离子敏场效应晶体管(ISFET)的研究进展 被引量：3

1

作者 张彩霞 马小芬 +3 位作者 申霖 邓家春 华玉林 印寿根 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期9-12,共4页

以ISFET为基础的生物传感器目前已经得到了广泛应用。综述了ISFET的优势、制造技术、工作原理及其分类;重点介绍了近年来国际上ISFET在各领域的应用;针对ISFET存在的问题,提出了一些解决方案,展望了ISFET的未来,指出它将朝着复合多功能... 以ISFET为基础的生物传感器目前已经得到了广泛应用。综述了ISFET的优势、制造技术、工作原理及其分类;重点介绍了近年来国际上ISFET在各领域的应用;针对ISFET存在的问题,提出了一些解决方案,展望了ISFET的未来,指出它将朝着复合多功能的方向发展。 展开更多

关键词 离子敏场效应晶体管 生物传感器 敏感膜

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离子敏场效应晶体管宏模型的建立与仿真 被引量：1

2

作者 杨振 颜永红 +2 位作者 代建玮 刘继周 齐良颉 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2005年第1期43-44,47,共3页

根据电化学表面基模型理论,提出了一种简单有效的能够描述离子敏场效应晶体管(ISFET)静态特性的仿真模型,借助此模型,对器件的电学行为进行了模拟,仿真结果与实验数据基本相符。

关键词 离子敏场效应晶体管 表面基 器件模型

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用于离子敏场效应晶体管的生化参比电极研究进展

3

作者 张敬维 许明 +2 位作者 赵丹 曾瑞雪 吴东平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期401-410,共10页

近20年来,基于半导体离子敏场效应晶体管(ISFET)的生化传感器研究越来越引起人们的关注,目前利用ISFET能够实现对p H、金属离子、血糖、基因和蛋白质等的检测。为了使检测结果准确,在检测过程中需要参比电极保持试液电势稳定。综述了IS... 近20年来,基于半导体离子敏场效应晶体管(ISFET)的生化传感器研究越来越引起人们的关注,目前利用ISFET能够实现对p H、金属离子、血糖、基因和蛋白质等的检测。为了使检测结果准确,在检测过程中需要参比电极保持试液电势稳定。综述了ISFET和传统参比电极的工作原理,分析了参比电极对ISFET检测系统的必要性和传统参比电极的可靠性。介绍了多种易于在芯片上集成的微型化参比电极和参比电极系统并探讨了他们的特点。对ISFET电路模型进行了分析并提出了一种基于微流控技术的金属参比电极系统,结合仿真结果认为微流型金属参比电极系统的尺寸可以控制在毫米量级,具有良好的应用前景。 展开更多

关键词 离子敏场效应晶体管(ISFET) 生化传感器 参比电极 微型化 微流控

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DNA场效应晶体管的研制

4

作者 顾丽波 韩泾鸿 张虹 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2003年第9期19-21,共3页

研究了基于场效应晶体管的DNA传感器。分析了DNA场效应晶体管的工作原理、测试电路、芯片加工和生物膜固定化方法,并用此种传感器对寡聚合苷酸序列进行了测试,得到了可行性的实验结果。同时讨论了测试中面临的问题和解决的方法,以及有... 研究了基于场效应晶体管的DNA传感器。分析了DNA场效应晶体管的工作原理、测试电路、芯片加工和生物膜固定化方法,并用此种传感器对寡聚合苷酸序列进行了测试,得到了可行性的实验结果。同时讨论了测试中面临的问题和解决的方法,以及有待进一步研究的问题。 展开更多

关键词 DNA 场效应晶体管 脱氧核糖核酸 离子敏场效应晶体管 杂交反应 传感器

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氟离子敏场效应管的研制

5

作者 张虹 韩泾鸿 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2002年第9期27-28,共2页

阐述了一种氟离子敏场效应晶体管(FISFET)型传感器的结构和工作原理。它是在pH ISFET传感器的基础上用PVC方法把离子敏场效应晶体管和氟化物敏感膜相结合,制成氟离子敏场效应晶体管。该传感器具有全固态化 体积小的特点。实验表明该传... 阐述了一种氟离子敏场效应晶体管(FISFET)型传感器的结构和工作原理。它是在pH ISFET传感器的基础上用PVC方法把离子敏场效应晶体管和氟化物敏感膜相结合,制成氟离子敏场效应晶体管。该传感器具有全固态化 体积小的特点。实验表明该传感器的灵敏度为50mV/C,响应时间:小于1min,相关系数为0.9842,对氟化物的检测范围:1×10-6～1×10-1mol/L。 展开更多

