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AlN薄膜的离子反应镀工艺优化及分析
被引量：
2
1
作者
刘思用
林立
+1 位作者
杨武保
孙惠峰
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
2007年第3期37-39,共3页
利用高纯氮气和铝,采用离子反应镀的方法,在石英玻璃衬底上成功制得AlN薄膜。正交设计优化结果表明:AlN薄膜最大沉积速率达到0.81μm/min,其相应的工艺参数为:蒸发电压225V,轰击电压70V,轰击时N2气压为1.5999Pa。X-射线衍射、原子力显...
利用高纯氮气和铝,采用离子反应镀的方法,在石英玻璃衬底上成功制得AlN薄膜。正交设计优化结果表明:AlN薄膜最大沉积速率达到0.81μm/min,其相应的工艺参数为:蒸发电压225V,轰击电压70V,轰击时N2气压为1.5999Pa。X-射线衍射、原子力显微镜、近红外光谱、拉曼光谱对薄膜进行了分析,证明了AlN薄膜的存在。
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关键词
氮化铝
薄膜
离子反应镀
工艺优化
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职称材料
题名
AlN薄膜的离子反应镀工艺优化及分析
被引量：
2
1
作者
刘思用
林立
杨武保
孙惠峰
机构
中国石油大学(北京)机电工程学院材料系
出处
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
2007年第3期37-39,共3页
文摘
利用高纯氮气和铝,采用离子反应镀的方法,在石英玻璃衬底上成功制得AlN薄膜。正交设计优化结果表明:AlN薄膜最大沉积速率达到0.81μm/min,其相应的工艺参数为:蒸发电压225V,轰击电压70V,轰击时N2气压为1.5999Pa。X-射线衍射、原子力显微镜、近红外光谱、拉曼光谱对薄膜进行了分析,证明了AlN薄膜的存在。
关键词
氮化铝
薄膜
离子反应镀
工艺优化
Keywords
AlN
Film
Reactive ion plating
Technology optimization
分类号
TG174.44 [金属学及工艺—金属表面处理]
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作者
出处
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被引量
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1
AlN薄膜的离子反应镀工艺优化及分析
刘思用
林立
杨武保
孙惠峰
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
2007
2
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