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题名非晶层占比对TEM样品成像的影响
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作者
党鹏
马昊
张启华
杨阳
史丽娜
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机构
中国科学院大学
中芯国际集成电路制造有限公司
中国科学院微电子研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第1期84-88,共5页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61875225)
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文摘
研究了非晶层占比对半导体器件透射电子显微镜(TEM)样品成像的影响。聚焦离子束(FIB)是制备TEM样品的重要工具,在TEM样品制备过程中,离子束损伤会在样品表面产生非晶层而使TEM图像产生畸变失真。在28 nm技术节点以下半导体器件TEM样品制备中,传统的制备方法会使样品在TEM下呈现非晶像或者图像质量不佳而不再适用。制备了一种楔形样品并使用平面转截面的样品制备方法研究了TEM呈晶格像时和非晶层临界占比的关系。实验表明,当样品中非晶层的占比超过0.66时,其在TEM下的成像为非晶像;当低于这一数值时,其在TEM下的成像为晶格像。针对非晶层对样品成像的影响,使用了一种低电压减薄的制备方法,通过降低非晶层占比可以显著优化表面成像,提高TEM样品的质量。
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关键词
透射电子显微镜(TEM)
聚焦离子束(FIB)
离子束损伤
非晶层
图像质量
临界值
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Keywords
transmission electron microscope(TEM)
focused ion beam(FIB)
ion beam damage
amorphous layer
image quality
critical value
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分类号
TN407
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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