离子束增强沉积制备TiB_2薄膜及其性能研究

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作者 况园珠 尤大伟 +1 位作者 白新德 尤引娟 《真空科学与技术》 CSCD 1995年第3期185-189,共5页

用离子束增强沉积法（IBED）在硅及铜基体上沉积了TiB2薄膜，研究了轰击离子束能量和束流对薄膜的微结构及力学性能的影响。用俄歇电子谱（AES）分析了膜的成分及其界面状况，用X射线衍射（XRD）研究了膜的微结构，并测定了膜的硬度及... 用离子束增强沉积法（IBED）在硅及铜基体上沉积了TiB2薄膜，研究了轰击离子束能量和束流对薄膜的微结构及力学性能的影响。用俄歇电子谱（AES）分析了膜的成分及其界面状况，用X射线衍射（XRD）研究了膜的微结构，并测定了膜的硬度及进行了膜的高温氧化试验。结果指出：（1）离子束轰击使薄膜晶化，从而影响到膜的硬度及抗高温氧化性能；（2）离子束增强沉积的二硼化钛薄膜是一种耐高温氧化的高硬膜。 展开更多

关键词 离子束增强沉积 二硼化钛薄膜 晶化

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钛合金表面离子束增强沉积的Cr和CrMo合金膜层及其性能 被引量：15

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作者 唐长斌 刘道新 +3 位作者 朱晓东 田林海 文胜平 宗瑞磊 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期471-477,共7页

利用多功能离子束增强沉积(IBED)设备, 在Ti6Al4V钛合金表面制备Cr和CrMo合金膜层, 以提高钛合金表面的耐磨性能。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、辉光放电光谱仪和显微硬度计分析和测试了 IBED膜层的结构、形态、成分分布、硬度和... 利用多功能离子束增强沉积(IBED)设备, 在Ti6Al4V钛合金表面制备Cr和CrMo合金膜层, 以提高钛合金表面的耐磨性能。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、辉光放电光谱仪和显微硬度计分析和测试了 IBED膜层的结构、形态、成分分布、硬度和膜基结合强度的大小。利用球盘磨损试验机和电化学综合测试仪研究了IBED膜层的摩擦学性能和电化学腐蚀特性。结果表明, 利用IBED方法可以在难镀材料钛合金表面制备膜基结合强度高、结晶致密和晶粒尺寸达纳米级的高硬度Cr膜和CrMo合金膜层, 显著提高了钛合金表面的抗磨性能, 且膜层本身有很好的耐Cl-介质环境电化学腐蚀性能, 与钛合金基体之间有很好的接触腐蚀相容性。 展开更多

关键词 钛合金 离子束增强沉积 Cr膜 CrMo合金膜 磨损 腐蚀

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离子束增强沉积氮化铝薄膜的电绝缘性能研究 被引量：3

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作者 宋朝瑞 俞跃辉 +1 位作者 邹世昌 郑志宏 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2004年第6期494-496,502,共4页

AlN薄膜作为绝缘层材料,在微电子领域的高温高功率器件中有很大应用潜力。采用离子束增强沉积(IBED)法制备了AlN薄膜,采用X光电子能谱(XPS)和电容-电压/电流-电压(C-V/I-V)等方法对AlN薄膜的微观结构和绝缘性能进行了研究,得到了影响薄... AlN薄膜作为绝缘层材料,在微电子领域的高温高功率器件中有很大应用潜力。采用离子束增强沉积(IBED)法制备了AlN薄膜,采用X光电子能谱(XPS)和电容-电压/电流-电压(C-V/I-V)等方法对AlN薄膜的微观结构和绝缘性能进行了研究,得到了影响薄膜电绝缘性能的主要参数。研究结果表明,沉积过程中向IBED系统通入一定的氮气可有效提高薄膜的N/Al,使其接近化学计量比(从0.53∶1到0.81∶1)及电绝缘性能(击穿电场约为1.42MV/cm)。 展开更多

关键词 ALN薄膜 离子束增强沉积(ibed) 电绝缘性能

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钛合金表面离子束增强沉积MoS_2基膜层及其性能 被引量：16

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作者 刘道新 唐宾 +1 位作者 陈华 何家文 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期454-460,共7页

