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等离子体浸没注入超低能注入掺杂研究
1
作者
汪明刚
刘杰
+2 位作者
杨威风
李超波
夏洋
《核聚变与等离子体物理》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期370-373,共4页
基于感应耦合等离子体(ICP)技术设计了一套用于在硅基片上制作形成超浅结的等离子体浸没注入(PIII)系统。该ICP PIII系统工作腔室为圆柱形,采用射频功率源,注入偏压源为一脉冲直流电压源,系统与Langmiur探针相连。探针诊断结果表明,该...
基于感应耦合等离子体(ICP)技术设计了一套用于在硅基片上制作形成超浅结的等离子体浸没注入(PIII)系统。该ICP PIII系统工作腔室为圆柱形,采用射频功率源,注入偏压源为一脉冲直流电压源,系统与Langmiur探针相连。探针诊断结果表明,该系统的等离子体离子密度达到1017m-3,离子密度径向均匀性达到3.53%。硼和磷的超低能注入试验的二次离子质谱测试结果表明:掺杂离子注入深度在10nm左右,最浅的注入深度为8.6nm(在注入离子密度为1018cm-3时);注入离子剂量达到了1015cm-2以上;掺杂离子浓度峰值在表面以下;注入陡峭度达到了2.5nm/decade。
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关键词
感应耦合等
离子
体
浸没注入
低能注入
注入
掺杂
ENERGY
离子
密度
注入深度
系统工作
掺杂
离子
浓度
二次
离子
质谱
直流电压源
射频功率源
径向均匀性
诊断结果
探针
离子
剂量
技术设计
硅基片上
测试结果
圆柱形
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职称材料
HPVB法Fe^(2+):ZnSe激光晶体生长及激光输出特性
2
作者
夏士兴
谢文强
+3 位作者
付秋月
魏磊
丁宇
张丰发
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2023年第7期1033-1036,共4页
本文采用纯度为99.999%的颗粒状ZnSe为基质材料,纯度为99.998%的FeSe粉末为掺杂物,通过HPVB法生长了Fe^(2+):ZnSe晶体,晶体尺寸达Φ50.8 mm×120 mm。采用电感耦合等离子发射光谱仪测试了Fe^(2+):ZnSe晶体样品中铁离子掺杂浓度为3.0...
本文采用纯度为99.999%的颗粒状ZnSe为基质材料,纯度为99.998%的FeSe粉末为掺杂物,通过HPVB法生长了Fe^(2+):ZnSe晶体,晶体尺寸达Φ50.8 mm×120 mm。采用电感耦合等离子发射光谱仪测试了Fe^(2+):ZnSe晶体样品中铁离子掺杂浓度为3.048×10^(18)cm^(-3)。采用粉末XRD衍射仪测试了Fe^(2+):ZnSe晶体样品的X-射线衍射谱,其衍射谱与基质ZnSe样品衍射谱匹配度达92%。采用UV/VIS/NIR分光光度计和傅里叶红外光谱仪测试了Fe^(2+):ZnSe晶体样品的透过谱图,透过谱在波长3.0μm处出现了明显的Fe^(2+)离子吸收峰。采用2.94μm Er:YAG激光器为泵浦源抽运尺寸为10 mm×10 mm×4 mm的Fe^(2+):ZnSe晶体样品,重复频率为100 Hz时,激光能量输出达12 mJ,输出波长调谐范围3.95~4.15μm。
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关键词
HPVB法
Fe^(2+):ZnSe晶体
离子掺杂浓度
中波红外
激光输出
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职称材料
题名
等离子体浸没注入超低能注入掺杂研究
1
作者
汪明刚
刘杰
杨威风
李超波
夏洋
机构
中国科学院微电子研究所中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室
出处
《核聚变与等离子体物理》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期370-373,共4页
基金
国家科技重大专项(2009ZX02037)
国家自然科学基金资助项目(60727003)
文摘
基于感应耦合等离子体(ICP)技术设计了一套用于在硅基片上制作形成超浅结的等离子体浸没注入(PIII)系统。该ICP PIII系统工作腔室为圆柱形,采用射频功率源,注入偏压源为一脉冲直流电压源,系统与Langmiur探针相连。探针诊断结果表明,该系统的等离子体离子密度达到1017m-3,离子密度径向均匀性达到3.53%。硼和磷的超低能注入试验的二次离子质谱测试结果表明:掺杂离子注入深度在10nm左右,最浅的注入深度为8.6nm(在注入离子密度为1018cm-3时);注入离子剂量达到了1015cm-2以上;掺杂离子浓度峰值在表面以下;注入陡峭度达到了2.5nm/decade。
关键词
感应耦合等
离子
体
浸没注入
低能注入
注入
掺杂
ENERGY
离子
密度
注入深度
系统工作
掺杂
离子
浓度
二次
离子
质谱
直流电压源
射频功率源
径向均匀性
诊断结果
探针
离子
剂量
技术设计
硅基片上
测试结果
圆柱形
Keywords
Plasma immersion ion implantation
Ultra shallow junction(USJ)
Inductively coupled plasma
分类号
O4 [理学—物理]
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职称材料
题名
HPVB法Fe^(2+):ZnSe激光晶体生长及激光输出特性
2
作者
夏士兴
谢文强
付秋月
魏磊
丁宇
张丰发
机构
黑龙江工程学院
黑龙江省光电子及激光技术重点实验室
固体激光技术重点实验室
光电信息控制和安全技术重点实验室
出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2023年第7期1033-1036,共4页
基金
固体激光技术重点实验室开放基金项目(No.2021003H)
光电信息控制和安全技术重点实验室开放基金项目(No.6142107200312)资助。
文摘
本文采用纯度为99.999%的颗粒状ZnSe为基质材料,纯度为99.998%的FeSe粉末为掺杂物,通过HPVB法生长了Fe^(2+):ZnSe晶体,晶体尺寸达Φ50.8 mm×120 mm。采用电感耦合等离子发射光谱仪测试了Fe^(2+):ZnSe晶体样品中铁离子掺杂浓度为3.048×10^(18)cm^(-3)。采用粉末XRD衍射仪测试了Fe^(2+):ZnSe晶体样品的X-射线衍射谱,其衍射谱与基质ZnSe样品衍射谱匹配度达92%。采用UV/VIS/NIR分光光度计和傅里叶红外光谱仪测试了Fe^(2+):ZnSe晶体样品的透过谱图,透过谱在波长3.0μm处出现了明显的Fe^(2+)离子吸收峰。采用2.94μm Er:YAG激光器为泵浦源抽运尺寸为10 mm×10 mm×4 mm的Fe^(2+):ZnSe晶体样品,重复频率为100 Hz时,激光能量输出达12 mJ,输出波长调谐范围3.95~4.15μm。
关键词
HPVB法
Fe^(2+):ZnSe晶体
离子掺杂浓度
中波红外
激光输出
Keywords
HPVB method
Fe^(2+):ZnSe crystal
ions doping concentration
mid-wave infrared
laser output
分类号
TN248 [电子电信—物理电子学]
O78 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
等离子体浸没注入超低能注入掺杂研究
汪明刚
刘杰
杨威风
李超波
夏洋
《核聚变与等离子体物理》
CAS
CSCD
北大核心
2010
0
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职称材料
2
HPVB法Fe^(2+):ZnSe激光晶体生长及激光输出特性
夏士兴
谢文强
付秋月
魏磊
丁宇
张丰发
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2023
0
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职称材料
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