离子束增强沉积AlN薄膜的研究 被引量：3

1

作者 门传玲 徐政 +3 位作者 郑志宏 多新中 张苗 林成鲁 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期366-369,共4页

利用离子束增强沉积 (IBED)法成功地在 Si(10 0 )衬底上合成了大面积均匀的非晶 Al N薄膜。 XRD和XPS测试结果证实该薄膜为非晶且无单质 Al和 N2 存在 ,随着 Al蒸发速率的提高 ,N/Al下降 ,在 0 .0 5 nm /s及0 .10 nm/s的蒸发速率下制得... 利用离子束增强沉积 (IBED)法成功地在 Si(10 0 )衬底上合成了大面积均匀的非晶 Al N薄膜。 XRD和XPS测试结果证实该薄膜为非晶且无单质 Al和 N2 存在 ,随着 Al蒸发速率的提高 ,N/Al下降 ,在 0 .0 5 nm /s及0 .10 nm/s的蒸发速率下制得的薄膜 N/Al分别为 0 .40 2∶ 1和 0 .2 5 0∶ 1。SRP测试结果表明 ,随着 Al蒸发速率的提高 ,表面电阻下降 ,并且在 0 .0 5 nm/s的速率下制得的薄膜均匀致密 ,表面电阻高于 10 8Ω,绝缘性能良好 ,而当蒸发速率≥ 0 .2 5 nm/s时 ,薄膜绝缘性能迅速下降。AFM分析显示薄膜呈岛状分布 ,且 0 .0 5 nm/s制取的样品表面呈鹅卵石密堆积 ,颗粒均匀 ,表面比 0 .10 nm/s样品起伏平缓、光滑 。 展开更多

关键词 离子束增强沉积 ALN 薄膜

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钛合金表面离子束增强沉积NiCr膜的耐腐蚀磨损性能 被引量：3

2

作者 唐长斌 刘道新 +1 位作者 朱晓东 田林海 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期24-27,6,共4页

钛合金是难镀材料,采用离子束增强沉积法(IBED),在Ti6Al4V钛合金表面制备NiCr膜,以期改善其耐腐蚀磨损性能。利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、辉光放电光谱仪、显微硬度计、划痕仪、静态压入和动态循环压法表征其形态、结构、成分分... 钛合金是难镀材料,采用离子束增强沉积法(IBED),在Ti6Al4V钛合金表面制备NiCr膜,以期改善其耐腐蚀磨损性能。利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、辉光放电光谱仪、显微硬度计、划痕仪、静态压入和动态循环压法表征其形态、结构、成分分布、硬度、膜基结合强度和膜的韧性;通过电化学极化曲线、交流阻抗测试和电偶腐蚀试验评价改性层的耐蚀性和接触相容性;利用球-盘磨损试验研究了改性层在空气中和3.5%NaCl溶液中腐蚀磨损性能。结果表明:IBED膜基结合强度高、膜层致密、晶粒细小,具备优异的强韧综合性能,良好的耐NaCl溶液腐蚀性能;IBED NiCr膜在NaCl溶液中磨损量仅为Ti6Al4V合金的1/4.5,磨损明显减轻,呈磨粒磨损机制,且其在水溶液中的耐磨性能优于在空气环境中。 展开更多

关键词 离子束增强沉积 NiCr合金膜 钛合金 腐蚀磨损

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离子束增强沉积氮化铝薄膜的电绝缘性能研究 被引量：3

3

作者 宋朝瑞 俞跃辉 +1 位作者 邹世昌 郑志宏 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2004年第6期494-496,502,共4页

AlN薄膜作为绝缘层材料,在微电子领域的高温高功率器件中有很大应用潜力。采用离子束增强沉积(IBED)法制备了AlN薄膜,采用X光电子能谱(XPS)和电容-电压/电流-电压(C-V/I-V)等方法对AlN薄膜的微观结构和绝缘性能进行了研究,得到了影响薄... AlN薄膜作为绝缘层材料,在微电子领域的高温高功率器件中有很大应用潜力。采用离子束增强沉积(IBED)法制备了AlN薄膜,采用X光电子能谱(XPS)和电容-电压/电流-电压(C-V/I-V)等方法对AlN薄膜的微观结构和绝缘性能进行了研究,得到了影响薄膜电绝缘性能的主要参数。研究结果表明,沉积过程中向IBED系统通入一定的氮气可有效提高薄膜的N/Al,使其接近化学计量比(从0.53∶1到0.81∶1)及电绝缘性能(击穿电场约为1.42MV/cm)。 展开更多