将离子束增强沉积 (IBED)技术与离子束溅射沉积技术相结合 ,在钛合金表面制备了MoS2 ,MoS2 Ti复合膜。研究了膜层的形态、结构、膜基结合强度、硬度、摩擦学性能及抗微动 (fretting)损伤性能。结果表明 :所获膜层较纯溅射膜结合强度高... 将离子束增强沉积 (IBED)技术与离子束溅射沉积技术相结合 ,在钛合金表面制备了MoS2 ,MoS2 Ti复合膜。研究了膜层的形态、结构、膜基结合强度、硬度、摩擦学性能及抗微动 (fretting)损伤性能。结果表明 :所获膜层较纯溅射膜结合强度高、致密性好 ,复合膜中允许的金属元素含量大。通过恰当地控制复合膜中Ti的含量 ,可获得以 (0 0 2 )基面择优取向的MoS2 Ti复合膜 ,该膜层有较好的减摩和抗磨综合性能 ,能够显著地改善钛合金的常规磨损、微动磨损 (FW )和微动疲劳 (FF)性能 ,特别是在磨损严重的大位移整体滑移条件下 ,MoS2 Ti复合膜对钛合金FF抗力的提高作用可大于喷丸形变强化处理。 展开更多

关键词 钛合金 离子束增强沉积 MoS2复合膜 磨擦磨损 微动疲劳 喷丸强化

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离子束增强沉积制备 Cr-N 薄膜及其摩擦学性能研究 被引量：7

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作者 唐宾 朱晓东 +2 位作者 刘道新 徐可为 杨生荣 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期113-118,共6页

利用离子束增强沉积（ＩＢＥＤ）技术制备了Ｃｒ－Ｎ薄膜，并对不同能量氮离子轰击所制备的薄膜组成进行了Ｘ射线衍射及光电子能谱分析，测定了涂层的断裂韧性值，并对涂层的摩擦学性能进行了研究．结果表明：在相同试验条件下，氮离子... 利用离子束增强沉积（ＩＢＥＤ）技术制备了Ｃｒ－Ｎ薄膜，并对不同能量氮离子轰击所制备的薄膜组成进行了Ｘ射线衍射及光电子能谱分析，测定了涂层的断裂韧性值，并对涂层的摩擦学性能进行了研究．结果表明：在相同试验条件下，氮离子轰击能量影响Ｃｒ－Ｎ薄膜的相组成及取向，采用低能量氮离子轰击所得到的薄膜具有较高的断裂韧性和优异的耐磨性能． 展开更多

关键词 离子束增强沉积 薄膜 断裂韧性 摩擦学性能

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离子束增强沉积制备CrN_x薄膜 被引量：7

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作者 唐宾 朱晓东 +1 位作者 胡奈赛 何家文 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期69-70,共2页

利用离子束增强沉积（ＩＢＥＤ）技术制备了ＣｒＮｘ薄膜。对不同能量氮离子轰击所制备的薄膜进行了Ｘ射线衍射、Ｘ射线光电子能谱分析、膜层断裂韧性以及摩擦学性能研究。试验结果表明，在相同试验条件下，氮离子轰击能量影响ＣｒＮｘ... 利用离子束增强沉积（ＩＢＥＤ）技术制备了ＣｒＮｘ薄膜。对不同能量氮离子轰击所制备的薄膜进行了Ｘ射线衍射、Ｘ射线光电子能谱分析、膜层断裂韧性以及摩擦学性能研究。试验结果表明，在相同试验条件下，氮离子轰击能量影响ＣｒＮｘ薄膜的相组成及取向，低能氮离子轰击所制薄膜具有较高的ＫＩＣ数值，且表现出更优异的摩擦学性能。 展开更多

关键词 离子束增强沉积 薄膜 氮化铬

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离子束增强沉积和磁控溅射硫化钼薄膜的摩擦磨损性能研究 被引量：4

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作者 庄大明 刘家浚 +3 位作者 朱宝亮 李文治 张绪寿 杨生荣 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期341-347,共7页

