膜的抗氧化性能优良,其存在能有效抑制基体在摩擦过程中氧化膜的形成。又由于膜的硬度高,润滑性良好,每种基体的磨损特性都得到了显著地改善。但随着基体不同,膜的力学和机械性能随N 的注入量变化又表现出不同的变化规律。膜的硬度和摩擦特性与N 含量有关,总的趋势是过高的N含量对其硬度与摩擦特性造成不利影响。 展开更多
关键词 离子束辅助沉积 氮碳化钛 摩擦 磨损 薄膜
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离子束辅助沉积技术及其进展 被引量:17
6
作者 傅永庆 朱晓东 +1 位作者 徐可为 何家文 《材料科学与工程》 CAS CSCD 1996年第3期22-32,共11页
本文介绍了离子束辅助沉积技术的基本原理,主要工作特点,设备及主要影响因素。综述了利用该技术在制备各种新型膜层方面研究的新进展。并指出该技术的不足及未来发展方向。
关键词 离子束辅助沉积 薄膜
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离子束辅助沉积制备氮化钽薄膜 被引量:3
7
作者 梅显秀 张庆瑜 +4 位作者 马腾才 杨大智 陈遐 王煜明 滕凤恩 《大连理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1995年第5期623-627,共5页
利用离子束辅助沉积(IBAD)技术制备TaN薄膜;掠入射的X射线衍射和透射电镜观察结果显示,薄膜晶粒细小、结构致密,是面心立方结构。俄歇深度分析表明,薄膜由均匀层和混合过渡层两个区域组成,XPS得出薄膜主要以TaN形... 利用离子束辅助沉积(IBAD)技术制备TaN薄膜;掠入射的X射线衍射和透射电镜观察结果显示,薄膜晶粒细小、结构致密,是面心立方结构。俄歇深度分析表明,薄膜由均匀层和混合过渡层两个区域组成,XPS得出薄膜主要以TaN形式存在;薄膜电阻稳定,不随温度变化。膜基结合性能好,膜内应力小;25keV能量离子轰击制得薄膜内应力最小,结合最好。 展开更多
关键词 薄膜 氮化钽薄膜 离子束辅助沉积 制备
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氧离子束辅助沉积氧化铪薄膜的激光损伤阈值研究 被引量:5
8
作者 张大伟 吕玮阁 +1 位作者 邵建达 范正修 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期31-32,共2页
电子枪蒸发制备了氧化铪薄膜,对氧离子束辅助和未辅助两种情况下的样品进行了折射率、吸收、激光损伤阈值等属性的测试,结果表明,氧离子束辅助沉积的样品与未辅助沉积的样品相比具有高的折射率和高的吸收,以及稍低的激光损伤阈值。经过... 电子枪蒸发制备了氧化铪薄膜,对氧离子束辅助和未辅助两种情况下的样品进行了折射率、吸收、激光损伤阈值等属性的测试,结果表明,氧离子束辅助沉积的样品与未辅助沉积的样品相比具有高的折射率和高的吸收,以及稍低的激光损伤阈值。经过分析发现,薄膜的激光损伤阈值是影响薄膜抗激光特性的不利因素和有利因素竞争的结果,离子束辅助沉积技术在引入结构致密等有利因素的同时,也引入了吸收增加等不利因素。 展开更多
关键词 离子束辅助沉积 氧化铪 激光损伤阈值 微弱吸收
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离子束辅助沉积引发互不固溶系非晶相和亚稳晶相形成 被引量:5
9
作者 曾飞 赵斌 潘峰 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 2001年第3期277-280,共4页