关键词 ALN薄膜 离子束增强沉积(IBED) 电绝缘性能

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离子束增强沉积技术 被引量：5

4

作者 席仕伟 何锦涛 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 2002年第4期458-461,共4页

采用离子束增强沉积 (IBED)铜过渡层和电子束蒸镀铜膜结合制备的单质膜结构 ,比采用电子束蒸镀钛 铜多层膜结构工艺简单 ,且不增加光刻腐蚀工艺难度 ,铜膜沉积于低表面粗糙度 (Ry≤ 0 .1μm )的氧化铝陶瓷基片表面获得了良好的膜 基... 采用离子束增强沉积 (IBED)铜过渡层和电子束蒸镀铜膜结合制备的单质膜结构 ,比采用电子束蒸镀钛 铜多层膜结构工艺简单 ,且不增加光刻腐蚀工艺难度 ,铜膜沉积于低表面粗糙度 (Ry≤ 0 .1μm )的氧化铝陶瓷基片表面获得了良好的膜 基附着力。实验证明 展开更多

关键词 离子束增强沉积技术 铜膜 离子源 镀膜工艺 氧化铝陶瓷基片 界面附着力 结构

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离子束增强沉积法制备二氧化铪薄膜 被引量：1

5

作者 陶凯 俞跃辉 +1 位作者 郑智宏 邹世昌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期209-211,共3页

利用离子束增强沉积(IBED)技术在硅衬底上沉积得到50nm的二氧化铪薄膜。卢瑟福背散射(RBS)的结果指出样品表面有过量氧元素存在。X射线光电子能谱(XPS)显示退火前后薄膜内部化学键没有变化。透射电子显微镜(TEM)表明界面处有非晶铪氧硅... 利用离子束增强沉积(IBED)技术在硅衬底上沉积得到50nm的二氧化铪薄膜。卢瑟福背散射(RBS)的结果指出样品表面有过量氧元素存在。X射线光电子能谱(XPS)显示退火前后薄膜内部化学键没有变化。透射电子显微镜(TEM)表明界面处有非晶铪氧硅化合物生成。电子衍射(ED)显示所制备的二氧化铪薄膜呈现长程无序、区域有序的多晶态。实验为HfO2作为高尼电介质在集成电路制造中的应用提供了一种简单有效的方法。 展开更多

关键词 二氧化铪 离子束增强沉积 高K电介质

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离子束增强沉积技术制备MoS_2固体润滑膜 被引量：1

6

作者 朱晓东 傅永庆 何家文 《材料科学与工程》 CAS CSCD 1996年第1期13-16,共4页

本文综述了离子束增强沉积技术的主要特点及其在制备固体润滑膜(MoS_2)方面的最新研究结果。与传统溅射沉积技术比较,其优势在于:易于获得沿 basal 面的择优取向分布,膜层结构致密,膜基结合强度高,膜层耐磨损寿命大幅度提高。