在离子束增强沉积的Ｓｉ３Ｎ４膜和ＴｉＮ膜的表面，分别利用离子束增强沉积法和磁控溅射法制取了ＭｏＳｘ薄膜．在ＳＲＶ摩擦磨损试验机上，对几种薄膜试样与５２１００钢试样作了对比试验研究，结果表明，两种ＭｏＳｘ薄膜都具有良好... 在离子束增强沉积的Ｓｉ３Ｎ４膜和ＴｉＮ膜的表面，分别利用离子束增强沉积法和磁控溅射法制取了ＭｏＳｘ薄膜．在ＳＲＶ摩擦磨损试验机上，对几种薄膜试样与５２１００钢试样作了对比试验研究，结果表明，两种ＭｏＳｘ薄膜都具有良好的摩擦磨损性能．其中，磁控溅射ＭｏＳｘ膜的减摩性能更好，而减摩持久性则是以离子束增强沉积ＭｏＳｘ膜的更好；两种ＭｏＳｘ膜的耐磨性比Ｓｉ３Ｎ４膜和ＴｉＮ膜的高３－４倍，比５２１００钢的高８－２０倍．两种ＭｏＳｘ薄膜显示出不同的减摩性能和耐磨寿命，主要原因在于ＭｏＳｘ溅射膜中的ｘ值（ｘ＜２）不同，以及膜的微观结构和界面成分的混合状态不同． 展开更多

关键词 离子束增强沉积 磁控溅射 薄膜 磨损

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工艺因素对离子束增强沉积氮化硅薄膜组成与结构的影响 被引量：4

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作者 庄大明 刘家浚 +3 位作者 李文治 朱宝亮 张绪寿 张平余 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第2期97-103,共7页

本世纪８０年代以来，利用各种表面技术将陶瓷材料涂覆于金属零件表面的研究发展很快，离子束增强沉积技术以其突出的优点更受到重视．利用这种技术合成陶瓷薄膜是一种新的物理气相沉积方法，而沉积薄膜的质量、性能和成膜速度都会受到... 本世纪８０年代以来，利用各种表面技术将陶瓷材料涂覆于金属零件表面的研究发展很快，离子束增强沉积技术以其突出的优点更受到重视．利用这种技术合成陶瓷薄膜是一种新的物理气相沉积方法，而沉积薄膜的质量、性能和成膜速度都会受到工艺因素的影响．由于氮化硅陶瓷的硬度高，韧性和高温稳定性都比较好，是一种相当理想的耐磨材料，且其还有一定的自润滑性．因此，着重研究了氮离子束流和束压、氮离子与硅原子在基片上的到达比，以及不同基体对离子束增强沉积氮化硅薄膜的化学组成和晶体结构的影响．结果表明，薄膜中Ｎ／Ｓｉ原子比是随着离子原子到达比的增大而增大，要使氮与硅的原子比达到Ｓｉ３Ｎ４中的化学计量比１．３３，到达比就必须达到４；将氮离子束压由３ｋＶ增大到９ｋＶ，可以使薄膜中的氮含量明显提高，但继续增大束压，氮原子含量却反而逐渐降低；沉积在单晶硅基片上的Ｓｉ３Ｎ是非晶态，而沉积于５２１００钢片上的则是β－Ｓｉ３Ｎ４多晶体。研究结果可以作为优化制膜工艺的科学依据。 展开更多

关键词 离子束增强沉积 化学组成 氮化硅 薄膜

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离子束增强沉积氮化钛膜改善硬质合金刀具抗切削损伤性能的研究 被引量：6

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作者 章宗城 贝韵芬 +2 位作者 都佩贤 沈坚 柳襄怀 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期156-161,共6页

通过切削对比试验，考察了分别用离子束增强沉积法和离子镀法镀覆ＴｉＮ膜的硬质合金刀具和无镀层的同种硬质合金刀具的抗切削损伤性能．结果表明，在给定的试验条件下，有离子束增强沉积ＴｉＮ膜硬质合金刀具的切削距离远比无镀层刀具... 通过切削对比试验，考察了分别用离子束增强沉积法和离子镀法镀覆ＴｉＮ膜的硬质合金刀具和无镀层的同种硬质合金刀具的抗切削损伤性能．结果表明，在给定的试验条件下，有离子束增强沉积ＴｉＮ膜硬质合金刀具的切削距离远比无镀层刀具的长，也比有离子镀ＴｉＮ膜刀具的长，其前面和后面的损伤都很小．这是离子束增强沉积过程中各种参数可以分别调节，膜层质量易于控制，能够形成致密度高且与基体结合力强的硬质薄膜的结果．刀具切削损伤的原因主要有磨损和脆性损伤。 展开更多