利用离子束辅助沉积技术 (IBAD)研究了在互不固溶的Cu -Ta和Cu -Nb系统中获得非晶相和亚稳晶相的可能性 .结果表明 :r(Cu)为 30 %时Cu含量的Cu -Ta薄膜得到了非晶相 ;r(Cu)为 2 5 %~ 35 %时Cu -Nb薄膜中随辅助离子束能量的改变出现了fc... 利用离子束辅助沉积技术 (IBAD)研究了在互不固溶的Cu -Ta和Cu -Nb系统中获得非晶相和亚稳晶相的可能性 .结果表明 :r(Cu)为 30 %时Cu含量的Cu -Ta薄膜得到了非晶相 ;r(Cu)为 2 5 %~ 35 %时Cu -Nb薄膜中随辅助离子束能量的改变出现了fcc相 -非晶相转变 ;r(Cu)为 2 0 %时Cu -Nb薄膜中得到了bcc相 ,说明IBAD技术可以在互不固溶二元合金系统中制备非晶和亚稳晶相 . 展开更多
关键词 离子束辅助沉积 非晶相 亚稳晶相 薄膜 制备 铜钽合金 铜铌合金
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离子束辅助沉积技术在腐蚀与防护中的应用 被引量:3
10
作者 翁端 李西峰 马春来 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期21-23,共3页
离子束辅助沉积技术是近年来发展很快的一种表面技术,集气相沉积和离子注入优点于一体,为改善薄膜的微观结构和性能提供了一种有效的手段,使膜层的耐蚀性和耐磨性都有很大的提高。下面主要介绍国内外离子束辅助沉积技术在材料腐蚀与... 离子束辅助沉积技术是近年来发展很快的一种表面技术,集气相沉积和离子注入优点于一体,为改善薄膜的微观结构和性能提供了一种有效的手段,使膜层的耐蚀性和耐磨性都有很大的提高。下面主要介绍国内外离子束辅助沉积技术在材料腐蚀与防护方面的研究进展和发展动向。 展开更多
关键词 薄膜 腐蚀 离子束辅助沉积 防腐 镀膜 表面处理
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Ti6Al4V表面离子束辅助沉积DLC薄膜及其摩擦学性能研究 被引量:2
11
作者 白秀琴 李健 严新平 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2004年第07B期94-96,149,共4页
利用离子束辅助沉积(IBAD)的方法来制备含氢DLC薄膜,在球-盘微摩擦试验仪上对DLC薄膜及Ti6Al4V分别与超高分子量聚乙烯(UHMWPE)组成的摩擦副的摩擦学性能进行了研究。结果表明:在Ti6Al4V球表面用离子束辅助沉积技术可以沉积DLC薄膜,... 利用离子束辅助沉积(IBAD)的方法来制备含氢DLC薄膜,在球-盘微摩擦试验仪上对DLC薄膜及Ti6Al4V分别与超高分子量聚乙烯(UHMWPE)组成的摩擦副的摩擦学性能进行了研究。结果表明:在Ti6Al4V球表面用离子束辅助沉积技术可以沉积DLC薄膜,所制备的DLC薄膜能有效地减小摩擦系数,改善摩擦学性能,在干摩擦下DLC薄膜表现出一定的减摩作用,在生理盐水润滑的条件下,DLC薄膜具有优异的减摩作用。 展开更多
关键词 TI6AL4V 离子束辅助沉积 DLC薄膜 摩擦学性能
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离子束辅助沉积技术制备耐磨抗蚀膜层的研究进展 被引量:2
12
作者 傅永庆 朱晓东 何家文 《材料导报》 EI CAS CSCD 1995年第6期14-18,共5页
介绍了离子束辅助沉积技术及其在制备耐磨抗蚀膜层方面的应用,对该技术目前的发展现状及应用前景作了评述。
关键词 离子束辅助沉积 膜层 摩损 抗蚀性
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离子束辅助沉积TiO_2薄膜近红外光学特性分析 被引量:4
13
作者 潘永强 施洋 《西安工业大学学报》 CAS 2009年第4期307-310,共4页