关键词 离子敏场效应晶体管 氟 敏感材料

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CMOS离子敏场效应管SPICE模型 被引量：1

6

作者 刘肃 韩富强 于峰崎 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2005年第10期16-18,22,共4页

完全用CMOS工艺实现离子敏场效应型晶体管(ISFET)成为可能,这种ISFET的栅极结构是由绝缘体、多晶硅、金属层叠起来,称之为多层栅结构。从ISFET的传感机理出发,通过分析金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)阈值电压的原理,利用通用电路模拟程... 完全用CMOS工艺实现离子敏场效应型晶体管(ISFET)成为可能,这种ISFET的栅极结构是由绝缘体、多晶硅、金属层叠起来,称之为多层栅结构。从ISFET的传感机理出发,通过分析金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)阈值电压的原理,利用通用电路模拟程序(SPICE)建立了这种多层栅结构ISFET的物理模型,并对其静态输入输出特性进行仿真,仿真结果和试验数据基本相符。 展开更多

关键词 离子敏场效应晶体管 器件模型 通用电路模拟程序

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面向生物检测的AlGaN/GaN HEMT传感芯片研究进展

7

作者 顾智琦 李加东 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2024年第12期7-11,共5页

氮化铝镓(AlGaN)/氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)生物传感器是基于第三代半导体GaN开发的新型离子敏场效应晶体管(ISFET)生物传感器,其利用器件敏感区电荷变化调制异质结沟道中的高电子迁移率二维电子气(2DEG)来工作,与传统硅基IS... 氮化铝镓(AlGaN)/氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)生物传感器是基于第三代半导体GaN开发的新型离子敏场效应晶体管(ISFET)生物传感器,其利用器件敏感区电荷变化调制异质结沟道中的高电子迁移率二维电子气(2DEG)来工作,与传统硅基ISFET相比,AlGaN/GaN HEMT生化传感器具有更优的化学稳定性,因此具有更大的应用范围。本文从AlGaN/GaN HEMT生物传感器的检测原理出发,讨论了AlGaN/GaN HEMT生物传感器从可行性验证、性能优化到面向实际检测的关键问题,并对AlGaN/GaN HEMT生物传感器国内外研究现状和未来发展进行了总结评价。 展开更多

关键词 氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管 生物传感器 离子敏场效应晶体管 二维电子气

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CMOS微环境pH传感芯片研究 被引量：4

8

作者 施朝霞 朱大中 《传感技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期577-580,共4页

基于离子敏感场效应晶体管(ISFET)基本结构及其电学特性,提出了一种应用标准CMOS工艺实现的多层浮栅结构pH-ISFET。利用CMOS标准工艺中LPCVD淀积的Si3N4钝化层作为氢离子敏感层,pad工艺形成微区域独立传感窗口。片上集成100μm×100... 基于离子敏感场效应晶体管(ISFET)基本结构及其电学特性,提出了一种应用标准CMOS工艺实现的多层浮栅结构pH-ISFET。利用CMOS标准工艺中LPCVD淀积的Si3N4钝化层作为氢离子敏感层,pad工艺形成微区域独立传感窗口。片上集成100μm×100μm电极提供参考电位,消除了外加参考电位引起的溶液电压分布不均的现象。缓冲液从pH值1-13范围内对ISFET进行了测量,器件阈值电压随溶液pH值变化的平均灵敏度为44mV/pH,线性度在10%范围内。本结构可用于生物微环境pH值集成传感芯片设计中。 展开更多

关键词 离子敏场效应晶体管 CMOS工艺 多层浮栅 集成参考电极

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PECVD法淀积SiN_xH_y工艺在H^+-ISFET上应用的探讨 被引量：2