关键词 硬质合金 刀具 切削损伤 离子束增强沉积 TIN膜

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离子束增强沉积AlN薄膜的研究 被引量：3

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作者 门传玲 徐政 +3 位作者 郑志宏 多新中 张苗 林成鲁 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期366-369,共4页

利用离子束增强沉积 (IBED)法成功地在 Si(10 0 )衬底上合成了大面积均匀的非晶 Al N薄膜。 XRD和XPS测试结果证实该薄膜为非晶且无单质 Al和 N2 存在 ,随着 Al蒸发速率的提高 ,N/Al下降 ,在 0 .0 5 nm /s及0 .10 nm/s的蒸发速率下制得... 利用离子束增强沉积 (IBED)法成功地在 Si(10 0 )衬底上合成了大面积均匀的非晶 Al N薄膜。 XRD和XPS测试结果证实该薄膜为非晶且无单质 Al和 N2 存在 ,随着 Al蒸发速率的提高 ,N/Al下降 ,在 0 .0 5 nm /s及0 .10 nm/s的蒸发速率下制得的薄膜 N/Al分别为 0 .40 2∶ 1和 0 .2 5 0∶ 1。SRP测试结果表明 ,随着 Al蒸发速率的提高 ,表面电阻下降 ,并且在 0 .0 5 nm/s的速率下制得的薄膜均匀致密 ,表面电阻高于 10 8Ω,绝缘性能良好 ,而当蒸发速率≥ 0 .2 5 nm/s时 ,薄膜绝缘性能迅速下降。AFM分析显示薄膜呈岛状分布 ,且 0 .0 5 nm/s制取的样品表面呈鹅卵石密堆积 ,颗粒均匀 ,表面比 0 .10 nm/s样品起伏平缓、光滑 。 展开更多

关键词 离子束增强沉积 ALN 薄膜

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离子束增强沉积纳米金属薄膜的摩擦特性 被引量：3

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作者 张会臣 高玉周 +2 位作者 孙昌国 刘莎 严立 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期1400-1404,共5页

在原子力显微镜上对采用离子束增强沉积方法制备的4种纳米金属薄膜的摩擦特性进行了研究,分析了载荷和滑动速度对金属薄膜摩擦特性的影响,并对4种纳米金属薄膜的特性进行了比较。结果表明:铜薄膜的摩擦力随着滑动速度的增加而基本保持不... 在原子力显微镜上对采用离子束增强沉积方法制备的4种纳米金属薄膜的摩擦特性进行了研究,分析了载荷和滑动速度对金属薄膜摩擦特性的影响,并对4种纳米金属薄膜的特性进行了比较。结果表明:铜薄膜的摩擦力随着滑动速度的增加而基本保持不变,镍薄膜的摩擦力随着滑动速度的增加而略有增加,钛薄膜的摩擦力随着滑动速度的增加而显著增加,而铝薄膜的摩擦力随着滑动速度的增加而减小;4种纳米薄膜的摩擦力均随着载荷的增大而增大,并且都存在一个载荷值,超过这个值,接触刚度增大,摩擦力急剧增加;4种薄膜中,铜薄膜的摩擦力最小,铝薄膜在载荷较大时的摩擦力最大;4种纳米金属薄膜摩擦特性的差异与薄膜的结构、形貌特征有关。 展开更多

关键词 纳米薄膜 摩擦 离子束增强沉积 原子力 摩擦力显微镜

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离子束增强沉积Ni、Ti纳米金属薄膜的表面形貌与摩擦特性研究 被引量：2

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作者 夏冬生 张会臣 +2 位作者 孙昌国 高玉周 严立 《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期97-101,共5页

在原子力显微镜上对采用离子束增强沉积方法制备的N i、Ti纳米金属薄膜的形貌进行了观察,应用分形理论分析了薄膜表面的分形特征,并且对金属薄膜的纳米摩擦特性进行了研究,分析了载荷和表面力对金属薄膜摩擦特性的影响。结果表明,Ti薄... 在原子力显微镜上对采用离子束增强沉积方法制备的N i、Ti纳米金属薄膜的形貌进行了观察,应用分形理论分析了薄膜表面的分形特征,并且对金属薄膜的纳米摩擦特性进行了研究,分析了载荷和表面力对金属薄膜摩擦特性的影响。结果表明,Ti薄膜晶粒细小,表面平整,而N i薄膜表面粗糙。N i、Ti沉积薄膜表面具有显著分形特征,各向同性。N i、Ti纳米薄膜的摩擦力均随载荷的增大而增大,并且都存在一个临界载荷值,超过这个值,摩擦力急剧增加。将分形理论和接触力学JKR模型结合,对纳米金属薄膜摩擦的临界载荷进行的预测与实验结果具有相同的趋势。 展开更多