二氧化钛(TiO2)作为一种常用的薄膜材料,对其近红外波段光学特性的研究很少.利用正交试验法,采用椭圆仪对TiO2薄膜近红外波段的光学特性进行了研究.着重研究了薄膜沉积速率、基片烘烤温度和氧气分压等因素对TiO2薄膜近红外波段的折射率... 二氧化钛(TiO2)作为一种常用的薄膜材料,对其近红外波段光学特性的研究很少.利用正交试验法,采用椭圆仪对TiO2薄膜近红外波段的光学特性进行了研究.着重研究了薄膜沉积速率、基片烘烤温度和氧气分压等因素对TiO2薄膜近红外波段的折射率和消光系数的影响.实验结果表明,对TiO2薄膜折射率影响最大的两种因素是薄膜沉积速率和烘烤温度.随着沉积速率的增加,薄膜折射率先增加后减小,最佳沉积速率为0.4 nm/s左右;随着基片温度的增加,薄膜折射率从2.15增加到2.23左右;氧气分压也是影响薄膜折射率的主要因素之一,结果表明氧气流量为4.0 sccm(工作真空度1.4×10-2Pa)时折射率最大.该研究为扩宽TiO2薄膜在近红外波段的应用提供了依据. 展开更多
关键词 二氧化钛薄膜 近红外 光学常数 离子束辅助沉积
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离子束辅助沉积红外增透薄膜工艺 被引量:4
14
作者 傅晶晶 付秀华 邢政 《长春理工大学学报(自然科学版)》 2008年第2期43-45,共3页
光纤接入网络的快速发展对光纤传输的光学性能方面提出了严格的要求。文中阐述了电子束离子辅助沉积系统在室温下镀制光纤端面近红外1520nm~1580nm范围增透膜的应用。讨论了膜料的选择、膜系的设计以及镀制过程中光学监控的工艺参数,... 光纤接入网络的快速发展对光纤传输的光学性能方面提出了严格的要求。文中阐述了电子束离子辅助沉积系统在室温下镀制光纤端面近红外1520nm~1580nm范围增透膜的应用。讨论了膜料的选择、膜系的设计以及镀制过程中光学监控的工艺参数,制备出了光学性能较好的薄膜。 展开更多
关键词 离子束辅助沉积 红外增透膜 光纤 膜厚控制
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离子束辅助沉积碲化铅薄膜的AFM研究 被引量:4
15
作者 熊玉卿 罗崇泰 +1 位作者 王多书 马勉军 《真空与低温》 2008年第1期11-13,22,共4页
利用原子力显微镜(AFM)研究了离子束辅助沉积碲化铅(PbTe)薄膜的微观结构和表面形貌。结果表明,传统热蒸发方法制备的碲化铅薄膜呈现出明显的柱状结构,离子束轰击可以显著改变薄膜的微观结构,导致柱状结构的逐渐消失和晶粒的长大。
关键词 原子力显微镜 离子束辅助沉积 碲化铅 薄膜
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离子束辅助沉积非晶硅薄膜红外光学特性研究 被引量:3
16
作者 潘永强 黄国俊 《西安工业大学学报》 CAS 2011年第1期9-13,共5页
为了得到非晶硅(a-Si)薄膜红外光学常数与工艺参数之间的关系,采用Ar离子束辅助电子束热蒸发技术制备a-Si薄膜,并利用椭偏仪和分光光度计测量了薄膜的光学常数,分析了薄膜沉积速率、基底温度和工作真空度对a-Si薄膜折射率和消光系数... 为了得到非晶硅(a-Si)薄膜红外光学常数与工艺参数之间的关系,采用Ar离子束辅助电子束热蒸发技术制备a-Si薄膜,并利用椭偏仪和分光光度计测量了薄膜的光学常数,分析了薄膜沉积速率、基底温度和工作真空度对a-Si薄膜折射率和消光系数的影响.实验结果表明:影响a-Si薄膜光学常数的主要工艺因素是沉积速率和基底温度,工作真空度的影响最小.当沉积速率和基底温度升高时,薄膜的折射率先增大后减小;当工作真空度升高时,薄膜的折射率增大.在波长1~5μm之间,a-Si薄膜的折射率变化范围为2.47~3.28. 展开更多
关键词 非晶硅薄膜 电子蒸发 红外光学常数 离子束辅助沉积
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双离子束辅助沉积TiN薄膜的微观结构及力学性能 被引量:1
17
作者 向伟 方仁昌 李文治 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 1999年第6期35-39,43,共6页