9

作者 钟雨乐 刘涛 李京娜 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第6期49-53,共5页

本文研究和讨论了使用H99-7S型多用离子反应仪PECVD法淀积氮化硅(SiN_xH_y)膜的工艺,并探讨了SiN_XH_Y膜同时作为氢离子敏场效应晶体管(H^+-ISFET)敏感膜及二次钝化保护膜的可行性,以改善H^+-ISFET器件的密封防渗漏性能。

关键词 H^+-ISFET PECVD 淀积 SiNxHy 氢离子敏场效应晶体管

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悬浮栅结构ISFET的HSPICE仿真 被引量：1

10

作者 刘洋 董惠 卫铭斐 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2011年第5期5-7,共3页

通过对ISFET敏感机理的分析,根据表面基模型,建立了悬浮栅结构ISFET器件的HSPICE行为模型,并对其静态输出特性,转移特性,以及pH值与界面势的关系进行了仿真,仿真结果表明:该模型与ISFET的理论和实验数据吻合较好。为ISFET/REFET差分结... 通过对ISFET敏感机理的分析,根据表面基模型,建立了悬浮栅结构ISFET器件的HSPICE行为模型,并对其静态输出特性,转移特性,以及pH值与界面势的关系进行了仿真,仿真结果表明:该模型与ISFET的理论和实验数据吻合较好。为ISFET/REFET差分结构集成传感器芯片设计提供了重要的理论参考价值。 展开更多

关键词 离子敏场效应晶体管 HSPICE模型 静态仿真

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ISFET在FIA中的应用

11

作者 王贵华 虞惇 +2 位作者 武士香 孙玉德 姚建庭 《传感技术学报》 CAS CSCD 1989年第2期10-17,共8页

本文介绍了把pH-ISFET用作检测器的单管道FIA测量系统,研究了该系统中流动注射参数的影响,探讨了标准曲线法与测量范围的拓展方法。研究表明,用ISFET作为FIA的检测器,与其它种类检测器的规律相似。FIA-ISFET系统具有测量速度快、样品与... 本文介绍了把pH-ISFET用作检测器的单管道FIA测量系统,研究了该系统中流动注射参数的影响,探讨了标准曲线法与测量范围的拓展方法。研究表明,用ISFET作为FIA的检测器,与其它种类检测器的规律相似。FIA-ISFET系统具有测量速度快、样品与试剂用量少、重现性好及操作简便等特点。其测量范围和测量精度与ISFET的静态测量方法相同。 展开更多

关键词 离子敏场效应晶体管 流动注射分析技术

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基于ISFET的农药检测生物传感技术 被引量：2

12

作者 吴庆英 杨中平 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2008年第12期4-7,共4页

随着微电子、生物技术的发展,离子敏场效应晶体管(ISFET)生物传感技术已应用于农药检测,并显示出较好的优越性,而我国对基于ISFET的农药检测生物技术研究尚未展开。简单介绍了基于IS-FET的生物传感器的结构、原理,重点探讨了其在农药检... 随着微电子、生物技术的发展,离子敏场效应晶体管(ISFET)生物传感技术已应用于农药检测,并显示出较好的优越性,而我国对基于ISFET的农药检测生物技术研究尚未展开。简单介绍了基于IS-FET的生物传感器的结构、原理,重点探讨了其在农药检测方面的研究应用,分析了ISFET生物传感器存在的问题与未来的发展。 展开更多

关键词 农药 检测 离子敏场效应晶体管 生物传感器

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利用CMOS技术实现pH-ISFET传感器集成化的设计

13

作者 杨振 颜永红 齐良颉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第12期56-59,共4页

在对离子敏场效应晶体管(ISFET)基本结构及电学特性分析的基础上,提出了一种基于CMOS技术实现ISFET与信号处理电路集成化的设计方法。模拟仿真的结果表明,所采用的ISFET/MOSFET“互补对”结构的信号读取电路形式能够抑制“温漂”和克服... 在对离子敏场效应晶体管(ISFET)基本结构及电学特性分析的基础上,提出了一种基于CMOS技术实现ISFET与信号处理电路集成化的设计方法。模拟仿真的结果表明,所采用的ISFET/MOSFET“互补对”结构的信号读取电路形式能够抑制“温漂”和克服“硅衬底体效应”对器件测量灵敏度的影响,是一种适用于ISFET集成设计的信号读取方式。 展开更多

关键词 离子敏场效应晶体管 CMOS工艺 自对准 体效应

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