关键词 纳米薄膜 离子束增强沉积 表面形貌 分形表征 临界载荷 摩擦

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离子束增强沉积技术 被引量：5

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作者 席仕伟 何锦涛 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 2002年第4期458-461,共4页

采用离子束增强沉积 (IBED)铜过渡层和电子束蒸镀铜膜结合制备的单质膜结构 ,比采用电子束蒸镀钛 铜多层膜结构工艺简单 ,且不增加光刻腐蚀工艺难度 ,铜膜沉积于低表面粗糙度 (Ry≤ 0 .1μm )的氧化铝陶瓷基片表面获得了良好的膜 基... 采用离子束增强沉积 (IBED)铜过渡层和电子束蒸镀铜膜结合制备的单质膜结构 ,比采用电子束蒸镀钛 铜多层膜结构工艺简单 ,且不增加光刻腐蚀工艺难度 ,铜膜沉积于低表面粗糙度 (Ry≤ 0 .1μm )的氧化铝陶瓷基片表面获得了良好的膜 基附着力。实验证明 展开更多

关键词 离子束增强沉积技术 铜膜 离子源 镀膜工艺 氧化铝陶瓷基片 界面附着力 结构

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离子束增强沉积工艺对镀层表面粗糙度的影响 被引量：1

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作者 唐宾 秦林 +1 位作者 朱晓东 徐重 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期184-187,共4页

研究了不同界面共混工艺对精密轴承镀层表面粗糙度的影响。结果表明 ,用氮离子进行界面反冲共混 ,在动态反冲共混过程中 ,随着氮离子能量的增高 ,氮离子选择溅射和界面碳富集造成界面上沉积的镀层表面粗糙度相应增大 ,而对于在工件表面... 研究了不同界面共混工艺对精密轴承镀层表面粗糙度的影响。结果表明 ,用氮离子进行界面反冲共混 ,在动态反冲共混过程中 ,随着氮离子能量的增高 ,氮离子选择溅射和界面碳富集造成界面上沉积的镀层表面粗糙度相应增大 ,而对于在工件表面预先沉积一层纯钛的静态反冲共混工艺 ,镀层具有较低的表面粗糙度。当氮离子能量为 40keV时 ,静态反冲共混界面具有高的镀膜基体结合力。 展开更多

关键词 离子束增强沉积 粗糙度 结合强度 氮化钛

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离子束增强沉积界面共混工艺对Cr-N镀层结合强度的影响 被引量：1

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作者 唐宾 李咏梅 胡奈赛 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期740-746,共7页

采用连续压入法以及球滚接触疲劳法评定不同界面共混工艺所制Ｃｒ－Ｎ镀层膜基结合强度，并对两种方法试验结果进行分析对比，试验结果表明，在其它参数相同条件下，随着氮离子轰击能量从１０、２０ｋｅＶ提高到４０ｋｅＶ，动反冲共混... 采用连续压入法以及球滚接触疲劳法评定不同界面共混工艺所制Ｃｒ－Ｎ镀层膜基结合强度，并对两种方法试验结果进行分析对比，试验结果表明，在其它参数相同条件下，随着氮离子轰击能量从１０、２０ｋｅＶ提高到４０ｋｅＶ，动反冲共混辊面结合强度则有明显降低的趋势，Ｐｃ值测量值分别为６５０、７００、３３０Ｎ，当轰击能量为２０、１０ｋｅＶ时，Ｃｒ－Ｎ镀层在△ｔｒｚ＝４４２ＭＰａ叶，循环疲劳周这到５．０×１０＾６时。 展开更多

关键词 离子束增强沉积 结合强度 镀层 氮一铬 共混

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离子束增强沉积TiN薄膜的研究 被引量：1

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作者 向伟 赖祖武 +2 位作者 罗四维 方仁昌 李文治 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1998年第4期308-312,共5页