关键词 离子束增强沉积 润滑膜 二氧化钼

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离子束增强沉积TiN薄膜的耐蚀性

7

作者 朱雪梅 马永乐 张琳 《大连交通大学学报》 CAS 2013年第6期79-82,共4页

采用不同离子束入射方向的离子束增强沉积技术(IBED)在W18Cr4V高速钢表面沉积TiN薄膜.利用阳极极化曲线测试技术研究TiN薄膜在0.5 mol/L H2SO4和3%NaCl溶液中的耐蚀性.结果表明:在0.5 mol/L H2SO4溶液中,离子束入射角度为45°时的Ti... 采用不同离子束入射方向的离子束增强沉积技术(IBED)在W18Cr4V高速钢表面沉积TiN薄膜.利用阳极极化曲线测试技术研究TiN薄膜在0.5 mol/L H2SO4和3%NaCl溶液中的耐蚀性.结果表明:在0.5 mol/L H2SO4溶液中,离子束入射角度为45°时的TiN薄膜的阳极极化曲线呈现自钝化,自腐蚀电位E corr由原始高速钢的-400 mV增至-71 mV,致钝电流密度i b和维钝电流密度i p分别比原始试样降低4个和2个数量级,耐蚀性能显著提高.在3%NaCl溶液中,离子束入射角度分别为0°、30°沉积的TiN薄膜的阳极极化曲线均呈现自钝化-点蚀击穿过程,随着入射角度的增加,自腐蚀电位和点蚀击穿电位升高,入射角度为45°时的TiN薄膜不发生点蚀破坏,自腐蚀电位E corr由原始高速钢的-600 mV增至-10 mV,具有高的抗点蚀性能. 展开更多

关键词 离子束增强沉积 TIN薄膜 W18CR4V高速钢 阳极极化

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离子束增强沉积制备钽酸锂薄膜电性能分析

8

作者 包勇 张德银 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期489-492,521,共5页

为提升钽酸锂薄膜的性能,提出一种离子束增强沉积法制备钽酸锂薄膜的新工艺。分别采用这种新工艺和溶胶-凝胶法制备了钽酸锂薄膜,并利用阻抗分析仪和铁电材料分析仪对制备样品进行了介电性能、铁电特性、漏电电流和热释电特性分析。实... 为提升钽酸锂薄膜的性能,提出一种离子束增强沉积法制备钽酸锂薄膜的新工艺。分别采用这种新工艺和溶胶-凝胶法制备了钽酸锂薄膜,并利用阻抗分析仪和铁电材料分析仪对制备样品进行了介电性能、铁电特性、漏电电流和热释电特性分析。实验结果表明,采用离子束增强沉积制备的钽酸锂样品经550℃退火后,介电常数为39.44,介电损耗为0.045;测试电场强度为400kV/cm时,漏电流为4.76×10-8 A/cm2,击穿场强为680kV/cm,热释电系数达到1.82×10-4 C/m2 K。相比之下,采用溶胶-凝胶方法制备的钽酸锂薄膜样品,其介电常数、介电损耗、漏电流都更大,击穿场强和热释电系数更低。从电性能参数比较可以看出,离子束增强沉积法比溶胶-凝胶法更适合用于制备钽酸锂薄膜。 展开更多

关键词 离子束增强沉积 钽酸锂 溶胶-凝胶 介电常数 铁电特性 热释电系数

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提高模具寿命的离子束增强沉积法

9

作者 耿健 李付国 张仲元 《航空工艺技术》 1995年第6期34-35,共2页

综述了离子束增强沉积法的原理、特点及在模具表面改性中的应用。

关键词 模具 离子束增强沉积 表面改性 寿命

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离子束增强沉积纳米Fe-N磁性膜 被引量：1

10

作者 李贵斌 雷明凯 +1 位作者 李国卿 刘邦智 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期212-216,共5页

利用高能量（＞１５ｋｅＶ）、脉冲氮离子束增强沉积（ＩＢＥＤ）Ｆｅ－Ｎ磁性薄膜．合成了含有α－Ｆｅ、α″－Ｆｅ１６Ｎ２、γ′－Ｆｅ４Ｎ和ε－Ｆｅ２～３Ｎ相的纳米多晶薄膜．Ｆｅ－Ｎ薄膜的磁性取决于膜层的相结构及微观形貌．... 利用高能量（＞１５ｋｅＶ）、脉冲氮离子束增强沉积（ＩＢＥＤ）Ｆｅ－Ｎ磁性薄膜．合成了含有α－Ｆｅ、α″－Ｆｅ１６Ｎ２、γ′－Ｆｅ４Ｎ和ε－Ｆｅ２～３Ｎ相的纳米多晶薄膜．Ｆｅ－Ｎ薄膜的磁性取决于膜层的相结构及微观形貌．纳米尺度的α″－Ｆｅ１６Ｎ２和α－Ｆｅ相的混合物膜层的饱和磁化强度可达２４５ｅｍｕ／ｇ．多元ＩＢＥＤＦｅ－Ｃｏ－Ｎ合金薄膜与相同制备条件下合成的Ｆｅ－Ｎ薄膜相比，其相结构相似，但饱和磁化强度提高，矫顽力降低． 展开更多