采用双离子束辅助沉积技术制备了TiN 薄膜,并用XPS、XRD、SEM、TEM 和努氏显微硬度计等对薄膜进行了分析测试,结果表明,在溅射沉积的同时,N+ 离子的轰击使TiN薄膜主要沿(200)取向择优生长;离子的轰击也... 采用双离子束辅助沉积技术制备了TiN 薄膜,并用XPS、XRD、SEM、TEM 和努氏显微硬度计等对薄膜进行了分析测试,结果表明,在溅射沉积的同时,N+ 离子的轰击使TiN薄膜主要沿(200)取向择优生长;离子的轰击也使TiN 薄膜的表面形貌发生显著的变化,随着轰击N+ 离子能量的增加,TiN 薄膜的晶粒增大。在盘铣刀片上沉积TiN 改性薄膜后。 展开更多
关键词 离子束辅助沉积 TIN 微观结构 力学性能
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等离子束辅助沉积制备ZnO薄膜的特性研究
18
作者 甄万宝 朱世富 +2 位作者 赵北君 宋志棠 封松林 《四川大学学报(工程科学版)》 EI CAS CSCD 2004年第6期77-81,共5页
采用等离子束辅助沉积的方法在n-Si(001)衬底上制备出ZnO薄膜。X射线衍射谱显示,所制备的ZnO薄膜有较强的(002)晶面衍射峰,表明ZnO薄膜为c轴择优取向生长的,并且随着退火温度升高,晶粒逐渐增大,衍射峰逐渐增强。光致发光谱测量发现,样... 采用等离子束辅助沉积的方法在n-Si(001)衬底上制备出ZnO薄膜。X射线衍射谱显示,所制备的ZnO薄膜有较强的(002)晶面衍射峰,表明ZnO薄膜为c轴择优取向生长的,并且随着退火温度升高,晶粒逐渐增大,衍射峰逐渐增强。光致发光谱测量发现,样品分别在3.28eV和2.48eV存在紫外发射和深能级发射两个较强的发射峰,并且随着退火温度升高,深能级发射逐渐减弱,紫外发射峰得到进一步改善。四探针测试电阻率结果表明,随着退火温度的升高,ZnO薄膜的电阻率呈线性增加。 展开更多
关键词 离子束辅助沉积 光致发光 ZNO薄膜
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Se离子束辅助沉积CIS过程的数值分析
19
作者 李学磊 冯煜东 +3 位作者 王志民 王艺 赵慨 速小梅 《真空与低温》 2014年第3期150-153,共4页
通过研究连续Se离子束辅助磁控溅射技术,在柔性聚酰亚胺基底上沉积形成CIS薄膜的过程,建立了相应的薄膜沉积模型。在此基础上,以离子注入深度效应作为研究对象,从扩散均匀性角度进行模拟计算,并与传统气相原子沉积方法进行比较。通过比... 通过研究连续Se离子束辅助磁控溅射技术,在柔性聚酰亚胺基底上沉积形成CIS薄膜的过程,建立了相应的薄膜沉积模型。在此基础上,以离子注入深度效应作为研究对象,从扩散均匀性角度进行模拟计算,并与传统气相原子沉积方法进行比较。通过比较分析,计算出Se扩散均匀性为90%时,采用离子束辅助沉积所需的衬底温度明显低于气相原子沉积所需的衬底温度。 展开更多
关键词 离子束辅助沉积 CIS 低温沉积 模拟
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用离子束辅助沉积对Si进行金属化
20
作者 何建宏 曹育文 唐祥云 《电子工艺技术》 1995年第4期26-27,48,共3页
本文用IBAD──PVD复合方法在单晶硅上制备了Cr/Ni复合金属化层,研究了沉积工艺条件及退火对薄膜的界面结合强度和电阻率的影响,获得了界面结合强度高、电阻率低、抗热震性能好的Cr/Ni复合金属化膜,界面结合强度可... 本文用IBAD──PVD复合方法在单晶硅上制备了Cr/Ni复合金属化层,研究了沉积工艺条件及退火对薄膜的界面结合强度和电阻率的影响,获得了界面结合强度高、电阻率低、抗热震性能好的Cr/Ni复合金属化膜,界面结合强度可达31MPa。 展开更多
关键词 集成电路 金属化 离子束辅助沉积 VLSI
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