利用多功能离子束增强沉积设备，采用三种不同工艺方法制备TiN薄膜，并对制备的TiN薄膜进行了AES，XPS，XRD，RBS和TEM等分析。结果表明：所制备的薄膜都有很好均匀性，TiN薄膜处在压应力状态；在溅射沉积的同时，在0～20keV范围内，N+... 利用多功能离子束增强沉积设备，采用三种不同工艺方法制备TiN薄膜，并对制备的TiN薄膜进行了AES，XPS，XRD，RBS和TEM等分析。结果表明：所制备的薄膜都有很好均匀性，TiN薄膜处在压应力状态；在溅射沉积的同时，在0～20keV范围内，N+和Ar+离子的轰击使得TiN薄膜的生长呈现不同择优取向；随着N+离子轰击能量的增加，制备的TiN薄膜的晶粒增大。 展开更多

关键词 离子束增强沉积 离子轰击 薄膜 氮化钛

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离子束增强沉积技术在制备优良抗蚀膜层方面的研究进展 被引量：1

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作者 傅永庆 徐可为 何家文 《表面技术》 EI CAS CSCD 1997年第1期1-5,共5页

介绍了一种新型表面改性技术——离子束增强沉积技术的原理、方法,综述了该技术在制备优良抗蚀膜层方面的优势及最新研究进展。

关键词 离子束增强沉积 抗蚀性 镀膜 表面改性 金属

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离子束增强沉积法制备二氧化铪薄膜 被引量：1

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作者 陶凯 俞跃辉 +1 位作者 郑智宏 邹世昌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期209-211,共3页

利用离子束增强沉积(IBED)技术在硅衬底上沉积得到50nm的二氧化铪薄膜。卢瑟福背散射(RBS)的结果指出样品表面有过量氧元素存在。X射线光电子能谱(XPS)显示退火前后薄膜内部化学键没有变化。透射电子显微镜(TEM)表明界面处有非晶铪氧硅... 利用离子束增强沉积(IBED)技术在硅衬底上沉积得到50nm的二氧化铪薄膜。卢瑟福背散射(RBS)的结果指出样品表面有过量氧元素存在。X射线光电子能谱(XPS)显示退火前后薄膜内部化学键没有变化。透射电子显微镜(TEM)表明界面处有非晶铪氧硅化合物生成。电子衍射(ED)显示所制备的二氧化铪薄膜呈现长程无序、区域有序的多晶态。实验为HfO2作为高尼电介质在集成电路制造中的应用提供了一种简单有效的方法。 展开更多

关键词 二氧化铪 离子束增强沉积 高K电介质

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离子束增强沉积技术制备MoS_2固体润滑膜 被引量：1

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作者 朱晓东 傅永庆 何家文 《材料科学与工程》 CAS CSCD 1996年第1期13-16,共4页

本文综述了离子束增强沉积技术的主要特点及其在制备固体润滑膜(MoS_2)方面的最新研究结果。与传统溅射沉积技术比较,其优势在于:易于获得沿 basal 面的择优取向分布,膜层结构致密,膜基结合强度高,膜层耐磨损寿命大幅度提高。

关键词 离子束增强沉积 润滑膜 二氧化钼

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离子束增强沉积Si─N膜

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作者 罗广南 李文治 李恒德 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 1996年第3期115-118,共4页

用离子束增强沉积方法制备了ＳｉＮ薄膜，其中Ｓｉ由一束Ａｒ离子从Ｓｉ靶上溅射下来，在溅射沉积的同时，以一束Ｎ离子轰击正在沉积的膜层，于是获得了ＳｉＮ膜。采用卢瑟福背散射、红外光谱和透射电镜对膜层的成分和结构进行了分... 用离子束增强沉积方法制备了ＳｉＮ薄膜，其中Ｓｉ由一束Ａｒ离子从Ｓｉ靶上溅射下来，在溅射沉积的同时，以一束Ｎ离子轰击正在沉积的膜层，于是获得了ＳｉＮ膜。采用卢瑟福背散射、红外光谱和透射电镜对膜层的成分和结构进行了分析，结果表明：膜面平整，膜层为非晶或微晶结构。 展开更多

关键词 离子束增强沉积 氮化硅膜 薄膜

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