关键词 磁性材料 薄膜 磁性膜 离子束增强沉积

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离子束增强沉积立方氮化硼薄膜的研究进展

11

作者 况园珠 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期36-38,共3页

介绍了用离子束增强沉积法(IBED)制备立方氮化硼(c-BN)薄膜的主要研究单位及其研究内容和获得的结果。

关键词 立方氮化硼 离子束增强沉积 离子轰击 制备 薄膜

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一种用电火花结合离子束增强沉积复合改性钛合金表面的方法

12

《稀有金属快报》 CSCD 2007年第8期24-24,共1页

本发明公开了一种用电火花结合离子束增强沉积复合改性钛合金表面的方法，包括下述步骤：在超声波作用下用有机溶剂清洗钛合金表面，清洗时间为5～10min；将经过时效处理后的钛合金用电火花表面强化器强化处理（电极材料为硅青铜或者YG-... 本发明公开了一种用电火花结合离子束增强沉积复合改性钛合金表面的方法，包括下述步骤：在超声波作用下用有机溶剂清洗钛合金表面，清洗时间为5～10min；将经过时效处理后的钛合金用电火花表面强化器强化处理（电极材料为硅青铜或者YG-8型硬质合金），处理过程中用Ar气保护，Ar气流量为8L／min；用离子束增强沉积磁控溅射和多弧设备，在经过电火花强化处理过的钛合金表面用氩离子轰击清洗8～12min，沉积过程中也要用氩离子不断轰击已沉积的膜层，沉积用靶材为硅青铜。由于采用了电火花表面强化与离子束沉积结合方法， 展开更多

关键词 离子束增强沉积 电火花表面强化 复合改性 金表面 钛合金 种用 氩离子轰击 溶剂清洗

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金刚石表面离子束金属化研究

13

作者 李国卿 张家良 +8 位作者 牟宗信 郭宝海 黄宁表 李述汤 何浩培 刘悦 刘会民 花吉珍 陈季文 《半导体情报》 1998年第5期44-47,共4页

采用离子束增强沉积技术对金刚石热沉材料表面金属化进行了研究，制备了Ｔｉ／Ｎｉ／ＡｕＩｎ和Ｃｕ／ＡｕＩｎ金属化体系。采用俄歇、ＥＤＳ、ＸＲＤ和ＳＣＲＡＴＣＨ方法对膜层和界面进行了分析。

关键词 金刚石 表面金属化 离子束增强沉积

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氮化钽薄膜局部腐蚀早期过程的原位研究 被引量：1

14

作者 俞春福 徐久军 黑祖昆 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期17-18,共2页

利用离子束增强沉积 (IBED)技术在 1Cr18Ni9Ti奥氏体不锈钢上制备了TaN薄膜 ,并通过电化学原子力显微镜 (ECAFM)对TaN薄膜在NaCl溶液中的腐蚀早期过程进行了原位研究 ,重点观察了微观缺陷处的腐蚀状况。结果表明 ,在TaN薄膜的腐蚀早期阶... 利用离子束增强沉积 (IBED)技术在 1Cr18Ni9Ti奥氏体不锈钢上制备了TaN薄膜 ,并通过电化学原子力显微镜 (ECAFM)对TaN薄膜在NaCl溶液中的腐蚀早期过程进行了原位研究 ,重点观察了微观缺陷处的腐蚀状况。结果表明 ,在TaN薄膜的腐蚀早期阶段 ,腐蚀并非从缺陷处开始 ,反而在有坑的位置形成更厚的钝化膜 ,表现出较好的整平性 。 展开更多

关键词 氮化钽薄膜 局部腐蚀 原位 研究 ECAFM 离子束增强沉积 不锈钢

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适用于非制冷焦平面探测器的氧化钒薄膜制备研究 被引量：1

15

作者 袁俊 太云见 +3 位作者 李龙 秦强 魏虹 任华 《红外技术》 CSCD 北大核心 2009年第6期334-336,341,共4页

氧化钒薄膜由于其具有高电阻温度系数(TCR),近年来被广泛应用于非制冷红外探测器。利用离子束增强沉积法,通过精确控制溅射电压、退火温度优化了氧化钒的制备工艺,制备出的氧化钒薄膜电阻为40kΩ、TCR为-2.5%K-1,满足非制冷焦平面探测... 氧化钒薄膜由于其具有高电阻温度系数(TCR),近年来被广泛应用于非制冷红外探测器。利用离子束增强沉积法,通过精确控制溅射电压、退火温度优化了氧化钒的制备工艺,制备出的氧化钒薄膜电阻为40kΩ、TCR为-2.5%K-1,满足非制冷焦平面探测器氧化钒薄膜的应用的要求。 展开更多

关键词 氧化钒 非制冷红外探测器 离子束增强沉积

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Ag-HA膜的结晶状况对其抗菌性能的影响

16

作者 王昶明 《北京工商大学学报（自然科学版）》 CAS 2004年第2期34-37,共4页

以离子束增强沉积(IBAD)镀膜方法,在Ti6AL4V骨植入材料上镀羟基磷灰石(HA)膜.将镀HA的Ti6AL4V在室温下置入100ppm的AgNO3溶液中浸泡48小时,银离子通过离子交换过程进入HA膜.含银的HA(Ag-HA)膜具有抗大肠杆菌和金黄色葡萄球菌的能力.经... 以离子束增强沉积(IBAD)镀膜方法,在Ti6AL4V骨植入材料上镀羟基磷灰石(HA)膜.将镀HA的Ti6AL4V在室温下置入100ppm的AgNO3溶液中浸泡48小时,银离子通过离子交换过程进入HA膜.含银的HA(Ag-HA)膜具有抗大肠杆菌和金黄色葡萄球菌的能力.经研究发现,晶态Ag-HA膜抗菌性能颇佳,与此相反,在非晶态的磷酸钙上细菌生长良好.结晶状况对其抗菌性能有重要影响.结晶较好的HA膜有利于Ag+与晶态HA中的Ca2+进行离子交换而进入HA膜,在一定条件下Ag+从晶格中释放出来,起到抗菌作用. 展开更多

关键词 抗菌 羟基磷灰石 银离子 Ag-HA膜 离子束增强沉积镀膜 含银抗菌剂 结晶

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钽掺杂对二氧化钒多晶薄膜相变特性的影响 被引量：5

17

作者 付学成 李金华 +1 位作者 谢建生 袁宁一 《红外技术》 CSCD 北大核心 2010年第3期173-176,共4页

将Ta2O5与V2O5均匀混合,压制成溅射靶,用离子束增强沉积方法在二氧化硅衬底上沉积掺Ta氧化钒薄膜。在氮气中适当退火,形成掺杂二氧化钒多晶薄膜。X射线衍射结果显示,薄膜具有单一的(002)取向。XPS测试表明,膜中V为+4价,Ta以替位方式存... 将Ta2O5与V2O5均匀混合,压制成溅射靶,用离子束增强沉积方法在二氧化硅衬底上沉积掺Ta氧化钒薄膜。在氮气中适当退火,形成掺杂二氧化钒多晶薄膜。X射线衍射结果显示,薄膜具有单一的(002)取向。XPS测试表明,膜中V为+4价,Ta以替位方式存在。温度-电阻率测试表明,薄膜具有明显的相变行为,原子比为3%的Ta掺杂后,二氧化钒多晶薄膜相变温度降低到约48℃。Ta原子的半径大于V原子的半径,Ta的掺入在薄膜中引入了张应力;5价Ta替代4价V,在d轨道中引入多余电子,产生施主能级,这些是掺钽二氧化钒多晶薄膜相变温度降低的原因。 展开更多

关键词 二氧化钒薄膜 Ta掺杂 离子束增强沉积

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